公开(公告)号：CN1498931A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310104711.5

申请日：2003-10-31

申请人： JSR株式会社 ,  株式会社东芝

发明人： 西元和男 ,  坂野达章 ,  竹村彰浩 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫 ,  宫下直人 ,  重田厚 ,  松井嘉孝 ,  井田和彦

IPC分类号： C09G1/04

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02024

摘要： 本发明提供了一种使所要抛光的表面平面化和具有高储存稳定性的用于化学机械抛光的水分散体，一种在抛光不同材料的表面时具有优异的选择性的化学机械抛光工艺，和一种半导体设备生产工艺。第一水分散体包含水溶性季铵盐，无机酸盐，磨料颗粒和水介质。第二水分散体包含至少一种水溶性季铵盐，非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物，无机酸盐，水溶性聚合物，磨料颗粒和水介质。第二水分散体由通过将水溶性季铵盐和无机酸盐混入水介质而得到的第一水分散体材料(I)，和通过将水溶性聚合物和非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物混入水介质而得到的第二水分散体材料(II)组成。磨料颗粒包含在至少一种水分散体材料中。

公开(公告)号：CN1444259A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03119529.6

申请日：2003-03-10

申请人： 株式会社东芝

发明人： 松井嘉孝 ,  小寺雅子

IPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/02071 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76883

摘要： 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包含以下工序：在半导体衬底上形成将包含Ti或Ta的阻挡层金属以及铜布线露出表面的结构，或在半导体衬底上形成将Ti、W、及Cu中的至少一个、以及Al露出表面的布线结构，向所述结构或布线结构的表面供给溶解了氢气的氢溶存溶液。

公开(公告)号：CN1405838A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN02131623.6

申请日：2002-09-11

申请人： 株式会社东芝

发明人： 小寺雅子 ,  松井嘉孝

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

摘要： 半导体装置的制造方法，包含：准备具备半导体基片、p型半导体层、n型半导体层、被形成在半导体基片上的具有多个开口的绝缘膜、被形成在上述开口内以及上述绝缘膜上的导体的基体，在研磨衬垫表面与基体的器件面接触的状态下，一边向该研磨衬垫和该基体之间提供膏剂，一边进行化学式机械研磨，除去绝缘膜上的导体，在上述多个开口内分别形成配线，在使上述基体的器件面和上述研磨衬垫表面接触的状态下，在该研磨衬垫和该基体之间，提供从由阳极水、使水溶解具有酸性的气体的第1溶液、使水含有游离原子·分子的第2溶液、阴极水，以及使水溶解具有还原性的气体的第3溶液组成的组中选择出的至少1种液体，解除上述研磨衬垫对上述基体的紧密接触。