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公开(公告)号：CN1292458C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200310118286.5
申请日：1998-04-09
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00 , C23C16/34 , H01S5/00
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C23C16/042 , C23C16/303 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01S5/0213 , H01S5/0422 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/12
Abstract: 公开了一种晶体缺陷非常之少，可以作为衬底使用的氮化物半导体晶体的生长方法。本方法包括下述工序：在具有主面，且含有用与氮化物半导体不同的材料形成的异种衬底的支持体之上，形成氮化物半导体层的工序；在该氮化物半导体层上，形成具有与支持体表面平行的底面的多个凹部的工序；在该氮化物半导体层的顶面上选择性地形成第1生长控制掩模，并使该氮化物半导体层从该凹部的侧面和底面选择性地露出来的工序；以及用气态的3族元素源和气态的氮元素源，使氮化物半导体从该氮化物半导体层的露出面生长的工序。
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公开(公告)号：CN1516238A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310118286.5
申请日：1998-04-09
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00 , C23C16/34 , H01S5/00
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C23C16/042 , C23C16/303 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01S5/0213 , H01S5/0422 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/12
Abstract: 公开了一种晶体缺陷非常之少，可以作为衬底使用的氮化物半导体晶体的生长方法。本方法包括下述工序：在具有主面，且含有用与氮化物半导体不同的材料形成的异种衬底的支持体之上，形成氮化物半导体层的工序；在该氮化物半导体层上，形成具有与支持体表面平行的底面的多个凹部的工序；在该氮化物半导体层的顶面上选择性地形成第1生长控制掩模，并使该氮化物半导体层从该凹部的侧面选择性地露出来的工序；以及用气态的3族元素源和气态的氮元素源，使氮化物半导体从该氮化物半导体层的露出面生长的工序。
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公开(公告)号：CN1790760B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200510125404.4
申请日：2001-07-06
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 小崎德也
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01S5/18308 , H01S5/18369 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3086 , H01S5/3407 , H01S5/3415 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件，具有以p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层夹着具有由包含In的氮化物半导体构成的井层和由氮化物半导体构成的阻挡层的量子井结构的活性层的结构，其特征在于：所述活性层作为所述阻挡层，具有配置在最接近所述p型氮化物半导体层的位置上的第一阻挡和与该第一阻挡层不同的第二阻挡层，并且，所述第一阻挡层实质上不包含n型杂质，所述第二阻挡层包含n型杂质，所述第一阻挡层的膜厚比所述第二阻挡层的膜厚大。
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公开(公告)号：CN1280961C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN01811392.3
申请日：2001-06-19
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01S5/0217 , H01S5/3063 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 一种氮化物半导体基板，包括：(a)支承基板，(b)具有周期性T字形横剖面的第一氮化物半导体层，其系于支承基板上自周期性设置的条纹状、格栅状或岛状部分成长，及(c)覆盖该支承基板的第二氮化物半导体基板，其系自该第一氮化物半导体层的上表面及侧面成长，其中在第二氮化物半导体层的下方形成空穴。将具有周期性设置的条纹状、格栅状或岛状孔隙的保护层形成于支承基板上。第一氮化物半导体层自基板的暴露部分横向成长。在第一氮化物半导体层覆盖支承基板之前停止成长。因此，第一氮化物半导体层具有周期性的T字形横剖面。然后将保护层移除，及使第二氮化物半导体层自第一氮化物半导体层的上表面及侧面成长，以覆盖基板。
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公开(公告)号：CN1441982A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN01811392.3
申请日：2001-06-19
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01S5/0217 , H01S5/3063 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 一种氮化物半导体基板，包括：(a)支承基板，(b)具有周期性T字形横剖面的第一氮化物半导体层，其系于支承基板上自周期性设置的条纹状、格栅状或岛状部分成长，及(c)覆盖该支承基板的第二氮化物半导体基板，其系自该第一氮化物半导体层的上表面及侧面成长，其中在第二氮化物半导体层的下方形成空穴。将具有周期性设置的条纹状、格栅状或岛状孔隙的保护层形成于支承基板上。第一氮化物半导体层自基板的暴露部分横向成长。在第一氮化物半导体层覆盖支承基板之前停止成长。因此，第一氮化物半导体层具有周期性的T字形横剖面。然后将保护层移除，及使第二氮化物半导体层自第一氮化物半导体层的上表面及侧面成长，以覆盖基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1440579B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN01812428.3
申请日：2001-07-06
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 小崎德也
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01S5/18308 , H01S5/18369 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3086 , H01S5/3407 , H01S5/3415 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 本发明作为夹入p型氮化物半导体层11、n型氮化物半导体层13的活性层12，至少具有：具有n型杂质的阻挡层2a；由包含In的氮化物半导体构成的井层1a；具有p型杂质的、或者以无掺杂而使其生长的阻挡层2c，通过配置该阻挡层2作为最接近p型层一侧的阻挡层，就可以注入适当的载流子到活性层12。
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公开(公告)号：CN1933195A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610099937.4
申请日：1998-04-09
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 公开了一种晶体缺陷非常之少，可以作为衬底使用的氮化物半导体晶体的生长方法。本方法包括下述工程：在由具有主面、且含有由与氮化物半导体不同的材料形成的异种衬底的支持体之上，形成具备使该支持体的表面选择性地露出来的多个第1窗口的第一选择生长掩模的工序，和用气态3族元素源及气态氮元素源，从窗口露了出来的支持体的表面开始生长氯化物半导体直到相邻的窗口生成的氯化物半导体晶体在选择生长掩模的上表面合为一体为止的工序。
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公开(公告)号：CN1440579A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN01812428.3
申请日：2001-07-06
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 小崎德也
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01S5/18308 , H01S5/18369 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3086 , H01S5/3407 , H01S5/3415 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 本发明作为夹入p型氮化物半导体层11、n型氮化物半导体层13的活性层12，至少具有：具有n型杂质的阻挡层2a；由包含In的氮化物半导体构成的井层1a；具有p型杂质的、或者以无掺杂而使其生长的阻挡层2c，通过配置该阻挡层2作为最接近p型层一侧的阻挡层，就可以注入适当的载流子到活性层12。
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公开(公告)号：CN100492687C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200610099937.4
申请日：1998-04-09
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 公开了一种晶体缺陷非常之少，可以作为衬底使用的氮化物半导体晶体的生长方法。本方法包括下述工程：在由具有主面、且含有由与氮化物半导体不同的材料形成的异种衬底的支持体之上，形成具备使该支持体的表面选择性地露出来的多个第1窗口的第一选择生长掩模的工序，和用气态3族元素源及气态氮元素源，从窗口露了出来的支持体的表面开始生长氯化物半导体直到相邻的窗口生成的氯化物半导体晶体在选择生长掩模的上表面合为一体为止的工序。
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公开(公告)号：CN1790760A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510125404.4
申请日：2001-07-06
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 小崎德也
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01S5/18308 , H01S5/18369 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3086 , H01S5/3407 , H01S5/3415 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件，具有以p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层夹着具有由包含In的氮化物半导体构成的井层和由氮化物半导体构成的阻挡层的量子井结构的活性层的结构，其特征在于：所述活性层作为所述阻挡层，具有配置在最接近所述p型氮化物半导体层的位置上的第一阻挡和与该第一阻挡层不同的第二阻挡层，并且，所述第一阻挡层实质上不包含n型杂质，所述第二阻挡层包含n型杂质，所述第一阻挡层的膜厚比所述第二阻挡层的膜厚大。
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