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公开(公告)号：CN117043967A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280019469.2
申请日：2022-06-10
Applicant: 旭化成株式会社
Inventor： 佐藤恒辅
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明在辐射有对人体有害的紫外线光时能高效地检测出对人体有害的紫外线光而探测到危险。紫外线光收发装置(5)具备：光源(4)，其辐射出中心波长为220nm以上且小于230nm的光；滤波器(3)，其使220nm以上且小于230nm的波段的光衰减而使230nm以上且小于320nm的波长透过；以及光接收部(2)，其对220nm以上且小于230nm的波段和230nm以上且小于400nm的波段这两个波段中的光具有灵敏度，光接收部(2)具有灵敏度的频带中的至少一部分频带和滤波器(3)透过的光的频带重叠。滤波器(3)对于波长为220nm以上且小于230nm的光的透过率优选为对于波长为230nm以上且小于400nm的光的透过率的十分之一以下。
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公开(公告)号：CN109560178A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811131759.8
申请日：2018-09-27
Applicant: 旭化成株式会社
Inventor： 佐藤恒辅
Abstract: 本发明涉及半导体发光装置及紫外线发光模块。该半导体发光装置具有：半导体发光元件，其形成在基板的一面上，且具有在俯视状态下相邻地形成的第一电极和多个第二电极；基体，其具有与一面相对的相对面，且在相对面形成有与第一电极相对应的第三电极和与多个第二电极相对应的第四电极；第一连接体，其将第一电极与第三电极电连接起来；以及第二连接体，其将多个第二电极与第四电极电连接起来。多个第二电极(100)的平面形状为带状，在俯视状态下，多个第二电极的宽度方向中心线实质上平行。在俯视状态下，以相对于多个第二电极的各自的宽度方向中心线的延长线(L2)实质上呈线对称的方式配置有偶数个第一连接体(102)。
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公开(公告)号：CN110391320B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201910198413.8
申请日：2019-03-15
Applicant: 旭化成株式会社
Inventor： 佐藤恒辅
Abstract: 氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光装置。氮化物半导体发光元件(1)包括第一导电型的第一氮化物半导体层(12)；氮化物半导体层叠体，形成于所述第一氮化物半导体层上的一部分且包含氮化物半导体发光层及第二导电型的第二氮化物半导体层；第一电极，形成在第一氮化物半导体层；第二电极，形成在氮化物半导体层叠体的第二氮化物半导体层。第一电极(15a～15e)和第二电极(16a～16d)沿第一方向延伸。第一电极和第二电极沿俯视时与第一方向垂直的第二方向隔着间隔并列配置。被第二电极夹着的第一电极(15b～15d)的第二方向的尺寸(W2)大于未被第二电极夹着的第一电极(15a、15e)的第二方向的尺寸(W1)。
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公开(公告)号：CN110391320A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910198413.8
申请日：2019-03-15
Applicant: 旭化成株式会社
Inventor： 佐藤恒辅
Abstract: 氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光装置。氮化物半导体发光元件(1)包括第一导电型的第一氮化物半导体层(12)；氮化物半导体层叠体，形成于所述第一氮化物半导体层上的一部分且包含氮化物半导体发光层及第二导电型的第二氮化物半导体层；第一电极，形成在第一氮化物半导体层；第二电极，形成在氮化物半导体层叠体的第二氮化物半导体层。第一电极(15a～15e)和第二电极(16a～16d)沿第一方向延伸。第一电极和第二电极沿俯视时与第一方向垂直的第二方向隔着间隔并列配置。被第二电极夹着的第一电极(15b～15d)的第二方向的尺寸(W2)大于未被第二电极夹着的第一电极(15a、15e)的第二方向的尺寸(W1)。
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公开(公告)号：CN113745972A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110308651.7
申请日：2021-03-23
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: H01S5/343
Abstract: 提供一种氮化物半导体元件，其能够稳定地耐受高电流密度下的驱动而不会发生绝缘化。氮化物半导体元件具备活性层和由AlGaN形成的AlGaN层，所述AlGaN层与上述活性层相比形成在更上方，所述AlGaN层包含Mg、且Al组成比沿着从上述活性层离开的方向减少、且Al组成比大于0.2，上述AlGaN层具有第一AlGaN区域，所述第一AlGaN区域的上述Al组成比的组成倾斜率a1大于0Al％/nm且小于0.22Al％/nm、上述AlGaN层中的上述Mg的浓度b1大于0cm‑3且小于7.0×1019×a1‑2.0×1018cm‑3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113497406A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110300376.4
申请日：2021-03-22
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: 本发明提供降低了激光振荡的阈值电流密度的二极管作为经由使用蚀刻技术形成谐振器端面的工序得到的法布里‑珀罗型的半导体激光二极管。一种半导体激光二极管的制造方法，包含在基板上形成多个半导体激光二极管后按各半导体激光二极管分割基板的工序，该制造方法具有在基板上形成层叠体的工序；对层叠体蚀刻而分成成为谐振区域的部分和除此以外的部分的工序；使成为第二电极的层在层叠体的第二半导体层之上形成到谐振区域的谐振器端面与分割的工序中进行分割的位置之间的电极层形成工序；以及在电极层形成工序后同时或连续进行成为第二电极的层的在比谐振器端面靠外侧的位置形成的部分的去除和谐振器端面的形成的蚀刻工序。
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公开(公告)号：CN113497406B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202110300376.4
申请日：2021-03-22
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: 本发明提供降低了激光振荡的阈值电流密度的二极管作为经由使用蚀刻技术形成谐振器端面的工序得到的法布里‑珀罗型的半导体激光二极管。一种半导体激光二极管的制造方法，包含在基板上形成多个半导体激光二极管后按各半导体激光二极管分割基板的工序，该制造方法具有在基板上形成层叠体的工序；对层叠体蚀刻而分成成为谐振区域的部分和除此以外的部分的工序；使成为第二电极的层在层叠体的第二半导体层之上形成到谐振区域的谐振器端面与分割的工序中进行分割的位置之间的电极层形成工序；以及在电极层形成工序后同时或连续进行成为第二电极的层的在比谐振器端面靠外侧的位置形成的部分的去除和谐振器端面的形成的蚀刻工序。
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公开(公告)号：CN109309151B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201810813350.8
申请日：2018-07-23
Applicant: 旭化成株式会社
Inventor： 佐藤恒辅
Abstract: 本发明在不使制造工序增加的情况下以低成本提供一种在电阻不会过度地增大的前提下抑制了电流集中的氮化物半导体发光元件。构成氮化物半导体发光元件的台面部的平面形状是包含由曲线或多条直线形成的凸状顶端部(352b)和与凸状顶端部(352b)相连续的基部(352a)的形状，在由多条直线形成的凸状顶端部的情况下，由相邻的两条直线形成钝角。第一电极层(4)具有俯视时相对于台面部的外形线(302)隔开间隙(9)地沿着台面部的外形线(302)延伸的外形线(411、412)。位于凸状顶端部(352b)的间隙W1和位于基部(352a)的间隙W2的关系是W1＞W2。
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公开(公告)号：CN111668697A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010128267.4
申请日：2020-02-28
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: 提供高电流密度下的驱动中也不发生元件破坏的氮化物半导体元件。氮化物半导体元件具备由AlxGa(1-x)N形成的氮化物半导体活性层和由Alx3Ga(1-x3)N形成的组成变化层，该组成变化层与氮化物半导体活性层相比形成在更上部，且其Al组成比x3沿着远离氮化物半导体活性层的方向减少。组成变化层具有第一组成变化区域和第二组成变化区域，所述第一组成变化区域具有大于0nm且小于400nm的厚度，所述第二组成变化区域为与第一组成变化区域相比更远离氮化物半导体活性层的区域，在组成变化层的膜厚的厚度方向上的Al组成比x3的变化率大于第一组成变化区域，第一组成变化区域的Al组成比在膜厚的厚度方向上连续地变化。
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公开(公告)号：CN109309151A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810813350.8
申请日：2018-07-23
Applicant: 旭化成株式会社
Inventor： 佐藤恒辅
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38
Abstract: 本发明在不使制造工序增加的情况下以低成本提供一种在电阻不会过度地增大的前提下抑制了电流集中的氮化物半导体发光元件。构成氮化物半导体发光元件的台面部的平面形状是包含由曲线或多条直线形成的凸状顶端部(352b)和与凸状顶端部(352b)相连续的基部(352a)的形状，在由多条直线形成的凸状顶端部的情况下，由相邻的两条直线形成钝角。第一电极层(4)具有俯视时相对于台面部的外形线(302)隔开间隙(9)地沿着台面部的外形线(302)延伸的外形线(411、412)。位于凸状顶端部(352b)的间隙W1和位于基部(352a)的间隙W2的关系是W1＞W2。
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