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公开(公告)号:CN101330093B
公开(公告)日:2011-11-16
申请号:CN200810125333.1
申请日:2008-06-20
Applicant: 株式会社船井电机新应用技术研究所 , 船井电机株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , B82Y10/00 , G11C13/003 , G11C2213/76 , H01L27/2418 , H01L45/04 , H01L45/124
Abstract: 本发明公开了一种存储元件阵列,包括排列成阵列的多个存储元件,其中所述存储元件是开关元件,每个开关元件包括纳米量级的间隙,其中通过在电极之间施加预定电压来产生电阻的开关现象,并且所述存储元件阵列设置有隧道元件,所述隧道元件分别串联连接所述开关元件,在施加所述预定电压时,每个所述隧道元件防止产生流向另一开关元件的潜通路电流。利用本发明,仅仅通过设置隧道元件这样的简单配置,就能够实现读取、写入以及删除数据的简化,并且能够提高开关元件的开关操作的稳定性,以及提高存储元件阵列的集成度。
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公开(公告)号:CN101373787B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN200810144594.8
申请日:2008-08-22
Applicant: 株式会社船井电机新应用技术研究所 , 船井电机株式会社
CPC classification number: H01L45/124 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/12 , Y10S977/943 , Y10T29/49105
Abstract: 本发明提供能够有效利用的开关元件、开关元件的制造方法、以及能够有效利用所配置的开关元件的存储元件阵列的制造方法。开关元件(1)具有:绝缘性基板(10);设置在绝缘性基板(10)上的第一电极(20)和第二电极(40);电极间间隙部(50),其设置在第一电极(20)和第二电极(40)之间,具有通过向第一电极(20)和第二电极(40)之间施加规定电压而产生电阻开关现象的纳米级的间隙;密封构件(60),其在保持间隙的状态下密封电极间间隙部(50)。
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公开(公告)号:CN101330093A
公开(公告)日:2008-12-24
申请号:CN200810125333.1
申请日:2008-06-20
Applicant: 株式会社船井电机新应用技术研究所 , 船井电机株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , B82Y10/00 , G11C13/003 , G11C2213/76 , H01L27/2418 , H01L45/04 , H01L45/124
Abstract: 本发明公开了一种存储元件阵列,包括排列成阵列的多个存储元件,其中所述存储元件是开关元件,每个开关元件包括纳米量级的间隙,其中通过在电极之间施加预定电压来产生电阻的开关现象,并且所述存储元件阵列设置有隧道元件,所述隧道元件分别串联连接所述开关元件,在施加所述预定电压时,每个所述隧道元件防止产生流向另一开关元件的潜通路电流。利用本发明,仅仅通过设置隧道元件这样的简单配置,就能够实现读取、写入以及删除数据的简化,并且能够提高开关元件的开关操作的稳定性,以及提高存储元件阵列的集成度。
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