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公开(公告)号：CN101820042B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201010119537.1
申请日：2010-02-20
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/0079 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其能提高发光输出。发光元件(1)包括：具有第1半导体层、第2半导体层、在第1半导体层和第2半导体层之间的活性层(105)的半导体层叠结构(10)，具有设置在半导体层叠结构(10)的一个面上的中心电极、从中心电极外周开始延伸的细线电极的表面电极(110)，具有在半导体层叠结构(10)的另一个面的除了表面电极(110)的正下方以外的部分上沿着细线电极平行设置的、形成和细线电极之间最短电流通路的多个第1区域、连接多个第1区域的第2区域的接触部(120)；对于表面电极(110)，中心电极和接触部(120)之间最短电流通路比细线电极和第1区域之间最短电流通路更长，细线电极的端部和接触部之间最短电流通路具有细线电极和第1区域之间最短电流通路以上的长度。
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公开(公告)号：CN101714595A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910178220.2
申请日：2009-09-27
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/387
Abstract: 一种发光元件包括半导体层压结构、在所述半导体层压结构的一侧表面上的第一电极、在所述半导体层压结构的另一侧表面上用于反射由活性层发出的光的导电反射层、在所述半导体层压结构和所述导电反射层之间局部形成的且与所述半导体层压结构欧姆接触的接触部、以及在所述半导体层压结构上的导电反射层的部分表面上未与所述的半导体层压结构接触的且用于向接触部供给电流的第二电极，所述半导体层压结构包括第一导电型的第一半导体层、不同于第一导电型的第二导电型的第二半导体层以及夹在第一和第二半导体层之间的活性层。
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公开(公告)号：CN101515614A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910004338.3
申请日：2009-02-06
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/387 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光元件包括支撑结构体和发光结构体。所述支撑结构体包括支撑基板和设置在所述支撑基板的一个表面上的支撑基板侧接合层。所述发光结构体包括与所述支撑基板侧接合层接合的发光结构侧接合层；在所述发光结构侧接合层的所述支撑基板侧的相反侧上设置的反射区域；以及半导体多层结构，其包括设置在所述反射区域的所述发光结构侧接合层侧的相反侧上用于发射具有预定波长的光的发光层和设置在所述发光层的所述反射区域侧的相反侧用于漫反射光的光提取表面。所述反射区域包括由具有比所述半导体多层结构低的折射率的材料构成的透明层和由金属材料构成的反射层。所述透明层具有使得可以抑制由入射到所述透明层的光的多次反射所引起的干涉的厚度。
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公开(公告)号：CN100461477C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610139303.7
申请日：2006-09-22
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L33/02 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供了高亮度、低驱动电压而且能在驱动半导体发光元件的过程中抑制光辐射输出随时间而降低以及驱动电压上升的半导体发光元件。本发明的半导体发光元件是，在半导体衬底(1)上形成至少由n型包层(4)、活性层(5)、p型包层(6)构成的发光部，在上述发光部的上部形成添加了高浓度的p型掺杂剂Zn的As系接触层(7)，再在上述接触层(7)的上部形成由金属氧化物材料的透明导电膜构成的电流扩展层，其特征是，在上述接触层(7)和上述p型包层(6)之间，具有由至少2层或2层以上的缓冲层部构成并且邻接的缓冲层部彼此间的材料或组成不同的缓冲层。
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公开(公告)号：CN101901862A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010192307.8
申请日：2010-05-27
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/42
Abstract: 本发明提供半导体发光元件，能实现提高光取出效率。该半导体发光元件(20)具备IIIA-VA族化合物半导体层(21)的第二主表面侧形成金属反射膜(10)，半导体层(21)与支撑衬底(11)隔着金属反射膜(10)被接合，在半导体层(21)第一主表面上形成表面电极(13)，金属反射膜(10)在表面电极(13)的正下方以外的区域配置有欧姆接触接合部(9)，表面电极(13)具有表面侧接触部以及透明介电体反射部，半导体发光元件(20)的一边为320μm以下，表面电极(13)由多边形或圆形形成，表面电极(13)的外周长度为235μm～700μm，欧姆接触接合部配置于发光元件的外周部侧，欧姆接触接合部(9)以包围表面电极(13)、以从表面电极(13)的外缘部的各位置至最近的欧姆接触接合部(9)的距离相等的方式而配置。
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公开(公告)号：CN1976074A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610139303.7
申请日：2006-09-22
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L33/02 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供了高亮度、低驱动电压而且能在驱动半导体发光元件的过程中抑制光辐射输出随时间而降低以及驱动电压上升的半导体发光元件。本发明的半导体发光元件是，在半导体衬底(1)上形成至少由n型包层(4)、活性层(5)、p型包层(6)构成的发光部，在上述发光部的上部形成添加了高浓度的p型掺杂剂Zn的As系接触层(7)，再在上述接触层(7)的上部形成由金属氧化物材料的透明导电膜构成的电流扩展层，其特征是，在上述接触层(7)和上述p型包层(6)之间，具有由至少2层或2层以上的缓冲层部构成并且邻接的缓冲层部彼此间的材料或组成不同的缓冲层。
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公开(公告)号：CN1941444A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610159934.5
申请日：2006-09-26
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供除了高亮度和低驱动电压之外，能够抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。该半导体发光元件具有：在半导体衬底上形成的至少由n型包覆层、活性层和p型包覆层构成的发光部；在所述发光部上形成的、添加了大于等于1×1019/cm3的p型掺杂剂的As系接触层；在所述接触层7上形成的、由金属氧化物材料构成的电流扩展层；其中，在所述接触层和所述p型包覆层之间或者在所述p型包覆层中，形成了由V族元素的主要成分为P(磷)的未掺杂的III/V族半导体所构成的缓冲层。
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公开(公告)号：CN101820042A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010119537.1
申请日：2010-02-20
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/0079 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其能提高发光输出。发光元件(1)包括：具有第1半导体层、第2半导体层、在第1半导体层和第2半导体层之间的活性层(105)的半导体层叠结构(10)，具有设置在半导体层叠结构(10)的一个面上的中心电极、从中心电极外周开始延伸的细线电极的表面电极(110)，具有在半导体层叠结构(10)的另一个面的除了表面电极(110)的正下方以外的部分上沿着细线电极平行设置的、形成和细线电极之间最短电流通路的多个第1区域、连接多个第1区域的第2区域的接触部(120)；对于表面电极(110)，中心电极和接触部(120)之间最短电流通路比细线电极和第1区域之间最短电流通路更长，细线电极的端部和接触部之间最短电流通路具有细线电极和第1区域之间最短电流通路以上的长度。
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公开(公告)号：CN100428515C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200610159993.2
申请日：2006-09-29
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/025 , H01L33/30 , H01L33/42
Abstract: 本发明涉及一种除了高亮度和低驱动电压外，还能抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。所述半导体发光元件为在半导体衬底(1)上由晶体生长来至少形成n型包层(3)、活性层(4)、p型包层(5)、p型缓冲层(6)、p型接触层(7)，再在p型接触层上形成由ITO膜(8)构成的电流分散层的半导体发光元件，通过将Mg浓度为3.0×1017/cm3以下的低Mg浓度缓冲层(11)或不掺杂的缓冲层(12)做成以50nm以上的厚度设置到Mg掺杂的上述p型缓冲层中的一部分或全部上的结构，由此，可以有效抑制p型接触层(7)的掺杂剂Zn的扩散。
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