公开(公告)号：CN101196552A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710171904.0

申请日：2007-12-07

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 ,  上海蓝宝光电材料有限公司

发明人： 陆卫 ,  夏长生 ,  李志锋 ,  张波 ,  甄红楼 ,  陈平平 ,  李天信 ,  李宁 ,  陈效双 ,  陈明法

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法。该方法是通过注入电流的变化，利用显微荧光光谱仪的面扫描功能对LED发光表面进行光谱扫描测量，根据测得的显微发光光谱线型的演化来判断这种高效量子结构的存在。本发明方法操作简便，无破坏性；不仅可以明确多量子阱外延层中的量子结构，及时推进生产工艺的改进；还可对其在工作电流下发光效率的高低进行预测，有利于器件产品的应用分级，对于产品升级换代、降低成本和提高生产效率都具有重要意义。

公开(公告)号：CN101196552B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200710171904.0

申请日：2007-12-07

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 ,  上海蓝宝光电材料有限公司

发明人： 陆卫 ,  夏长生 ,  李志锋 ,  张波 ,  甄红楼 ,  陈平平 ,  李天信 ,  李宁 ,  陈效双 ,  陈明法

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法。该方法是通过注入电流的变化，利用显微荧光光谱仪的面扫描功能对LED发光表面进行光谱扫描测量，根据测得的显微发光光谱线型的演化来判断这种高效量子结构的存在。本发明方法操作简便，无破坏性；不仅可以明确多量子阱外延层中的量子结构，及时推进生产工艺的改进；还可对其在工作电流下发光效率的高低进行预测，有利于器件产品的应用分级，对于产品升级换代、降低成本和提高生产效率都具有重要意义。

公开(公告)号：CN104538489A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410748536.1

申请日：2014-12-09

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 胡伟达 ,  骆文锦 ,  王鹏 ,  苗金水 ,  郭楠 ,  陈平平 ,  李天信 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/108

摘要： 本发明公开了一种提高石墨烯与纳米线异质结探测器开关比的方法。该方法是在机械剥离的石墨烯上物理转移InAs纳米线，形成异质结。由于石墨烯与InAs纳米线具有不同的功函数，接触处会形成肖特基势垒。而栅极电压能够调节石墨烯的费米能级，从而调节肖特基势垒的高度，形成内建电场，使光生电子空穴对迅速分开，电子流向InAs纳米线，空穴流向石墨烯。因此，肖特基势垒的可调控优势能够有效地抑制石墨烯与纳米线异质结探测器的暗电流，提高探测器的开关比。此结构能够使石墨烯与纳米线异质结探测器的开关比超过102。本发明对于提高现有的石墨烯与纳米线异质结探测器的开关比有着十分重要的意义。

公开(公告)号：CN104332510A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410546873.2

申请日：2014-10-16

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 李倩 ,  李志锋 ,  陆卫 ,  陈效双 ,  李宁 ,  陈平平 ,  李天信 ,  王文娟 ,  甄红楼 ,  王少伟 ,  景友亮 ,  廖开升

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/02327 ,  H01L31/02161

摘要： 本发明公开了一种提升光电探测器响应率的亚波长等离激元微腔耦合结构，通过等离激元微腔对入射光的传播方向和光场分布进行调制，使入射光被限制在微腔中传播，减小了光的逃逸，提高了光子的利用率。入射光场被集聚在微腔中使得强度得到极大的增强，通过在微腔中夹持光电转换材料能够形成高响应率的光电探测器。该耦合结构由上层周期性金属条块形成的金属光栅层、光电转换激活层和下层金属反射层组成。本发明的优点是：利用上层金属光栅与下层金属反射层之间等离激元共振所形成的电磁波近场耦合微腔的模式选择效应，使得进入到微腔的光子沿横向传播并形成驻波，既集聚了光场能量又增加了等效光吸收的长度，使得探测器响应率得到极大地提升。

公开(公告)号：CN102185025B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201110082811.7

申请日：2011-04-01

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 ,  上海中科高等研究院 ,  阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司

发明人： 陆卫 ,  王旺平 ,  李宁 ,  李志锋 ,  陈效双 ,  俞立明 ,  张波 ,  李天信 ,  陈平平 ,  甄红楼 ,  王少伟

IPC分类号： H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种用于光电功能器件的金属波导微腔光耦合结构的工艺制程，可以使得光电功能器件的光耦合效率大大提升。本金属波导微腔工艺制程的要点是利用过渡基底材料实现功能器件薄膜的上、下表面金属结构的制备；利用两层石蜡工艺使得功能器件薄膜的制备以及在不同基底材料之间的转移成为可能。本工艺制程具有广泛的通用性，功能器件薄膜的厚度可以从百纳米到百微米，金属光耦合结构的特征尺寸可以从纳米尺度(电子束光刻)到微米尺度(紫外光刻)，响应的入射光可以从可见到太赫兹波段。长波量子阱红外探测器的实施实例表明本工艺制程可以优化器件的光谱响应和大大提高器件的红外响应率。

公开(公告)号：CN101458293B

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200810204665.9

申请日：2008-12-16

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 陆卫 ,  殷菲 ,  张波 ,  甄红楼 ,  李天信 ,  陈平平 ,  李志锋 ,  李宁 ,  陈效双

IPC分类号： G01R31/265

摘要： 本发明公开了一种检测碲镉汞红外探测器离子注入区的损伤程度的检测方法。它是基于在强激光辐照下，离子注入n区损伤引起光电流的原理，采用相敏检测技术(锁相放大器+机械斩波器)得到强激光辐照下的反常电流信号，并除去低激光强度下的常规的激光束诱导电流信号，剩下的即为离子注入n区损伤引起的光电流，可作为判断样品中损伤的标准。本发明的优点在于能通过与探测过程完全相同的光电过程，直接检测损伤对于光电响应的影响。

公开(公告)号：CN1793874B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200510111477.8

申请日：2005-12-14

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 陆卫 ,  李天信 ,  李志锋 ,  邵军 ,  陈平平 ,  李宁 ,  张波 ,  陈效双

IPC分类号： G01N23/227 ,  G01N13/00 ,  G01N1/28

摘要： 本发明公开了一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法，该设备包括：扫描探针显微镜、脉冲激光器、透镜和光电信号耦合测量部件。该方法是：利用扫描探针显微系统精确的空间定位和控制能力，使用导电针尖作为纳米电极，并采用背面入射的方法将脉冲激光引入样品待测区域，在对样品实施结构扫描的同时获得特定纳米区域的光激发电学特性。本发明的优点是：利用扫描探针显微镜的导电针尖作为高精度、高稳定性的移动纳米电极，可以对样品表面的微观区域进行光电响应的二维成像，像点间的信息具有很高的可比性，有助于对半导体光电功能材料的均匀性实施高分辨率的检测。

公开(公告)号：CN100559194C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200710172700.9

申请日：2007-12-21

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 陆卫 ,  崔昊杨 ,  李志锋 ,  李宁 ,  甄红楼 ,  张波 ,  陈平平 ,  李天信 ,  陈效双 ,  胡伟达 ,  叶振华 ,  胡晓宁

IPC分类号： G01R29/24

摘要： 本发明公开了一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法，该方法是利用一束光子能量大于被测器件带隙的超快脉冲激光背照射HgCdTe器件，利用数字示波器测量光伏器件两电极间的瞬态光伏信号与时间的演化关系，根据外电路测量到的界面电荷诱导电场和pn结电场形成的光生电动势在时间维度上被分离，通过对界面电荷诱导电场形成的光生电动势和有冶金pn结内建电场形成的光生电动势的指认，可以较方便地获取对器件光电响应有很大影响的界面电荷的信息。这是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法，对于改善器件性能，提高器件稳定性，以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。

公开(公告)号：CN100524841C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200710040613.8

申请日：2007-05-14

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 陆卫 ,  熊大元 ,  李宁 ,  甄红楼 ,  张波 ,  陈平平 ,  李天信 ,  李志锋 ,  陈效双

IPC分类号： H01L31/09

摘要： 本发明公开了一种GaAs/AlGaAs/InGaAs双色量子阱红外焦平面探测器，该器件采用GaAs基材料，交替生长AlGaAs势垒/GaAs量子阱/AlGaAs势垒/InGaAs量子阱/AlGaAs势垒，利用GaAs量子阱中的子带间跃迁形成长波波段的探测，利用InGaAs量子阱中的子带间跃迁形成中波波段的探测。对长波探测的GaAs量子阱，AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层构成GaAs量子阱的势垒；对中波探测的InGaAs量子阱，AlGaAs/GaAs/AlGaAs层又构成了InGaAs量子阱的势垒，并且使AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层的总厚度和AlGaAs/GaAs/AlGaAs层的总厚度为常规量子阱红外探测器中的一个势垒厚度，除掉了由于厚度增加使得器件的光电耦合效率下降的因素。在光电耦合方式中采用优化的二维双周期衍射光栅，在光栅刻蚀工艺中采用难度较小的浅深度刻蚀法。

公开(公告)号：CN100461557C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610148067.5

申请日：2006-12-27

申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

发明人： 陆卫 ,  崔昊杨 ,  李志锋 ,  李宁 ,  甄红楼 ,  张波 ,  陈平平 ,  李天信 ,  陈效双

IPC分类号： H01S3/107 ,  H01S3/08 ,  H01L31/068 ,  G02F1/015

摘要： 本发明公开了一种被动式饱和箝位输出光强连续可调的碲镉汞光限幅器，该光学限幅器包括：一对分布布拉格反射镜形成的F-P光学谐振腔和置于F-P光学谐振腔中间的作为吸收层的HgCdTe光电二极管及施加于HgCdTe光电二极管的直流稳压电源。本发明的优点是：1.由于吸收层采用HgCdTe光电二极管，通过控制施加于HgCdTe光电二极管的反向偏压来达到双光子吸收系数的人为调控；通过F-P光学谐振腔来增大双光子吸收材料的等效吸收长度，从而实现在一定范围内对大功率激光器的输出光强精确连续可调和饱和箝位。2.由于吸收波长可通过HgCdTe材料中Cd组分来调节，因此，这种光学限幅器可以在整个红外光学波段都能实现光学限幅要求。