公开(公告)号：CN101330093B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200810125333.1

申请日：2008-06-20

Applicant: 株式会社船井电机新应用技术研究所 ,  船井电机株式会社

Inventor： 古田成生 ,  增田雄一郎 ,  高桥刚 ,  小野雅敏

IPC: H01L27/24 ,  G11C11/21 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/101 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2418 ,  H01L45/04 ,  H01L45/124

Abstract: 本发明公开了一种存储元件阵列，包括排列成阵列的多个存储元件，其中所述存储元件是开关元件，每个开关元件包括纳米量级的间隙，其中通过在电极之间施加预定电压来产生电阻的开关现象，并且所述存储元件阵列设置有隧道元件，所述隧道元件分别串联连接所述开关元件，在施加所述预定电压时，每个所述隧道元件防止产生流向另一开关元件的潜通路电流。利用本发明，仅仅通过设置隧道元件这样的简单配置，就能够实现读取、写入以及删除数据的简化，并且能够提高开关元件的开关操作的稳定性，以及提高存储元件阵列的集成度。

公开(公告)号：CN101273461A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200680035397.1

申请日：2006-09-25

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 ,  株式会社船井电机新应用技术研究所

Inventor： 内藤泰久 ,  堀川昌代 ,  阿部秀和 ,  清水哲夫 ,  水谷亘 ,  古田成生 ,  水野雅敏 ,  高桥刚

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L45/1226 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12

Abstract: 本发明的开关元件(100)包括：绝缘性衬底(10)，设置在上述绝缘性衬底(10)上的第一电极(20)，设置在上述绝缘性衬底(10)上的第二电极(30)，以及设置在上述第一电极(20)和第二电极(30)之间，在上述第一电极(20)和上述第二电极(30)之间的距离(G)为0nm＜G≤50nm的电极间间隙(40)。

公开(公告)号：CN101273461B

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200680035397.1

申请日：2006-09-25

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 ,  株式会社船井电机新应用技术研究所

Inventor： 内藤泰久 ,  堀川昌代 ,  阿部秀和 ,  清水哲夫 ,  水谷亘 ,  古田成生 ,  小野雅敏 ,  高桥刚

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L45/1226 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12

Abstract: 本发明的开关元件(100)包括：绝缘性衬底(10)，设置在上述绝缘性衬底(10)上的第一电极(20)，设置在上述绝缘性衬底(10)上的第二电极(30)，以及设置在上述第一电极(20)和第二电极(30)之间，在上述第一电极(20)和上述第二电极(30)之间的距离(G)为0nm＜G≤50nm的电极间间隙(40)。