公开(公告)号：CN100366694C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200310104711.5

申请日：2003-10-31

申请人： JSR株式会社 ,  株式会社东芝

发明人： 西元和男 ,  坂野达章 ,  竹村彰浩 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫 ,  宫下直人 ,  重田厚 ,  松井嘉孝 ,  井田和彦

IPC分类号： C09G1/04

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02024

摘要： 本发明提供了一种使所要抛光的表面平面化和具有高储存稳定性的用于化学机械抛光的水分散体，一种在抛光不同材料的表面时具有优异的选择性的化学机械抛光工艺，和一种半导体设备生产工艺。第一水分散体包含水溶性季铵盐，无机酸盐，磨料颗粒和水介质。第二水分散体包含至少一种水溶性季铵盐，非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物，无机酸盐，水溶性聚合物，磨料颗粒和水介质。第二水分散体由通过将水溶性季铵盐和无机酸盐混入水介质而得到的第一水分散体材料(I)，和通过将水溶性聚合物和非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物混入水介质而得到的第二水分散体材料(II)组成。磨料颗粒包含在至少一种水分散体材料中。

公开(公告)号：CN1498931A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310104711.5

申请日：2003-10-31

申请人： JSR株式会社 ,  株式会社东芝

发明人： 西元和男 ,  坂野达章 ,  竹村彰浩 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫 ,  宫下直人 ,  重田厚 ,  松井嘉孝 ,  井田和彦

IPC分类号： C09G1/04

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02024

摘要： 本发明提供了一种使所要抛光的表面平面化和具有高储存稳定性的用于化学机械抛光的水分散体，一种在抛光不同材料的表面时具有优异的选择性的化学机械抛光工艺，和一种半导体设备生产工艺。第一水分散体包含水溶性季铵盐，无机酸盐，磨料颗粒和水介质。第二水分散体包含至少一种水溶性季铵盐，非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物，无机酸盐，水溶性聚合物，磨料颗粒和水介质。第二水分散体由通过将水溶性季铵盐和无机酸盐混入水介质而得到的第一水分散体材料(I)，和通过将水溶性聚合物和非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物混入水介质而得到的第二水分散体材料(II)组成。磨料颗粒包含在至少一种水分散体材料中。

公开(公告)号：CN1212651C

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN02144068.9

申请日：2002-09-29

申请人： 株式会社东芝

发明人： 松井嘉孝 ,  小助川広志 ,  小寺雅子 ,  宫下直人

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/465 ,  C25F3/16 ,  C25F7/00

CPC分类号： C25F3/00 ,  H01L21/32115

摘要： 通过在电解液内在阳电极与反电极之间施加电压，同时使所述阳电极与靶材料的表面接触，电解抛光靶材料。阳电极由一种电极材料形成，在使用恒电势器的电化学测量中，在0.1M的高氯酸溶液内，相对于银/氯化银电极，施加+2.5V电压时，该电极材料具有不高于10mA/cm2的电流密度。

公开(公告)号：CN1222985C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN02153589.2

申请日：2002-11-26

申请人： 株式会社东芝

发明人： 中村賢朗 ,  宫下直人 ,  依田孝 ,  奥村勝弥

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/304 ,  B24B9/065 ,  B24B21/002 ,  B24B21/06 ,  H01L21/321 ,  Y10S134/902

摘要： 在半导体装置的制造时，在基片的表面上形成元件的一部分，利用研磨体研磨上述基片的至少周边部分，该研磨体被从上述周边部分向上述基片面内方向撑开设置，使得研磨面与上述周边部分的被研磨表面滑动接触。

公开(公告)号：CN1421903A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02153589.2

申请日：2002-11-26

申请人： 株式会社东芝

发明人： 中村賢朗 ,  宫下直人 ,  依田孝 ,  奥村勝弥

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/304 ,  B24B9/065 ,  B24B21/002 ,  B24B21/06 ,  H01L21/321 ,  Y10S134/902

摘要： 在半导体装置的制造时，在基片的表面上形成元件的一部分，利用研磨体研磨上述基片的至少周边部分，该研磨体被从上述周边部分向上述基片面内方向撑开设置，使得研磨面与上述周边部分的被研磨表面滑动接触。

公开(公告)号：CN1411039A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02144068.9

申请日：2002-09-29

申请人： 株式会社东芝

发明人： 松井嘉孝 ,  小助川広志 ,  小寺雅子 ,  宫下直人

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/465 ,  C25F3/16 ,  C25F7/00

CPC分类号： C25F3/00 ,  H01L21/32115

摘要： 通过在电解液内在阳电极与反电极之间施加电压，同时使所述阳电极与靶材料的表面接触，电解抛光靶材料。阳电极由一种电极材料形成，在使用恒电势器的电化学测量中，在0.1M的高氯酸溶液内，相对于银/氯化银电极，施加+2.5V电压时，该电极材料具有不高于10mA/cm2的电流密度。