-
公开(公告)号：CN113497406B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202110300376.4
申请日：2021-03-22
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: 本发明提供降低了激光振荡的阈值电流密度的二极管作为经由使用蚀刻技术形成谐振器端面的工序得到的法布里‑珀罗型的半导体激光二极管。一种半导体激光二极管的制造方法，包含在基板上形成多个半导体激光二极管后按各半导体激光二极管分割基板的工序，该制造方法具有在基板上形成层叠体的工序；对层叠体蚀刻而分成成为谐振区域的部分和除此以外的部分的工序；使成为第二电极的层在层叠体的第二半导体层之上形成到谐振区域的谐振器端面与分割的工序中进行分割的位置之间的电极层形成工序；以及在电极层形成工序后同时或连续进行成为第二电极的层的在比谐振器端面靠外侧的位置形成的部分的去除和谐振器端面的形成的蚀刻工序。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111668697A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010128267.4
申请日：2020-02-28
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: 提供高电流密度下的驱动中也不发生元件破坏的氮化物半导体元件。氮化物半导体元件具备由AlxGa(1-x)N形成的氮化物半导体活性层和由Alx3Ga(1-x3)N形成的组成变化层，该组成变化层与氮化物半导体活性层相比形成在更上部，且其Al组成比x3沿着远离氮化物半导体活性层的方向减少。组成变化层具有第一组成变化区域和第二组成变化区域，所述第一组成变化区域具有大于0nm且小于400nm的厚度，所述第二组成变化区域为与第一组成变化区域相比更远离氮化物半导体活性层的区域，在组成变化层的膜厚的厚度方向上的Al组成比x3的变化率大于第一组成变化区域，第一组成变化区域的Al组成比在膜厚的厚度方向上连续地变化。
-
公开(公告)号：CN111668697B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010128267.4
申请日：2020-02-28
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: 提供高电流密度下的驱动中也不发生元件破坏的氮化物半导体元件。氮化物半导体元件具备由AlxGa(1‑x)N形成的氮化物半导体活性层和由Alx3Ga(1‑x3)N形成的组成变化层，该组成变化层与氮化物半导体活性层相比形成在更上部，且其Al组成比x3沿着远离氮化物半导体活性层的方向减少。组成变化层具有第一组成变化区域和第二组成变化区域，所述第一组成变化区域具有大于0nm且小于400nm的厚度，所述第二组成变化区域为与第一组成变化区域相比更远离氮化物半导体活性层的区域，在组成变化层的膜厚的厚度方向上的Al组成比x3的变化率大于第一组成变化区域，第一组成变化区域的Al组成比在膜厚的厚度方向上连续地变化。
-
公开(公告)号：CN113725732A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110309370.3
申请日：2021-03-23
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: 提供一种在高电流密度下的驱动中也没有元件破坏的氮化物半导体元件。氮化物半导体元件具备：活性层；形成于活性层的上方的电子阻挡层；形成于电子阻挡层的上方的AlGaN层；和覆盖AlGaN层的上表面的由AlGaN或GaN形成且Al组成比低于AlGaN层的覆盖层，AlGaN层具有在与活性层处于相反侧的表面设置的突出部，第二氮化物半导体层覆盖突出部。AlGaN层优选由AlGaN形成且Al组成比沿着从活性层离开的方向而减少，突出部优选为锥台形状。
-
公开(公告)号：CN113745972A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110308651.7
申请日：2021-03-23
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: H01S5/343
Abstract: 提供一种氮化物半导体元件，其能够稳定地耐受高电流密度下的驱动而不会发生绝缘化。氮化物半导体元件具备活性层和由AlGaN形成的AlGaN层，所述AlGaN层与上述活性层相比形成在更上方，所述AlGaN层包含Mg、且Al组成比沿着从上述活性层离开的方向减少、且Al组成比大于0.2，上述AlGaN层具有第一AlGaN区域，所述第一AlGaN区域的上述Al组成比的组成倾斜率a1大于0Al％/nm且小于0.22Al％/nm、上述AlGaN层中的上述Mg的浓度b1大于0cm‑3且小于7.0×1019×a1‑2.0×1018cm‑3。
-
公开(公告)号：CN113497406A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110300376.4
申请日：2021-03-22
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: 本发明提供降低了激光振荡的阈值电流密度的二极管作为经由使用蚀刻技术形成谐振器端面的工序得到的法布里‑珀罗型的半导体激光二极管。一种半导体激光二极管的制造方法，包含在基板上形成多个半导体激光二极管后按各半导体激光二极管分割基板的工序，该制造方法具有在基板上形成层叠体的工序；对层叠体蚀刻而分成成为谐振区域的部分和除此以外的部分的工序；使成为第二电极的层在层叠体的第二半导体层之上形成到谐振区域的谐振器端面与分割的工序中进行分割的位置之间的电极层形成工序；以及在电极层形成工序后同时或连续进行成为第二电极的层的在比谐振器端面靠外侧的位置形成的部分的去除和谐振器端面的形成的蚀刻工序。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.017 seconds)
