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公开(公告)号：CN111418266A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880077377.3
申请日：2018-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 抑制显示面板的显示不均匀。提供一种像素的开口率高的显示面板。该显示面板包括第一像素电极、第二像素电极、第三像素电极、第一发光层、第二发光层、第三发光层、第一公共层、第二公共层、公共电极以及辅助布线。第一公共层位于第一像素电极及第二像素电极上。第一公共层具有与第一发光层重叠的部分以及与第二发光层重叠的部分。第二公共层位于第三像素电极上。第二公共层具有与第三发光层重叠的部分。公共电极具有隔着第一公共层及第一发光层与第一像素电极重叠的部分、隔着第一公共层及第二发光层与第二像素电极重叠的部分、隔着第二公共层及第三发光层与第三像素电极重叠的部分、以及与辅助布线的顶面接触的部分。
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公开(公告)号：CN101401209A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008401.X
申请日：2007-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/28 , H01L29/786 , H01L27/10 , H01L51/05
CPC classification number: H01L27/13 , H01L27/101
Abstract: 本发明的一个目的在于减少各存储元件性态的变化。此外，本发明的另一个目的是获得其上装有存储元件的、性能和可靠性方面优越的半导体器件。本发明的存储元件在其结构中包括第一导电层、半导体层、有机化合物层、以及第二导电层，其中半导体层和有机化合物层夹在第一导电层和第二导电层之间，且半导体层被形成为与第一导电层和/或第二导电层相接触。使用这种结构，各存储元件性态中的变化减少。
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公开(公告)号：CN1897775A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610121268.6
申请日：2006-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/326 , H01L51/5052 , H01L51/5092 , H01L51/5265
Abstract: 在没有诸如电压和发光效率降低的不利后果下，改善了发光元件的色纯度。该发光元件含有发光层叠体，其包括在一对电极之间的发光层。缓冲层设置为与至少一个电极接触。电极中的一个为具有高反射率的电极，而另一个为半透明电极。通过提供半透明电极，光可以透过并被反射。电极之间的光学距离根据缓冲层的厚度调整，因此，光可以在电极之间共振。所述缓冲层由包含有机化合物和金属化合物的复合材料制成，因此，即使电极间的距离变大，发光元件的电压和发光效率也不会受到影响。
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公开(公告)号：CN118402335A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280082608.6
申请日：2022-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/122 , G09F9/00 , G09F9/30 , H10K50/805 , H10K71/00 , H10K102/20
Abstract: 提供一种可靠性高的显示装置的制造方法。形成第一导电膜，在第一导电膜上形成包含第一发光物质的第一膜，在第一膜上形成第一掩模膜，加工第一导电膜、第一膜及第一掩模膜来以各侧面大致对齐的方式形成第一导电层、第一层及第一掩模层，在第一掩模层及第一侧壁绝缘层上形成第二导电膜，在第二导电膜上形成包含第二发光物质的第二膜，在第二膜上形成第二掩模膜，加工第二导电膜、第二膜及第二掩模膜来以各侧面大致对齐的方式形成第二导电层、第二层及第二掩模层且使第一掩模层的顶面露出。
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公开(公告)号：CN111418266B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201880077377.3
申请日：2018-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/26 , H05B33/02 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/28 , G09F9/30 , H10K59/35 , H10K59/12 , H10K59/131 , H10K59/18 , H10K71/16 , H10K71/60 , H10K77/10 , H10K50/15 , H10K50/16 , H10K50/17 , H10K50/18
Abstract: 公共层及第三发光层与第三像素电极重叠的部抑制显示面板的显示不均匀。提供一种像素 分、以及与辅助布线的顶面接触的部分。的开口率高的显示面板。该显示面板包括第一像素电极、第二像素电极、第三像素电极、第一发光层、第二发光层、第三发光层、第一公共层、第二公共层、公共电极以及辅助布线。第一公共层位于第一像素电极及第二像素电极上。第一公共层具有与第一发光层重叠的部分以及与第二发光层重叠的部分。第二公共层位于第三像素电极上。第二公共层具有与第三发光层重叠的部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117501808A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202280041854.7
申请日：2022-06-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/24
Abstract: 提供一种高清晰显示装置。该显示装置包括第一发光器件、与第一发光器件相邻的第二发光器件、与第二发光器件相邻的第三发光器件、第一绝缘层以及第二绝缘层，第一绝缘层具有第一发光器件与第二发光器件之间的第一区域以及第二发光器件与第三发光器件之间的第二区域，第二绝缘层具有位于第三发光器件所包括的下部电极上的区域，第三发光器件所包括的第三有机化合物层的厚度与第一发光器件所包括的第一有机化合物层的厚度不同，第三发光器件所包括的第三有机化合物层的厚度与第二发光器件所包括的第二有机化合物层的厚度不同，在从截面看时，第一绝缘层以使离第三发光器件的下部电极的底面的高度与离第二发光器件的下部电极的底面的高度相同的方式设置。
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公开(公告)号：CN111223407A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010073306.5
申请日：2015-11-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
Abstract: 本发明提供一种适于大型化的显示系统及显示装置。该显示系统包括第一显示面板、第二显示面板、检测装置以及补偿装置。第一显示面板包括第一显示区域。第二显示面板包括第二显示区域。第一显示区域与第二显示区域包括它们彼此重叠的第一区域。检测装置具有检测第一区域的尺寸的功能。补偿装置具有根据第一区域的尺寸变化补偿第一显示区域上显示的图像的功能。
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公开(公告)号：CN111033602A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880053292.1
申请日：2018-08-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/40 , G09F9/30 , G09F9/46 , H01L27/32 , H05B33/22 , H05B33/26 , H01L51/50 , H05B33/04 , H05B33/12 , H05B33/14
Abstract: 提供一种包括接缝不容易被看到的显示区域的显示装置。本发明的一个方式是一种包括第一显示面板及第二显示面板的显示装置。第一显示面板具有第一显示区域及使可见光透过的区域。第二显示面板具有第二显示区域。第一显示区域相邻于使可见光透过的区域。第一显示区域包括第一发光元件及第二发光元件。第一发光元件所包括的第一公共电极具有与第二发光元件所包括的第二公共电极接触的部分。第一公共电极具有反射可见光的功能。第二公共电极具有使可见光透过的功能。第二发光元件比第一发光元件更靠近使可见光透过的区域。第二显示区域具有与第二发光元件重叠的部分及使可见光透过的区域。
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公开(公告)号：CN106663396A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580042721.1
申请日：2015-08-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供适合于大型化的显示装置、显示不均匀得到抑制的显示装置、或者能够在曲面上显示图像的显示装置。该显示装置包括第一显示面板、第二显示面板、第一粘合层以及衬底。第一和第二显示面板包括第一区域、第二区域以及阻挡层。阻挡层包括与第一区域重叠的部分以及与第二区域重叠的部分。第一区域包括使可见光透射的区域。第二区域能够显示图像。阻挡层包含无机绝缘材料且包括与第一粘合层接触的区域以及厚度为10nm至2μm的区域。该显示装置包括衬底、第一粘合层、第二显示面板的第一区域和第一显示面板的第二区域彼此重叠的区域。
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公开(公告)号：CN102637830B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210029202.X
申请日：2012-02-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5218 , H01L51/5036 , H01L51/5265
Abstract: 本发明涉及发光元件、显示装置、照明装置、及其制造方法。公开了一种发光元件，包括第一电极、透射光的第二电极、以及插入在第一电极和第二电极之间的发光层。所述第一电极包括能够反射光的第一导电层、设置在所述第一导电层上的并且包括钛的第二导电层、以及透射光并且包括金属氧化物的第三导电层，所述金属氧化物的功函数高于所述第一导电层的功函数。
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