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公开(公告)号：CN101326537A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200680046510.6
申请日：2006-09-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06K19/0723 , G06K19/0701 , G06K19/0702 , H02J7/025 , H02J9/005 , H02J17/00 , H02J50/12 , H02J50/20 , H02J50/80
Abstract: 本发明提供一种非接触数据载体，当与读写器(1)之间进行无线通信时，在使用电平判定电路(9)判定为由非接触数据载体(4)的天线(5)接收到的接收信号(S2)的信号电平是预定的振幅以上，且利用计时器电路(10)确定为振幅是预定值以上的状态持续预定时间(T1)以上的时间点，开始来自电池(14)的电源(S4)的供给，并且，在使用该电平判定电路(9)判定为小于预定的振幅，且利用计时器电路(10)确定是振幅小于预定值的状态持续预定时间(T2)以上的时间点，停止来自电池(14)的电源(S4)的供给，从而确保非接触数据载体(4)的在实际应用上没有问题的通信可靠性，并且防止无用的电池消耗。
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公开(公告)号：CN101276227A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810084546.4
申请日：2008-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G05F3/16
Abstract: 本发明提供了一种基准电流电路，即使在使用具有非常低温度依存性的电阻的电阻器的情形下也能够降低基准电流的温度依存性。该基准电流电路包括：接收温度补偿的基准电压VBG并且在输出点处产生电压Vout1的非反相放大器电路110；电流源电路120，由通过电阻器连接到输出点的晶体管Q1和接收等于在Q1的端子间产生的电压VBE1的电压并且产生相应的电流的晶体管Q2。电路110(i)包括第三晶体管Q3，在它的端子间产生的电压VBE3具有与VBE1相同的温度特性，以及(ii)被构造为使得Vout1是(a)基于基准电压VBG的温度补偿电压成分和(b)等于电压VBE3的电压成分之和。
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公开(公告)号：CN1132246C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN97119623.0
申请日：1997-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C29/50016 , G11C11/22 , G11C29/50 , G11C2029/5002
Abstract: 在本发明的半导体存储器的加速试验方法中，求出在某个温度T1下的信息保持寿命时间t1等于另一个温度条件T2下的信息保持寿命时间t2的乘幂的关系式，t1＝t2m，而且用与玻尔兹曼因子成比例的温度的函数表示幂指数m。基于该关系式从某个温度T1下的信息保持寿命时间t1来计算另一个温度T2下的信息保持寿命时间t2。
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公开(公告)号：CN1079585C
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN95106466.5
申请日：1995-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/8232
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/3105 , H01L21/76828
Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，该器件的构成包括：在表面形成集成电路的半导体基片，形成在该基片上且具有通达集成电路的第1通孔的第1绝缘膜，形成在第1绝缘膜上的电容元件，形成在第1绝缘膜上覆盖电容元件且具有分别通达上电极和下电极的第2通孔的第2绝缘膜，以及形成分别通过第1和第2通孔与集成电路和电容元件连接的电极布线。所述电容元件电介质膜的氢面密度在1011个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN1075243C
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：CN95119333.3
申请日：1995-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L28/40 , H01L28/56
Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件及其制造方法。该方法包括：在基片上形成钛膜的粘接层，在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层，以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101326537B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200680046510.6
申请日：2006-09-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06K19/0723 , G06K19/0701 , G06K19/0702 , H02J7/025 , H02J9/005 , H02J17/00 , H02J50/12 , H02J50/20 , H02J50/80
Abstract: 本发明提供一种非接触数据载体，当与读写器(1)之间进行无线通信时，在使用电平判定电路(9)判定为由非接触数据载体(4)的天线(5)接收到的接收信号(S2)的信号电平是预定的振幅以上，且利用计时器电路(10)确定为振幅是预定值以上的状态持续预定时间(T1)以上的时间点，开始来自电池(14)的电源(S4)的供给，并且，在使用该电平判定电路(9)判定为小于预定的振幅，且利用计时器电路(10)确定是振幅小于预定值的状态持续预定时间(T2)以上的时间点，停止来自电池(14)的电源(S4)的供给，从而确保非接触数据载体(4)的在实际应用上没有问题的通信可靠性，并且防止无用的电池消耗。
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公开(公告)号：CN1203446C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN00121638.4
申请日：2000-06-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06K19/077
CPC classification number: G06K19/0701 , G06K19/0723 , H02M2001/0022 , H02M2001/0025
Abstract: 一种半导体集成电路，其驱动电源来自调制有数据的载波，该半导体集成电路的特征在于即使在所得到的电源电压已变为过电压时也能够正确地鉴别解调数据，并能够有效地利用载波提供的电源。该半导体集成电路包括：作为电源电路111的一个两电压整流器电路；控制用于解调数据的具有较高电压(VDDH)的电源不超过一定的电压值的一个稳压器电路112；一个电阻141；和一个电容器142。采用这种结构，作为参考电压输入到稳压器电路1121的电压随由幅度的变化引起的电压VDDH的变化而变化。
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公开(公告)号：CN1345088A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN01117608.3
申请日：1995-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/283 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L28/40 , H01L28/56
Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件的其制造方法。该方法包括:在基片上形成钛膜的粘接层,在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层,以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。
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公开(公告)号：CN1971758A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610146743.5
申请日：2006-11-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 本发明提供一种数据载体系统及其数据的保存恢复方法。其中，数据载体系统包括：作为铁电体存储器的第1存储器；第2存储器；极化消除电路，按照所给出的命令进行第1存储器的极化消除；以及控制电路，进行对第1存储器和第2存储器的数据存取和对极化消除电路的动作控制。这里，控制电路，在接收到第1命令时，将存储在第1存储器的数据保存到第2存储器中，然后向极化消除电路发出极化消除命令；另一方面，在接收到第2命令时，将保存在第2存储器中的数据写回第1存储器。
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公开(公告)号：CN1180465C
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN01117608.3
申请日：1995-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/283 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L28/40 , H01L28/56
Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件的其制造方法。该方法包括：在基片上形成钛膜的粘接层，在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层，以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。
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