公开(公告)号：CN111668697A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010128267.4

申请日：2020-02-28

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 佐藤恒辅 ,  岩谷素显 ,  安江信次 ,  荻野雄矢

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/34

Abstract: 提供高电流密度下的驱动中也不发生元件破坏的氮化物半导体元件。氮化物半导体元件具备由AlxGa(1-x)N形成的氮化物半导体活性层和由Alx3Ga(1-x3)N形成的组成变化层，该组成变化层与氮化物半导体活性层相比形成在更上部，且其Al组成比x3沿着远离氮化物半导体活性层的方向减少。组成变化层具有第一组成变化区域和第二组成变化区域，所述第一组成变化区域具有大于0nm且小于400nm的厚度，所述第二组成变化区域为与第一组成变化区域相比更远离氮化物半导体活性层的区域，在组成变化层的膜厚的厚度方向上的Al组成比x3的变化率大于第一组成变化区域，第一组成变化区域的Al组成比在膜厚的厚度方向上连续地变化。

公开(公告)号：CN111668697B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202010128267.4

申请日：2020-02-28

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 佐藤恒辅 ,  岩谷素显 ,  安江信次 ,  荻野雄矢

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/34

Abstract: 提供高电流密度下的驱动中也不发生元件破坏的氮化物半导体元件。氮化物半导体元件具备由AlxGa(1‑x)N形成的氮化物半导体活性层和由Alx3Ga(1‑x3)N形成的组成变化层，该组成变化层与氮化物半导体活性层相比形成在更上部，且其Al组成比x3沿着远离氮化物半导体活性层的方向减少。组成变化层具有第一组成变化区域和第二组成变化区域，所述第一组成变化区域具有大于0nm且小于400nm的厚度，所述第二组成变化区域为与第一组成变化区域相比更远离氮化物半导体活性层的区域，在组成变化层的膜厚的厚度方向上的Al组成比x3的变化率大于第一组成变化区域，第一组成变化区域的Al组成比在膜厚的厚度方向上连续地变化。