负载驱动装置
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107615640B

    公开(公告)日:2020-03-06

    申请号:CN201680031270.6

    申请日:2016-04-12

    Abstract: 本发明的目的在于在具有H电桥电路的负载驱动装置中,即使在负载过载的情况下,也在抑制构成H电桥电路的电路要素、例如开关元件的故障、破坏的同时,实现电容器或/和H电桥电路的构成要素的小型化(例如减小其容积)。作为实现其的技术方案,具有第一和第二模式作为切换开关元件(11、12、13、14)的模式,适当地切换第一、第二模式。

    升降压电源以及电源电路
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108352784A

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201680066564.2

    申请日:2016-09-28

    Abstract: 提供一种电路面积小的升降压电源。一种升降压电源,具备:降压部,通过一端被施加升降压电源的输入电压的降压开关的导通截止来生成比输入电压低的输出电压;升压部,通过一端被施加接地的升压开关的导通截止来生成比输入电压高的输出电压;以及降压栅极电压控制电路,控制降压开关的栅极电压。降压栅极电压控制电路具有生成用于导通降压开关的第1电压和第2电压的栅极电压生成电路、以及在第1电压与第2电压之间进行切换的栅极电压切换电路,栅极电压生成电路具有生成第1电压的第1电压源和生成第2电压的第2生成电压源。

    车载用控制装置
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103023010A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210282705.8

    申请日:2012-08-09

    CPC classification number: B60L11/1851 H02H9/041 H02H11/003 H02J7/0034

    Abstract: 本发明提供一种车载用控制装置,是在发生浪涌时也能够保护MOSFET的电源输入部的电路结构。由p沟道MOSFET(1)、n沟道MOSFET(2)、齐纳二极管(3)、齐纳二极管(4)、抑制电流逆流的线圈(5)、保持p沟道MOSFET(1)的源极与n沟道MOSFET(2)的漏极之间的电压差的电阻(6)、在p沟道MOSFET(1)短路破坏时保护电路的电阻(7)、在n沟道MOSFET(2)短路破坏时保护电路的电阻(8)、抑制对电源IC的输入电压的变动的电解电容器(9)、对ECU供给电压的电池(10)、生成使ECU内部的IC工作的电压的电源IC(11)构成。

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