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公开(公告)号:CN107405581A
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201680015427.6
申请日:2016-03-15
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: B01D69/12 , B01D61/145 , B01D63/066 , B01D67/0048 , B01D69/02 , B01D69/10 , B01D71/022 , B01D71/027 , B01D2325/02 , B01D2325/04 , C01B33/145 , C01B33/148 , C07C7/144 , C07C29/76
Abstract: 二氧化硅膜过滤器10包括:以元素M为主成分且被形成在支撑体14上的超滤膜15和具有芳基且被形成在超滤膜15上的二氧化硅膜18。该超滤膜15具有渗透了二氧化硅膜18的Si的结构,该超滤膜15中的膜侧区域16的Si相对于元素M的原子比A(=Si/M)满足0.01≤A≤0.5,原子比A相对于基材侧区域17的原子比B(=Si/M)的比值A/B满足1.1以上的范围,其中,膜侧区域16为从二氧化硅膜18开始的25%区域,基材侧区域17为从支撑体14开始的25%区域。
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公开(公告)号:CN119343172A
公开(公告)日:2025-01-21
申请号:CN202380043926.6
申请日:2023-05-01
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 使用了分离膜的分离装置的运转方法包括以下工序:进行通常运转的工序(步骤S12),该工序中,通过将包含多个种类的气体的混合气体以一定的设定压力向分离膜供给而将分离膜的透过性高的混合气体中的物质从其他物质中分离出来;以及进行高压处理的工序(步骤S11),该工序中,在通常运转前的开始向分离膜供给混合气体时、或通常运转的途中,将混合气体以比设定压力高的压力向分离膜供给。由此,能够将附着于分离膜的不要物质除去而容易地提高分离膜的透过性能。
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公开(公告)号:CN117412800A
公开(公告)日:2024-01-16
申请号:CN202280039182.6
申请日:2022-05-12
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: B01D53/22
Abstract: 混合气体分离方法具备:准备分离膜(12)的工序(步骤S11);和将包含多种气体的混合气体供给至分离膜(12),通过使混合气体中的透过性高的气体透过分离膜(12)而从混合气体中分离的工序(步骤S12)。在步骤S12中,在将分离膜(12)的一次侧的气体压力即供给侧压力与分离膜(12)的二次侧的气体压力即透过侧压力之差设为ΔP、且将焦耳‑汤姆逊系数设为A的情况下,通过将混合气体的Nu数设为2以上且10以下,使分离膜(12)的一次侧的气体温度即供给侧温度与分离膜(12)的二次侧的气体温度即透过侧温度之差ΔT小于A·ΔP的90%。由此,能够抑制透过气体的透过速度的降低。
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公开(公告)号:CN111194296B
公开(公告)日:2023-05-09
申请号:CN201880054321.6
申请日:2018-08-20
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种新型的沸石膜复合体。沸石膜复合体(1)具备支撑体(11)以及形成在支撑体(11)上的沸石膜(12)。沸石膜(12)是SAT型且取向的新型沸石膜。在对沸石膜(12)照射X射线而得到的X射线衍射图谱中,存在于2θ=13.9°附近的峰的强度为存在于2θ=8.5°附近的峰的强度的1.5倍以上。沸石膜(12)以微孔朝向沸石膜(12)的表面开口的方式进行取向。由此,例如,将沸石膜复合体(1)用作气体分离膜时,能够得到较高的气体分离性能。
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公开(公告)号:CN111566049B
公开(公告)日:2023-03-10
申请号:CN201880057014.3
申请日:2018-12-06
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 沸石膜复合体(1)具备:支撑体(11)、以及形成在支撑体(11)上的沸石膜(12)。沸石膜(12)为SAT型的沸石。位于沸石膜(12)的表面的多个粒子(121)中的、纵横尺寸比为1.2以上且10以下的粒子(121)占据沸石膜(12)的表面的面积的85%以上。由此,能够使多个粒子(121)的取向性得到提高。另外,能够减少多个粒子(121)间的间隙。结果,能够提高沸石膜(12)的致密性。因此,例如在将沸石膜复合体(1)作为气体分离膜加以使用的情况下,能够得到高气体分离性能。
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公开(公告)号:CN107405581B
公开(公告)日:2021-05-18
申请号:CN201680015427.6
申请日:2016-03-15
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 二氧化硅膜过滤器10包括:以元素M为主成分且被形成在支撑体14上的超滤膜15和具有芳基且被形成在超滤膜15上的二氧化硅膜18。该超滤膜15具有渗透了二氧化硅膜18的Si的结构,该超滤膜15中的膜侧区域16的Si相对于元素M的原子比A(=Si/M)满足0.01≤A≤0.5,原子比A相对于基材侧区域17的原子比B(=Si/M)的比值A/B满足1.1以上的范围,其中,膜侧区域16为从二氧化硅膜18开始的25%区域,基材侧区域17为从支撑体14开始的25%区域。
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