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公开(公告)号:CN102898149A
公开(公告)日:2013-01-30
申请号:CN201210260119.3
申请日:2012-07-25
Applicant: 株式会社大赛璐
IPC: C04B35/632
Abstract: 本发明提供用于制造叠层陶瓷部件的溶剂或溶剂组合物,该溶剂或溶剂组合物包含于糊料中,在叠层陶瓷部件制造工序中,通过将所述糊料涂布在具有被涂布面的部件上形成布线或涂膜,该溶剂或溶剂组合物对所述糊料中含有的粘合剂树脂的溶解性优异,并能够迅速溶解,且不溶解形成被涂布面部件的粘合剂树脂,即不引起片侵蚀现象,并且能够在低温干燥条件下迅速干燥。本发明的用于制造叠层陶瓷部件的溶剂或溶剂组合物,含有下述式(1)(式中,R1、R2相同或不同,表示直链状、支链状或含有环状结构的烷基,R1、R2中的至少一个为含有环状结构的烷基。A表示亚烷基。n为1或2)所示的化合物。【化学式1】。
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公开(公告)号:CN115135640B
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202080096972.9
申请日:2020-02-19
Applicant: 株式会社大赛璐 , 国立大学法人东京大学
IPC: C07D307/77 , C07D333/50 , C07D409/14 , C07D417/14 , H01L21/336 , H01L29/786 , H10K85/60 , H10K10/46 , H10K101/30
Abstract: 本发明提供化学稳定性优异、对溶剂具有高溶解性、且显示出优异的载流子迁移率的化合物。所述化合物为下述式(1)表示的化合物。[式(1)中,X1、X2、X3、R1~R10如说明书中所定义。]#imgabs0#
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公开(公告)号:CN108475728B
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN201680075383.6
申请日:2016-12-13
Applicant: 株式会社大赛璐 , 国立大学法人东京大学
Abstract: 本发明提供有机半导体材料的溶解性优异、可以在低温环境中利用印刷法而形成具有高载流子迁移率的组合物。本发明的有机半导体器件制造用组合物含有下述有机半导体材料和溶剂(A),有机半导体材料:N字型稠环π共轭系分子;溶剂(A):下述式(a)所示的化合物,式中,L表示单键、‑O‑、‑NH‑C(=O)‑NH‑、‑C(=O)‑或‑C(=S)‑,k表示0~2的整数,R1表示C1‑20烷基、C2‑20烯基、C3‑20环烷基、‑ORa基、‑SRa基、‑O(C=O)Ra基、‑RbO(C=O)Ra基、或取代或无取代氨基,t表示1以上的整数。
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公开(公告)号:CN109314186A
公开(公告)日:2019-02-05
申请号:CN201780034357.3
申请日:2017-05-17
Applicant: 株式会社大赛璐
CPC classification number: H01L51/05
Abstract: 本发明提供可形成稳定而具有高的载流子迁移率的有机半导体器件的有机半导体器件制造用组合物。有机半导体器件制造用组合物,其含有作为溶剂的2,3-二氢苯并呋喃及下述有机半导体材料,溶剂的含水率为0.25重量%以下。有机半导体材料:选自下组中的至少一种化合物:下述式(1-1)所示的化合物、下述式(1-2)所示的化合物、下述式(1-3)所示的化合物、下述式(1-4)所示的化合物、下述式(1-5)所示的化合物及下述式(1-6)所示的化合物(式中,X1、X2相同或不同,为氧原子、硫原子或硒原子。m为0或1。n1、n2相同或不同,为0或1。R1、R2相同或不同,为氟原子、C1-20烷基、C6-13芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基,其中,上述烷基含有的氢原子中的1个或2个以上任选被氟原子取代,上述芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基及噻唑基含有的氢原子中的1个或2个以上任选被氟原子或碳原子数1~10的烷基取代)。
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公开(公告)号:CN108475728A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201680075383.6
申请日:2016-12-13
Applicant: 株式会社大赛璐 , 国立大学法人东京大学
CPC classification number: H01L51/05
Abstract: 本发明提供有机半导体材料的溶解性优异、可以在低温环境中利用印刷法而形成具有高载流子迁移率的组合物。本发明的有机半导体器件制造用组合物含有下述有机半导体材料和溶剂(A),有机半导体材料:N字型稠环π共轭系分子;溶剂(A):下述式(a)所示的化合物,式中,L表示单键、-O-、-NH-C(=O)-NH-、-C(=O)-或-C(=S)-,k表示0~2的整数,R1表示C1-20烷基、C2-20烯基、C3-20环烷基、-ORa基、-SRa基、-O(C=O)Ra基、-RbO(C=O)Ra基、或取代或无取代氨基,t表示1以上的整数。
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公开(公告)号:CN115461415B
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202180031352.1
申请日:2021-04-27
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社大赛璐
IPC: C08L101/12 , H01B1/12
Abstract: 本申请提供一种具有高导电性的导体材料。本公开的导体材料具有将掺杂剂掺杂进在侧链具有含杂原子的电子供给性基团的共轭高分子化合物而成的构成,该掺杂剂包含选自氮阴离子、硼阴离子、磷阴离子、以及锑阴离子中的阴离子和抗衡阳离子。作为所述阴离子,优选下述式(1)所示的阴离子。下述式(1)中,R1、R2相同或不同,表示电子吸引性基团。R1、R2任选地彼此键合而与邻接的氮原子共同形成环。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN113692653A
公开(公告)日:2021-11-23
申请号:CN202080028862.9
申请日:2020-04-06
Applicant: 株式会社大赛璐
IPC: H01L51/30 , C07D307/79 , C07D471/04 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
Abstract: 本发明提供能够将具有刚性的主链骨架的有机半导体材料以最适于单晶形成工艺的溶质浓度进行油墨化的有机半导体器件制造用油墨组合物。该有机半导体器件制造用油墨组合物含有选自下述2,3‑二氢苯并呋喃化合物(A)中的至少一种溶剂、和至少一种溶质。2,3‑二氢苯并呋喃化合物(A)为下述式(a)表示的化合物。式(a)中,R1、R2、R3、R4、R5及R6参见说明书中的定义。
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公开(公告)号:CN112771684A
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN201980061317.7
申请日:2019-09-12
Applicant: 株式会社大赛璐
IPC: H01L51/40 , C09D11/00 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够将具有刚性的主链骨架的有机半导体材料以最适于单晶形成工艺的溶质浓度进行油墨化的有机半导体器件制造用油墨组合物。本发明的有机半导体器件制造用油墨组合物含有选自下述萘化合物(A)中的至少一种溶剂、和至少一种溶质。相对于萘化合物(A)(100%),萘化合物(A)的异构体的含量以通过气相色谱法得到的峰面积的比例计优选为2%以下。萘化合物(A):下述式(a)表示的化合物[式(a)中,R的定义参见说明书]。
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公开(公告)号:CN105659404B
公开(公告)日:2020-02-07
申请号:CN201480057473.3
申请日:2014-11-13
Applicant: 株式会社大赛璐
IPC: H01L51/30 , C07C43/184 , C07C43/205 , C07C49/403 , C07C211/35 , C07D307/79 , C08G61/12 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
Abstract: 本发明提供有机半导体材料的溶解性优异、能够形成结晶性高的有机晶体管的有机晶体管制造用溶剂。本发明的有机晶体管制造用溶剂包含1种或2种以上的下述式(a)所示的溶剂A。式中,环Z表示选自芳香族碳环、5~7元脂环式碳环及5~7元杂环中的环。R1表示选自氧代基、硫代基、‑ORa基、‑SRa基、‑O(C=O)Ra基、‑RbO(C=O)Ra基、及取代或无取代氨基中的基团,R2表示选自氢原子、C1‑7烷基、芳基、及‑ORa基中的基团。R1与R2也可以相互键合并与构成环Z的碳原子共同形成环。
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公开(公告)号:CN104364926B
公开(公告)日:2018-11-13
申请号:CN201380029735.0
申请日:2013-06-03
Applicant: 株式会社大赛璐
IPC: H01L51/40 , H01L21/368 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明提供有机晶体管制造用溶剂或溶剂组合物,其对有机半导体材料的溶解性优异,能够形成结晶性高的有机晶体管。本发明的有机晶体管制造用溶剂或溶剂组合物为有机半导体材料溶解用的溶剂或溶剂组合物,其含有下述式(A)所示的溶剂A。式(A)中,R1~R4相同或不同,为C1‑2的烷基,R1与R4可以相互键合,与式中的‑N(R2)‑C(=O)‑N(R3)‑一起形成环。
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