-
公开(公告)号：CN107924364A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680049948.3
申请日：2016-08-29
申请人： 赛普拉斯半导体公司
CPC分类号： G11C7/18 , G06F12/023 , G06F2212/1044 , G11C5/147 , G11C7/06 , G11C7/1015 , G11C7/12 , G11C7/22 , G11C2207/2209 , G11C2207/2281 , G11C2207/229
摘要： 本文公开了用于并行读和写操作的系统、方法和器件。器件可以包括耦合到局部位线和与存储器阵列的存储器单元相关联的全局位线的第一传输器件。第一传输器件可以被配置为选择性地将全局位线耦合到局部位线。器件还可以包括耦合到局部位线和感测放大器的第一器件。第一器件可以被配置为选择性地将局部位线耦合到感测放大器。器件还可以包括耦合到局部位线和电接地的第二器件。第二器件可以被配置为选择性地将局部位线耦合到电接地。
-
公开(公告)号：CN101877240B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200910136962.9
申请日：2009-04-30
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
发明人： 陈瑞隆
摘要： 一种内存及存储装置。所述内存包括多个字符线、一第一、第二及第三位线以及多个存储单元，字符线依序平行排列，第一、第二及第三位线垂直字符线，并依序平行排列，每一存储单元对应一字符线以及一位线。每一对应到第一位线的存储单元所对应的字符线不同于对应到第二位线的存储单元所对应的字符线。由于交错排列内存内的存储单元，故可避免相邻的位线受到噪声干扰(因耦合电容所引起)。再者，也不需额外设置上拉负载。因此，可减少组件成本，亦不会增加内存的功率损耗。
-
公开(公告)号：CN101330093B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200810125333.1
申请日：2008-06-20
申请人： 株式会社船井电机新应用技术研究所 , 船井电机株式会社
CPC分类号： H01L27/101 , B82Y10/00 , G11C13/003 , G11C2213/76 , H01L27/2418 , H01L45/04 , H01L45/124
摘要： 本发明公开了一种存储元件阵列，包括排列成阵列的多个存储元件，其中所述存储元件是开关元件，每个开关元件包括纳米量级的间隙，其中通过在电极之间施加预定电压来产生电阻的开关现象，并且所述存储元件阵列设置有隧道元件，所述隧道元件分别串联连接所述开关元件，在施加所述预定电压时，每个所述隧道元件防止产生流向另一开关元件的潜通路电流。利用本发明，仅仅通过设置隧道元件这样的简单配置，就能够实现读取、写入以及删除数据的简化，并且能够提高开关元件的开关操作的稳定性，以及提高存储元件阵列的集成度。
-
公开(公告)号：CN101677014A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200810200174.7
申请日：2008-09-19
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种电阻式随机存储器用合金电极材料和制备技术。本发明的目的是通过采用合金化的方法，提高电极材料与电阻记忆薄膜的接触电阻，改善存储器的存储性能。电极合金化的主要依据是材料的功函数、化学活性、互溶度以及与氧化物的结合强度等方面。针对所使用的电阻记忆薄膜的功函数，以形成肖特基接触为依据，选择主体金属材料；以可以化合/传输氧原子为依据选择客体材料。这种合金电极不仅有效地拓宽了电阻记忆薄膜制备的工艺参数范围，而且明显改善了薄膜的电阻记忆保持性和疲劳性。由于采用与现有集成电路工艺兼容的制备方法，将有利于其实际应用。
-
公开(公告)号：CN101345527A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810116352.8
申请日：2008-07-09
申请人： 清华大学
摘要： 本发明设计了属于半导体集成电路设计和制造技术领域的一种基于CeRAM单元的数模变换器，其组成包括一组CeRAM单元和一个镜像电流源；所有CeRAM单元的WL端连接在一起，作为共同的WL端；所有CeRAM单元的DL端连接在一起，作为共同的DL端；每个CeRAM单元的BL端相互独立；DL端连接到镜像电流源的Iin端。相比于传统的数模变换器，本发明结构简单，转换速度快，在转换信号位数较多时此种优势更加明显。同时本发明应用了新型的TMO材料和CeRAM单元，在国内外均属于新颖且空白的领域，有利于占据前沿技术中的领先地位。
-
公开(公告)号：CN100440374C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN98808217.9
申请日：1998-06-17
申请人： 薄膜电子有限公司
IPC分类号： G11C11/21 , G11C11/22 , G11C11/42 , G11C13/02 , H03K19/177
CPC分类号： G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , G11C13/04 , G11C17/00 , G11C17/14 , G11C17/16 , G11C17/165 , G11C2213/71 , G11C2213/77
摘要： 一种用于数据记录、存储和/或处理的电可寻址无源器件，包含一种层状连续的或图形的结构(S)形式的可以产生物理或化学状态变化的功能媒质(1)。功能媒质(1)为连续的或层状的并包括至少一种有机材料。该功能媒质(1)包含独立的可寻址单元(2)，其代表一个被记录的或被检测的值或是赋予单元的一个预置的逻辑值。单元(2)处于接触单元(2)中功能媒质的电极组(E)中的阳极(3)和阴极(4)之间并引起它们的电耦合，功能媒质具有非线性的阻抗特征，由此单元(2)能够直接地用影响单元状态变化的能量供给。并且功能媒质(1)的所述至少一种有机材料是聚合物材料。在用于这种无源器件的电寻址方法中，其中寻址包含检测、记录操作以及对指定给单元之逻辑值的写、读和转换的的其它操作，电能量直接加到单元的功能媒质，以便改变其状态并因此有效进行寻址操作。本发明用在光检测器件、体数据存储器件或数据处理器件中。
-
公开(公告)号：CN1497726A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310101407.5
申请日：2003-10-17
申请人： 松下电器产业株式会社
摘要： 本发明涉及半导体存储装置以及装载它的电子装置，谋求降低写入电压、增加强电介质电容器的能重写次数，以及充分长时间地确保数据保持的寿命的2个优点的并存。强电介质电容器使2个剩余极化的偏移(点b和点c)与数据“1”对应，使1个剩余极化的偏移(点a)与数据“0”对应。做到在写入数据“1”的场合，在强电介质电容器中外加电压的大小或脉冲宽度不同的2个电脉冲中的任何1个，强电介质电容器的剩余极化的偏移变成点b或c的任何1个。另一方面，做到在写入数据“0”的场合，强电介质电容器的剩余极化的偏移变成点a。
-
公开(公告)号：CN1021493C
公开(公告)日：1993-06-30
申请号：CN91107453.8
申请日：1991-07-17
申请人： 复旦大学
IPC分类号： G11C11/21
摘要： 本发明属电子计算机技术领域，是一种可擦除式存取存贮器(EAST)，包括电子枪、电子轰击靶和偏转器三个部分。其中电子轰击靶是一个特殊的叠层薄膜，它采用新材料金属有机络合物M1-β(TCNQ)制备获得。该器件可以有较高的存贮密度，每平方厘米中的存贮量，按5μ平面工艺，即达1兆位，以1μ平面工艺，则可达25兆位，接近光盘存贮量，而寻址速度远远高于光盘存贮器。此外，该器件工艺简单，成本低廉，材料容易获得，为计算机硬件开发开辟了新的前景。
-
-
公开(公告)号：CN113308674A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110498978.5
申请日：2021-05-07
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/24 , C23C14/06 , C23C14/16 , G11C11/21 , H01M10/0525 , H01M10/058
摘要： 本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种能存算一体化单元、器件、制备工艺和设备。能存算一体化单元包括对电极、电解质和工作电极，电解质设于对电极与工作电极之间，可迁移离子经由电解质在工作电极和对电极之间迁移，基于可迁移离子在工作电极中的含量变化得到对应的状态信息。其中对电极为Li层，电解质为LiPON层，工作电极为LiMnO2、LiCoO2、LiFePO4中的至少一者。本设计能存算一体化单元进行信息处理时无需额外提供电能源，基础电能源结构中存储有电能源，而工作电极中的可迁移Li离子含量变化对应不同的状态信息，并能够基于该状态信息进行信息处理，进而使信息处理(包括计算和存储)和为信息处理供能两者一体化。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
67 条记录 (耗时 0.018 秒)