公开(公告)号：CN111668697B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202010128267.4

申请日：2020-02-28

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 佐藤恒辅 ,  岩谷素显 ,  安江信次 ,  荻野雄矢

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/34

Abstract: 提供高电流密度下的驱动中也不发生元件破坏的氮化物半导体元件。氮化物半导体元件具备由AlxGa(1‑x)N形成的氮化物半导体活性层和由Alx3Ga(1‑x3)N形成的组成变化层，该组成变化层与氮化物半导体活性层相比形成在更上部，且其Al组成比x3沿着远离氮化物半导体活性层的方向减少。组成变化层具有第一组成变化区域和第二组成变化区域，所述第一组成变化区域具有大于0nm且小于400nm的厚度，所述第二组成变化区域为与第一组成变化区域相比更远离氮化物半导体活性层的区域，在组成变化层的膜厚的厚度方向上的Al组成比x3的变化率大于第一组成变化区域，第一组成变化区域的Al组成比在膜厚的厚度方向上连续地变化。

公开(公告)号：CN109560178B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201811131759.8

申请日：2018-09-27

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 佐藤恒辅

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明涉及半导体发光装置及紫外线发光模块。该半导体发光装置具有：半导体发光元件，其形成在基板的一面上，且具有在俯视状态下相邻地形成的第一电极和多个第二电极；基体，其具有与一面相对的相对面，且在相对面形成有与第一电极相对应的第三电极和与多个第二电极相对应的第四电极；第一连接体，其将第一电极与第三电极电连接起来；以及第二连接体，其将多个第二电极与第四电极电连接起来。多个第二电极(100)的平面形状为带状，在俯视状态下，多个第二电极的宽度方向中心线实质上平行。在俯视状态下，以相对于多个第二电极的各自的宽度方向中心线的延长线(L2)实质上呈线对称的方式配置有偶数个第一连接体(102)。

公开(公告)号：CN113725732A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110309370.3

申请日：2021-03-23

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 佐藤恒辅 ,  岩谷素显

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/34

Abstract: 提供一种在高电流密度下的驱动中也没有元件破坏的氮化物半导体元件。氮化物半导体元件具备：活性层；形成于活性层的上方的电子阻挡层；形成于电子阻挡层的上方的AlGaN层；和覆盖AlGaN层的上表面的由AlGaN或GaN形成且Al组成比低于AlGaN层的覆盖层，AlGaN层具有在与活性层处于相反侧的表面设置的突出部，第二氮化物半导体层覆盖突出部。AlGaN层优选由AlGaN形成且Al组成比沿着从活性层离开的方向而减少，突出部优选为锥台形状。

公开(公告)号：CN305306892S

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201930085787.X

申请日：2019-03-04

Applicant: 旭化成株式会社

Designer： 佐藤恒辅

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：半导体元件。
2．本外观设计产品的用途：半导体元件。
3．本外观设计产品的设计要点：如各设计的主视图所示。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1主视图。
5．省略视图：各设计的右视图与左视图相同，仰视图与俯视图相同。
因此，省略各设计的右视图和仰视图。
6．指定基本设计：设计1。

公开(公告)号：CN304242302S

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201730098464.5

申请日：2017-03-29

Applicant: 旭化成株式会社

Designer： 佐藤恒辅

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：发光二极管。
2．本外观设计产品的用途：本产品是一种用于照明、测量器用光源、杀菌光源等的发光二极管，主视图所示侧面向基板侧安装在该基板上，从后视图所示侧向外部照射紫外线或可见光。
3．本外观设计产品的设计要点：如主视图所示。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。
5．省略视图：右视图与左视图对称，仰视图与俯视图对称，因此，省略右视图和仰视图。