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公开(公告)号：CN1159759C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN96110805.3
申请日：1996-07-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L28/56
Abstract: 本发明内装于半导体集成电路中的使用强电介质膜或高介电常数的电介质膜的电容元件的制造方法具有：在衬底基片的一表面上形成由金属膜或导电性氧化膜构成的第1电极的工序、在第1电极上烧结形成主成分为强电介质或具有高介电常数的电介质构成的第1绝缘膜的工序、在该第1绝缘膜上热处理形成第2绝缘膜的工序，以及在该第2绝缘膜上形成由金属模或导电性氧化膜构成的第2电极的工序。
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公开(公告)号：CN1079585C
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN95106466.5
申请日：1995-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/8232
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/3105 , H01L21/76828
Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，该器件的构成包括：在表面形成集成电路的半导体基片，形成在该基片上且具有通达集成电路的第1通孔的第1绝缘膜，形成在第1绝缘膜上的电容元件，形成在第1绝缘膜上覆盖电容元件且具有分别通达上电极和下电极的第2通孔的第2绝缘膜，以及形成分别通过第1和第2通孔与集成电路和电容元件连接的电极布线。所述电容元件电介质膜的氢面密度在1011个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN1698157A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000212.4
申请日：2004-02-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J9/44
CPC classification number: H01J9/445 , H01J2217/49
Abstract: 本发明提供一种等离子体显示板的老化方法。在扫描电极和维持电极之间施加包含交变电压分量的电压从而进行老化放电的老化工序中，要点在于将用于抑制伴随老化放电而发生的消除放电的电压施加到扫描电极、维持电极、或者数据电极中的至少一个电极上。进而在伴随交替重复的老化放电而发生的消除放电中，仅抑制一方的消除放电。
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公开(公告)号：CN1627501A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410078515.X
申请日：1996-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L28/40
Abstract: 本发明揭示一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下列工序：在半导体基片上形成绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成由上电极、电容绝缘膜、以及下电极所组成的电容元件的工序，形成所述电容元件的工序包括下列工序：在所述绝缘膜上形成下电极膜的工序；通过蚀刻所述下电极膜形成所述下电极的工序；在所述下电极上形成由强电介质材料制成的电容绝缘膜的工序；在所述电容绝缘膜上形成上电极膜的工序；通过利用上电极形成用掩模对所述上电极膜进行蚀刻，形成所述上电极的工序；以及利用所述电容绝缘膜的端部比所述上电极端部大0.1μm以上的电容绝缘膜用掩模对所述电容绝缘膜进行干式蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN1082719C
公开(公告)日：2002-04-10
申请号：CN96107139.7
申请日：1996-06-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L28/55
Abstract: 本发明涉及内含以高介电常数电介质或强电介质作为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件制造方法，目的在于解决现有半导体器件内含的电容绝缘膜表面凹凸不平造成绝缘耐压低、电气特性误差大、配线断线问题，形成第一电介质膜后，在其上面沉积厚度超过其表面凸部与凹部落差的第二电介质膜，再在该第二电介质膜上面使其表面保持平整来沉积蚀刻速度与第二电介质膜蚀刻速度相等的薄膜，再同时蚀刻除去该薄膜全部和第二电介质膜的部分，使第二电介质膜表面成为平滑面，形成电容绝缘膜。
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