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公开(公告)号：CN110088887A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201880005600.3
申请日：2018-11-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , C23C14/50 , H01L21/285 , H02N13/00
Abstract: 一边使电介质的吸附对象物竖立设置一边使导电性薄膜生长。在吸附板14的上部设置的第一区域21配置第一正负电极31、41，在旋转轴线10和第一区域21之间设置的第二区域配置与第一正负电极31、41相比宽度广且间隔也广的第二正负电极32、42。一边向第一正负电极31、41施加第一电压而利用梯度力吸附电介质的吸附对象物一边使吸附板14从横向设置姿势变为竖立设置姿势，一边向第二正负电极32、42施加第二电压一边在吸附对象物8的表面使导电性薄膜生长。吸附对象物8持续被吸附，因此，不会从吸附板14脱落。在利用静电力开始吸附之后，当向吸附对象物和吸附板14之间导入热介质气体时，能够进行吸附对象物的温度控制。
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公开(公告)号：CN116745458A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202280011677.8
申请日：2022-03-18
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/00
Abstract: 本发明提供一种在维持真空气氛的状态下能够尽量排除带入的颗粒的真空处理装置。具有真空室(1、2)，其设置有处理单元(4)，在真空室上连接真空泵(15)，且在真空室内安装有台架(3)；具备摆动机构，基板(Sw)与处理单元对置地被实施处理的台架的姿态为第一姿态，以实施处理时以外的台架的姿态为第二姿态，该摆动机构使台架在第一姿态与第二姿态间摆动；还具备在真空室内向台架喷射惰性气体的喷射机构(5)，喷射机构构成为可在第一流量和第二流量之间进行流量切换，所述第一流量能在使真空室内为规定压力的真空气氛的状态下喷飞附着在台架和基板中的至少一方上的颗粒，所述第二流量可将因喷飞而在真空室内扩散的颗粒向真空泵移送。
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公开(公告)号：CN113056573B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202080006532.X
申请日：2020-03-24
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 均匀地对溅射靶（14）进行溅射。在阴极电极（21）的单面配置有溅射靶（14），在相反的一侧的面平行地配置有多个磁铁装置（301、311~314、302）。在磁铁装置（301、311~314、302）的两端配置有可变磁场（47），所述可变磁场（47）具有将基础磁力部（71）形成的磁场和电磁铁部（73）形成的磁场合成后的磁场，通过控制在电磁铁部（73）中流动的励磁电流的朝向和大小，从而控制在电磁铁部（73）形成的磁极的极性和磁场强度，使可变磁铁（47）形成的磁场强度由于进行了溅射的成膜对象物（13）的增加而变小，从而使溅射面（24）上的磁场强度固定。
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公开(公告)号：CN111511956B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201980007085.7
申请日：2019-06-12
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/00
Abstract: 本发明提供能够抑制在真空处理时从配置于放电空间的防附着部件产生的微粒的技术。本发明是防止在真空处理时产生的物质向真空槽内附着的防附着部件(30)，具备框状的防附着主体部件(10)和保持防附着主体部件(10)的保持部件(20)。防附着主体部件(10)具有在基板的周围设置的板状的第一至第四构成部件1‑4，并且第一至第四构成部件1‑4在与真空槽内的放电空间相向的面相反侧的面上分别设有第一至第四勾挂部，第一至第四勾挂部用于勾挂并安装于在保持部件(20)设置的第一至第四钩部。
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公开(公告)号：CN113939903A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202080040321.8
申请日：2020-06-04
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , C23C14/34 , C23C14/54 , C23C14/50
Abstract: 本发明提供一种在使用冷却用气体冷却基板的吸附装置中防止冷却用气体的泄漏从而提高基板的冷却效率的技术。在本发明中，升降构件(15)构成为在不支承基板(10)的状态下，连结部(15a)配置在贯通孔(52)的引导部(53)内，并且基板支承部(15b)配置在贯通引导孔(52)的收容部(54)内。在升降构件(15)的连结部(15a)与基板支承部(15b)之间设有O形环(17)，通过与设置在贯通引导孔(52)的收容部(54)的支承壁部(55)密合地支承该O型环而将贯通引导孔(52)的收容部(54)相对于引导部(53)密封。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107110793B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN201580065522.2
申请日：2015-11-30
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: G01N21/958
Abstract: 一种基板监视装置，具备：摄像部(27)，其具有指定的摄像范围；配置部(26a)，其在摄像范围内配置基板(S)；照射部(29)，其构成为通过对配置于摄像范围内的基板(Sc(Se1))照射激光光线(L)，从而在基板的端部(So(Se1))产生激光光线的反射光及散射光的至少一方，而将端部(Se1)的影像形成于摄像部(27)的受光面；以及监视部，其监视摄像部(27)的摄像结果。
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公开(公告)号：CN107110793A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580065522.2
申请日：2015-11-30
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: G01N21/958
CPC classification number: G01N21/958
Abstract: 一种基板监视装置，具备：摄像部(27)，其具有指定的摄像范围；配置部(26a)，其在摄像范围内配置基板(S)；照射部(29)，其构成为通过对配置于摄像范围内的基板(Sc(Se1))照射激光光线(L)，从而在基板的端部(So(Se1))产生激光光线的反射光及散射光的至少一方，而将端部(Se1)的影像形成于摄像部(27)的受光面；以及监视部，其监视摄像部(27)的摄像结果。
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公开(公告)号：CN117898027A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202380013408.X
申请日：2023-03-14
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H05H1/46 , H01J37/20 , C23C14/00 , C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明的目的在于抑制微粒向真空处理装置内的侵入。为了实现上述目的，本发明的一个方式的真空处理装置具有真空容器、带电粒子产生源、排气机构、微粒去除机构。上述带电粒子产生源在内部生成带电粒子。上述排气机构将上述真空容器内的气体排气。上述微粒去除机构包括中间槽，上述中间槽配置于上述真空容器与上述带电粒子产生源之间并将上述真空容器和上述带电粒子产生源连结，通过气体气流将上述带电粒子产生源所产生的微粒在上述真空容器前排出至上述中间槽之外。
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公开(公告)号：CN116802787A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202280012858.2
申请日：2022-05-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种基板保持装置，其能够不损害提高被处理基板和环状壁的密封性这一功能地顺利排出辅助气体。基板保持装置(SH)具备：基座(6)，其突出设置有与被处理基板(Sw)的外周边部抵接的第一环状壁(61)和配置在该第一环状壁内侧的第二环状壁(62)；面压施加机构(51)，其朝向第一和第二的各环状壁对分别与第一和第二的各环状壁抵接的被处理基板施加面压；以及气体导入机构(71、72、71a、72a)，其向由被处理基板与第一和第二的各环状壁划分的基座内的外侧空间(63)、由被处理基板与第二环状壁划分的基座内的内侧空间(64)中导入规定的气体，使外侧空间和内侧空间分别呈气体气氛。在第二环状壁上形成有连通外侧空间和内侧空间的连通路径(62a)，其具有能够实现外侧空间和内侧空间的气体气氛分离的流导值。
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公开(公告)号：CN115398029A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180024562.8
申请日：2021-09-13
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的溅射装置具备：真空腔室、阴极、靶、基板保持部和摆动部。摆动部具有：沿摆动方向延伸的摆动轴；摆动驱动部，用于使所述基板保持部在所述摆动轴的轴线方向上摆动；以及旋转驱动部，设置于所述摆动轴且用于使所述摆动轴转动。旋转驱动部能够使所述基板保持部在水平载置位置和铅直处理位置之间进行旋转动作，所述水平载置位置是载置及取出位于大致水平方向位置的所述被处理基板的位置，所述铅直处理位置是以沿大致铅直方向的方式立起所述被处理基板的被处理面后的位置。所述摆动部具备配置在所述被处理基板的周围且与所述基板保持部同步摆动的防沉积板。
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