-
公开(公告)号：CN115799296A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111062410.5
申请日：2021-09-10
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/868 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种III族氮化物二极管器件及其制作方法和应用。所述III族氮化物二极管器件包括：III族氮化物异质结，所述III族氮化物异质结中形成有二维电子气；第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极通过所述二维电子气电性连接；所述III族氮化物二极管器件还包括：多个第三半导体，多个所述的第三半导体与所述异质结配合设置，其中任意两个相邻第三半导体彼此间隔设置，每一所述第三半导体能够将位于其下方的部分的所述二维电子气耗尽，以及，该多个第三半导体还分别与第一电极电性接触。本发明提供的制作方法，减小了器件的开启电压和界面态影响，提高了器件的动态特性和可靠性，工艺简单，易于集成。
-
公开(公告)号：CN114724931A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210262046.5
申请日：2022-03-17
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3065 , G03F7/20 , G03F7/16
摘要： 本发明公开了一种调控被刻蚀材料侧壁刻蚀斜面角度的刻蚀工艺方法，包括：步骤1、对待刻蚀平片进行清洗后旋涂光刻胶；步骤2、采用lift‑off工艺制作对准标记mark，将步骤1所得样品进行曝光、显影后沉积Ti/Au薄膜，剥离光刻胶后得到后道光刻工艺对准标记mark；步骤3、将步骤2所得样品清洗后再次旋涂光刻胶，使用第一掩模版对准标记mark后进行倾斜曝光，显影后形成光刻胶侧壁倾斜面，再通过其他掩模版继续对准标记mark进行多次曝光，在显影后形成多方向光刻胶侧壁倾斜面；步骤4、对步骤3所得样品进行干法刻蚀，刻蚀至深度设定值；步骤5、将步骤4所得样品放入丙酮溶液中，去除剩余光刻胶，得到被刻蚀材料侧壁斜面角度。本发明主要用于半导体技术领域。
-
公开(公告)号：CN113745331A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010465766.2
申请日：2020-05-28
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种III族氮化物凹槽栅常关型P沟道HEMT器件及其制作方法。所述HEMT器件包括由第一半导体、第二半导体和第三半导体所形成的双异质结结构，所述双异质结具有双二维空穴气(2DHG)；所述第三半导体具有比第二半导体小的带隙，易于采用能带选择的光电化学腐蚀(PEC)技术去除，并形成凹槽结构；所述凹槽结构与栅极结构配合设置，可以将第二半导体内对应栅极下方区域的二维空穴气耗尽。本发明可以有效实现大输出电流、低导通电阻的凹槽栅常关型P沟道HEMT器件。
-
公开(公告)号：CN113740387A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010481770.8
申请日：2020-05-29
摘要： 本发明公开了一种氧化镓气敏传感器及其制备方法和应用。所述氧化镓气敏传感器包括：包括氧化镓纳米柱阵列和二维导电材料，所述氧化镓纳米柱阵列包括间隔分布的多根氧化镓纳米柱，所述氧化镓纳米柱站立设置，所述二维导电材料连续覆盖氧化镓纳米柱阵列，并且所述二维导电材料与氧化镓纳米柱阵列配合形成异质结，所述氧化镓纳米柱阵列、二维导电材料还分别与第一电极、第二电极电连接。本发明提供的氧化镓气敏传感器，包括多个垂直于导电衬底表面的氧化镓纳米柱，具有更高效的材料利用率，进而可以和更多的气体分子充分接触反应，有利于器件气敏性能的提升及其微型化进程。
-
公开(公告)号：CN118762993A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410868048.8
申请日：2024-06-28
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了降低SiO2/4H‑SiC界面态密度的方法及应用。所述处理方法包括：提供界面结构；进行低温等离子体处理，所采用的等离子体气氛包含N2O；之后进行高温快速退火处理，获得低界面态密度的界面结构。本发明所提供的处理方法，通过采用等离子体低温处理技术，将N、O和P等离子体扩散至氧化层的界面处，然后经过快速高温快速退火技术，O可以与界面的C反应以CO形式释放，从而降低了C团簇密度，同时N起到一定钝化悬挂键的作用，有利于提高界面质量，P能降低界面的有效负电荷，这对降低近界面氧化层中的陷阱电荷有促进作用。本发明可以降低界面有效负电荷，降低界面态密度，改善界面质量，进而提高所制备的器件的氧化层击穿场强，提高栅极的耐压性能，减小栅极漏电流，提高器件可靠性。
-
公开(公告)号：CN114472920B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202111677482.0
申请日：2021-12-31
IPC分类号： B22F10/28 , B22F10/366 , B22F5/00 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , C22C14/00 , G01R1/067 , G01R1/073
摘要： 本发明公开了一种用于探针卡的探针的加工方法，涉及晶圆检测设备领域。其包括：(1)提供/制备合金粉末；(2)通过软件将预先设计的探针的三维图进行切片；(3)将所述合金粉末加载至3D打印机内，并采用所述合金粉末逐层打印所述切片，形成用于探针卡的探针。本发明采用3D打印成型探针，其成本低、工艺简单，可快速实现批量加工。且该加工方法可提升成品探针的尺寸精度。
-
公开(公告)号：CN116344535A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202111577242.3
申请日：2021-12-22
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/8252
摘要： 本发明公开了一种可降低泄露电流的III族氮化物晶体管结构及其制作方法。所述III族氮化物晶体管结构包括：层叠设置的第一异质结和第二异质结，且所述第一异质结与第二异质结经高阻材料和/或插入层电性隔离；与所述第一异质结配合的第一电极、第二电极、第一栅极，所述第一栅极与第一异质结之间设有第三半导体，所述第一栅极还与第一电极电性连接；与所述第二异质结配合的源极、漏极、第二栅极，所述源极、漏极还分别与所述第一栅极、第二电极电性连接，所述第二栅极与第二异质结之间设置有第六半导体上。本发明提供的III族氮化物晶体管结构能够有效低器件反向导通电压，减小器件的面积。
-
公开(公告)号：CN113823707A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010492327.0
申请日：2020-06-03
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/12
摘要： 本发明公开了一种基于氧化镓与氮化镓的集成式器件及其制备方法。所述集成式器件包括依次叠设在沟道层上的势垒层、第一缓冲层和日盲紫外功能层；所述势垒层表面的局部区域从第一缓冲层和日盲紫外功能层中暴露出；所述势垒层表面的局部区域上设置有第一电极、第二电极和第三电极，以配合形成功率电子器件单元；所述日盲紫外功能层上设置有第四电极和第五电极，以配合形成日盲紫外光电子器件单元。本发明提供的集成式器件，可实现氧化镓日盲紫外光电子器件与氮化镓功率电子器件芯片集成，不仅能够实现两种器件的单一功能，还能综合两者优势，适用于某些特定领域。
-
公开(公告)号：CN217983279U
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202221531658.1
申请日：2022-06-17
摘要： 本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体公开一种穿引装置及引线键合仪，穿引装置包括筒架，筒架包括用于与劈刀内部相连通的通道，通道连接有用于在劈刀内部中形成牵引气流的气流发生器，牵引气流的流动方向为自劈刀向通道的方向。通过筒架与气流发生器相结合，以使在劈刀内部中形成自劈刀向通道方向流动的牵引气流，由此，位于劈刀内部入口处的引线或者断裂在劈刀内部中的引线得以在牵引气流的作用下向劈刀的嘴部方向移动，进而完成穿引或使引线碎段移出劈刀外。装置结构简单，有效降低穿引操作的难度，提高穿引效率，同时通堵效果好，能够将断裂在劈刀内部的引线碎段完整地导出，确保不会残留引线碎段。
-
公开(公告)号：CN217239404U
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202220535265.1
申请日：2022-03-10
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本实用新型公开了一种芯片点胶过程中电极保护装置，包括芯片、载体和点胶座，所述载体设有内连接部和外导电部，所述外导电部包围所述内连接部设置，所述芯片位于所述载体的上方，且所述芯片设有连接凸点，所述芯片通过所述连接凸点与所述内连接部相连接；所述点胶座设有点胶通道，所述芯片和连接凸点均位于所述点胶通道内，所述点胶通道的端口围绕所述内连接部设置，且所述点胶通道的端口与所述内连接部相抵接，以使所述点胶通道隔开所述内连接部与所述外导电部。采用本实用新型，具有有效实现对芯片电极的保护，避免填充胶遮掩芯片电极的优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
420 条记录 (耗时 0.073 秒)
