公开(公告)号：CN107427784B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201680015708.1

申请日：2016-03-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三浦绫 ,  古川昌宏

IPC: B01D71/02 ,  B01D69/00 ,  B01D69/02 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  C01B33/12

Abstract: 二氧化硅膜过滤器10包括：多孔质基材13、和被形成在多孔质基材13上且具有芳基的二氧化硅膜18。该二氧化硅膜18的、利用能量分散型X射线分光法(EDX)进行元素分析而得到的原子数比Si/C为0.2～15的范围。另外，二氧化硅膜18的膜厚优选为30nm～300nm的范围，傅里叶变换红外吸收光谱(FT－IR)中的、Si－O－Si键的吸收强度X与基于芳基的吸收强度Y的比值X/Y优选为5.0～200的范围。

公开(公告)号：CN110475604B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201880013010.5

申请日：2018-03-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 萩尾健史 ,  野田宪一 ,  宫原诚 ,  清水克哉 ,  三浦绫 ,  吉村辽太郎

IPC: B01D71/02 ,  B01D69/02 ,  B01D69/12 ,  C01B39/54

Abstract: 对ERI膜(20)的膜表面照射X射线得到的X射线衍射图案中，(002)晶面的峰强度为(100)晶面的峰强度的0.5倍以上。

公开(公告)号：CN111867710A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980015693.2

申请日：2019-03-04

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三浦绫 ,  吉村辽太郎 ,  野田宪一

IPC: B01D71/02 ,  B01D69/12 ,  C01B39/46 ,  C01B39/54

Abstract: 沸石膜复合体(1)的沸石膜(12)的一部分从沸石膜(12)和支撑体(11)的界面(113)侵入支撑体(11)的气孔内。关于构成沸石膜(12)的一个主要元素，在与界面(113)垂直的深度方向上，元素内外比(B/C)/A为0.8的位置与界面(113)之间的距离D(即，沸石膜(12)的侵入深度D)优选为5μm以下。B/C是支撑体(11)内部的该一个主要元素的原子百分率B除以支撑体(11)的气孔率C而得到的值。元素内外比(B/C)/A是该值相对于沸石膜(12)中的该一个主要元素的原子百分率A之比。

公开(公告)号：CN110446543B

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN201880014746.4

申请日：2018-03-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 萩尾健史 ,  野田宪一 ,  宫原诚 ,  清水克哉 ,  三浦绫 ,  吉村辽太郎

IPC: B01D71/02 ,  B01D69/00 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  C01B39/04 ,  C01B39/54

Abstract: 在对AFX膜(20)的膜表面照射X射线而得到的X射线衍射图案中，(110)晶面的峰强度为(004)晶面的峰强度的2.5倍以上。

公开(公告)号：CN111194296A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201880054321.6

申请日：2018-08-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 野田宪一 ,  三浦绫 ,  吉村辽太郎 ,  萩尾健史

IPC: C01B39/54 ,  B01D69/02 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  B01D71/02

Abstract: 本发明提供一种新型的沸石膜复合体。沸石膜复合体(1)具备支撑体(11)以及形成在支撑体(11)上的沸石膜(12)。沸石膜(12)是SAT型且取向的新型沸石膜。在对沸石膜(12)照射X射线而得到的X射线衍射图谱中，存在于2θ＝13.9°附近的峰的强度为存在于2θ＝8.5°附近的峰的强度的1.5倍以上。沸石膜(12)以微孔朝向沸石膜(12)的表面开口的方式进行取向。由此，例如，将沸石膜复合体(1)用作气体分离膜时，能够得到较高的气体分离性能。

公开(公告)号：CN110446543A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201880014746.4

申请日：2018-03-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 萩尾健史 ,  野田宪一 ,  宫原诚 ,  清水克哉 ,  三浦绫 ,  吉村辽太郎

IPC: B01D71/02 ,  B01D69/00 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  C01B39/04 ,  C01B39/54

Abstract: 在对AFX膜(20)的膜表面照射X射线而得到的X射线衍射图案中，(110)晶面的峰强度为(004)晶面的峰强度的2.5倍以上。

公开(公告)号：CN108883375A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780008590.4

申请日：2017-02-21

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 古川昌宏 ,  田中启 ,  三浦绫

IPC: B01D69/04 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  C04B38/06 ,  C04B41/89

CPC classification number: B01D69/04 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  C04B38/06 ,  C04B41/89

Abstract: 整体型分离膜结构体(100)中，过滤隔室(24)的内径(C1)为1.0mm～2.0mm，邻接的过滤隔室(24)间的整体型基材(10)的隔壁厚度(D1)为0.05mm以上且低于0.2mm，中间层(20)的厚度(E1)为20μm以上且低于100μm。

公开(公告)号：CN111867710B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201980015693.2

申请日：2019-03-04

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三浦绫 ,  吉村辽太郎 ,  野田宪一

IPC: B01D71/02 ,  B01D69/12 ,  C01B39/46 ,  C01B39/54

Abstract: 沸石膜复合体(1)的沸石膜(12)的一部分从沸石膜(12)和支撑体(11)的界面(113)侵入支撑体(11)的气孔内。关于构成沸石膜(12)的一个主要元素，在与界面(113)垂直的深度方向上，元素内外比(B/C)/A为0.8的位置与界面(113)之间的距离D(即，沸石膜(12)的侵入深度D)优选为0.01μm以上且5μm以下。B/C是支撑体(11)内部的该一个主要元素的原子百分率B除以支撑体(11)的气孔率C而得到的值。元素内外比(B/C)/A是该值相对于沸石膜(12)中的该一个主要元素的原子百分率A之比。

公开(公告)号：CN111566049A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201880057014.3

申请日：2018-12-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 野田宪一 ,  三浦绫 ,  吉村辽太郎

IPC: C01B39/54 ,  B01D69/00 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  B01D71/02 ,  C01B32/50

Abstract: 沸石膜复合体(1)具备：支撑体(11)、以及形成在支撑体(11)上的沸石膜(12)。沸石膜(12)为SAT型的沸石。位于沸石膜(12)的表面的多个粒子(121)中的、纵横尺寸比为1.2以上且10以下的粒子(121)占据沸石膜(12)的表面的面积的85％以上。由此，能够使多个粒子(121)的取向性得到提高。另外，能够减少多个粒子(121)间的间隙。结果，能够提高沸石膜(12)的致密性。因此，例如在将沸石膜复合体(1)作为气体分离膜加以使用的情况下，能够得到高气体分离性能。

公开(公告)号：CN107427784A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680015708.1

申请日：2016-03-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三浦绫 ,  古川昌宏

IPC: B01D71/02 ,  B01D69/00 ,  B01D69/02 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12 ,  C01B33/12

Abstract: 二氧化硅膜过滤器10包括：多孔质基材13、和被形成在多孔质基材13上且具有芳基的二氧化硅膜18。该二氧化硅膜18的、利用能量分散型X射线分光法(EDX)进行元素分析而得到的原子数比Si/C为0.2～15的范围。另外，二氧化硅膜18的膜厚优选为30nm～300nm的范围，傅里叶变换红外吸收光谱(FT－IR)中的、Si－O－Si键的吸收强度X与基于芳基的吸收强度Y的比值X/Y优选为5.0～200的范围。