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公开(公告)号：CN117220639A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311467075.6
申请日：2023-11-07
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
IPC分类号： H03H11/28 , H03H11/24 , H03K17/687 , H04B1/16
摘要： 本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种适用于无线接收机中输入宽带匹配电路架构及电子芯片，所述电路架构包括电感元件、信号放大电路、直通电路以及信号缩放电路；所述电感元件的输入端为所述电路架构的输入端；所述电感元件的输出端分别连接所述信号放大电路、所述直通电路以及所述信号缩放电路；所述电路架构还包括开关管组，通过调节所述开关管组的导通状态以导通所述信号放大电路、所述直通电路以及所述信号缩放电路中其中之一。本申请提供的电路架构通过调节开关管组的工作状态以对无线接收机输入的信号进行增益或衰减调整，简化电路、增加电路的鲁棒性，节省芯片的面积。
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公开(公告)号：CN116865685B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311108186.8
申请日：2023-08-31
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及射频前端技术领域，具体地说，涉及一种高集成度宽带高效率功率放大器；通过设置功率合成网络1b和功率匹配与正交输出网络1b；将峰值放大器进行阻抗匹配并转换输出两路幅度相等的电流信号；采用功率合成网络1b，控制载波放大器输出信号幅度和相位，通过负载牵引形式动态调整峰值放大器负载阻抗值，摆脱了1/4波长传输线固有的窄带特性对功率放大器的束缚，实现了在宽频带、大动态条件下高效率工作。
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公开(公告)号：CN116865685A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311108186.8
申请日：2023-08-31
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及射频前端技术领域，具体地说，涉及一种高集成度宽带高效率功率放大器；通过设置功率合成网络1b和功率匹配与正交输出网络1b；将峰值放大器进行阻抗匹配并转换输出两路幅度相等的电流信号；采用功率合成网络1b，控制载波放大器输出信号幅度和相位，通过负载牵引形式动态调整峰值放大器负载阻抗值，摆脱了1/4波长传输线固有的窄带特性对功率放大器的束缚，实现了在宽频带、大动态条件下高效率工作。
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公开(公告)号：CN116707489A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310989416.X
申请日：2023-08-08
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
IPC分类号： H03H11/28
摘要： 本发明公开了一种高集成度小型化宽幅阻抗调谐器，包括控制电路单元、可重构电容网络单元和可重构电感网络单元；所述可重构电容网络单元包括若干个并联的支路，且每个支路上设置有串联的电容C和射频开关SW，所述可重构电容网络单元的容值采用二进制加权并行结构；所述可重构电感网络单元包括单刀双掷射频开关SPDT和若干个并联的支路，且每个支路上设置有串联的射频开关SW和有源电感，所述单刀双掷射频开关SPDT的第一输出端、第二输出端分别与可重构电容网络单元的两端连接。本发明可以在大范围内对天线与射频前端之间的阻抗失配进行调谐，同时，由于采用的元器件均适用于集成电路工艺，可实现电路小型化和单片化，具有较好的实用性。
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公开(公告)号：CN116366009B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310618237.5
申请日：2023-05-30
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及射频前端技术领域，具体地说，涉及一种高温度稳定性的射频功率放大器；通过在射频放大单元的基础上增设功率补偿单元补偿射频放大单元晶体管Q6b的基极与发射极之间的电压差，抑制了射频功率放大器的线性度，实现了跨导恒定；增设第一温度补偿单元补偿第一温度补偿单元在偏置条件下的功率输出特性，向第二温度补偿单元输出补偿后的电流；增设第二温度补偿单元根据生成的第三电流调节晶体管Q6b的基极电流，抑制晶体管Q6b的基极电流增大；抑制了射频功率放大器输出1dB压缩点随温度变化而产生的波动。
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公开(公告)号：CN116187113B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310487052.5
申请日：2023-05-04
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
IPC分类号： G06F30/20 , G06F113/18 , G06F119/08
摘要： 本发明公开了一种基于高倍红外热成像的集成电路芯片热仿真结温校正方法，建立仿真热模型并进行简化，省略掉集成电路结构模型并简化为发热晶体管区域的面积热源；基于仿真热模型导出发热晶体管区域芯片表面温度云图、芯片表面结温值；在测试平台上对芯片进行测试，使用高倍红外热成像仪检测并得到晶体管区域芯片温度场分布，导出集成电路芯片表面温度云图，得到芯片表面结温值；根据上述的芯片表面结温值得到仿真热模型的校正系数K，实现对仿真热模型校正。本发明在产品设计初期即可以得出产品相应工况的结温较高准确值，提高产品散热评估准确性。
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公开(公告)号：CN115882790B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310091816.9
申请日：2023-02-10
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
IPC分类号： H03F1/00 , H01L23/528 , H03F1/56 , H02J50/10 , H02J50/00
摘要： 本发明涉及芯片布局领域，具体地说，涉及一种放大器芯片输出电路、供电方法、芯片及电子设备；通过在第一金属层上布设输出匹配电路，实现阻抗变换和功率合成；在放大器芯片的第二金属层上布设输出供电电路，将扼流线圈的输入端与电源耦合，输出端与末级放大器的集电极耦合，用于向所述放大器芯片末级管芯供电；大幅提升了供电扼流线圈的通流能力，避免供电扼流线圈在大信号工况以及耐功率实验测试时烧毁的情况；同时能够有效减小功率放大器芯片的面积，提高芯片面积的利用率。
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公开(公告)号：CN116131770A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310411509.4
申请日：2023-04-18
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高集成度的高线性低噪声放大器，包括高隔离度补偿网络单元以及并联设置在信号输入端IN1c与信号输出端OUT1c之间的射频放大单元、旁路单元；所述射频放大单元的输出端通过射频开关SW4c与高隔离度补偿网络单元连接。本发明在带旁路功能低噪声放大器基础上，引入高隔离度补偿网络单元。由于在芯片工艺中，构成高隔离度补偿网络单元的电阻、电容和晶体管都可以通过小尺寸器件实现，所以在付出较小额外面积代价基础上，实现了带旁路功能低噪声放大器的低噪声特性与高线性特性的兼容，具有较好的实用性。
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公开(公告)号：CN115882795B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310052840.1
申请日：2023-02-03
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及射频前端通信技术领域，具体地说，涉及一种具备线性化补偿结构的功率放大器；通过增加功率检测单元和线性化补偿单元，功率检测单元根据功率放大器的输出功率变化为线性化补偿单元提供连续可调的电压控制信号，线性化补偿单元根据电压控制信号，在功率放大器末级放大器的输入端提供相应的幅度补偿信号和相位补偿信号，与线性功率放大器本身输出的幅度失真及相位失真特性相结合，改善功率放大器的线性度指标，在同样输出功率下，实现更加优异的线性度特性，且获得更高的系统效率和更低的功率损耗。
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公开(公告)号：CN115967391A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202310094054.8
申请日：2023-02-01
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
IPC分类号： H03K17/687 , H03K19/003
摘要： 本申请提出一种高隔离度全差分开关电路及射频系统，其包括两个的相位差90度的对称开关单元和泄漏抵消单元；泄漏抵消单元的第一端口连接于第一个开关单元的射频发射端口，泄漏抵消单元的第二端口连接于第二个开关单元的射频接收端口；泄漏抵消单元的第三端口连接于第一个开关单元的射频接收端口，泄漏抵消单元的第四端口连接于第二个开关单元的射频发射端口；泄漏抵消单元用于对接收到的差分输入信号进行相位校正，并将校正后的信号输出，以使校正后的信号与泄漏信号反相抵消。在不增加插入损耗的基础上，可以提升隔离度，以实现高隔离度。
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