公开(公告)号：CN1159750C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN98800457.7

申请日：1998-04-09

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 清久裕之 ,  中村修二 ,  小崎德也 ,  岩佐成人 ,  蝶蝶一幸

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C23C16/34

CPC classification number: C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C23C16/042 ,  C23C16/303 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12

Abstract: 公开了一种晶体缺陷非常之少，可以作为衬底使用的氮化物半导体晶体的生长方法。本方法包括下述工程：在由具有主面、且含有由与氮化物半导体不同的材料形成的异种衬底的支持体之上，形成具备使该支持体的表面选择性地露出来的多个第1窗口的第一选择生长掩模的工序，和用气态3族元素源及气态氮元素源，从窗口露了出来的支持体的表面开始生长氯化物半导体直到相邻的窗口生成的氯化物半导体晶体在选择生长掩模的上表面合为一体为止的工序。

公开(公告)号：CN1223009A

公开(公告)日：1999-07-14

申请号：CN98800457.7

申请日：1998-04-09

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 清久裕之 ,  中村修二 ,  小崎德也 ,  岩佐成人 ,  蝶蝶一幸

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C23C16/34

CPC classification number: C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C23C16/042 ,  C23C16/303 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12

Abstract: 公开了一种晶体缺陷非常之少,可以作为衬底使用的氮化物半导体晶体的生长方法。本方法包括下述工程:在由具有主面、且含有由与氮化物半导体不同的材料形成的异种衬底的支持体之上,形成具备使该支持体的表面选择性地露出来的多个第1窗口的第一选择生长掩模的工序,和用气态3族元素源及气态氮元素源,从窗口露了出来的支持体的表面开始生长氯化物半导体直到相邻的窗口生成的氯化物半导体晶体在选择生长掩模的上表面合为一体为止的工序。