公开(公告)号：CN107408632B

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201680017148.3

申请日：2016-01-29

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 三岛良太 ,  日野将志 ,  宇津恒 ,  目黑智巳

IPC: H01L51/44 ,  H01L31/0747

Abstract: 光电转换装置(100)从光入射侧具备第一光电转换单元(1)和第二光电转换单元(2)。第一光电转换单元(1)的光吸收层含有通式R1NH3M1X3或HC(NH2)2M1X3表示的钙钛矿型晶体结构的感光性材料。第二光电转换单元(2)的光吸收层的带隙比第一光电转换单元的光吸收层的带隙窄。在第一光电转换单元(1)与第二光电转换单元(2)之间，从光入射侧依次设有反射防止层(3)和透明导电层(4)。反射防止层(3)与透明导电层(4)相接，反射防止层(3)的折射率比透明导电层(4)的折射率低。

公开(公告)号：CN109196678A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201780028270.5

申请日：2017-05-08

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 三岛良太 ,  日野将志 ,  目黑智巳

IPC: H01L51/44 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L51/48

Abstract: 层叠型光电转换装置(100)在晶体硅系光电转换单元(4)上具有中间透明导电层(3)和薄膜光电转换单元(2)，所述晶体硅系光电转换单元(4)具备晶体硅基板(42)且在受光面设置有纹理。优选在晶体硅光电转换单元的受光面设置平均凹凸高度为0.5μm以上的纹理。中间透明导电层以埋设于晶体硅系光电转换单元的受光面的纹理的凹部内且覆盖纹理凸部的顶点的方式设置。

公开(公告)号：CN107078084A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580050720.1

申请日：2015-09-30

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 末崎恭 ,  三岛良太

IPC: H01L21/677 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 提供一种不会对半导体基板(10)等试样造成损伤的试样保持装置。本实施方式的试样保持装置(1)为伯努利卡盘，由主体部(2)和定位部件(3)构成。定位部件(3)为立体的部件，比试样保持面(5)更向下侧突出的有效部分(M)由内向面(A)、朝向外侧(与试样保持面(5)相反的相反侧)的外向面(B)、将内向面(A)和外向面(B)相连且与试样保持面(5)平行地扩展的向下面(C)、将内向面(A)、外向面(B)及向下面(C)相连的侧面(D)围成。定位部件(3)没有带棱角的部分。

公开(公告)号：CN112088436A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201980030910.5

申请日：2019-05-08

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 中野邦裕 ,  三岛良太 ,  小西克典 ,  口山崇

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0747

Abstract: 包括以下各个工序：在晶体基板(11)的一个主面(11S)上，形成第一导电型的第一半导体层(13p)的工序；在第一半导体层(13p)上形成剥离层(LF)的工序；选择性地除去剥离层(LF)和第一半导体层(13p)的工序；在包括剥离层(LF)和第一半导体层(13p)的一个主面(11S)上，形成第二导电型的第二半导体层(13n)的工序；使用蚀刻溶液除去剥离层(LF)，由此除去覆盖剥离层(LF)的第二半导体层(13n)的工序；以及使用冲洗液清洗晶体基板(11)的工序。蚀刻溶液或冲洗液的相对于剥离层(LF)的接触角比蚀刻溶液或冲洗液的相对于第二半导体层(13n)的接触角小，所述第二半导体层与所述蚀刻溶液或所述冲洗液的接触角在65°以上110°以下。

公开(公告)号：CN111742416A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201980014438.6

申请日：2019-02-19

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 中野邦裕 ,  三岛良太 ,  口山崇

IPC: H01L31/0224 ,  H01L21/306 ,  H01L31/0747

Abstract: 一种太阳能电池的制造方法，包含：在晶体基板(11)的一个主面(11S)上形成p型半导体层(13p)的工序、在p型半导体层(13p)上层叠以氧化物为主成分的剥离层(LF)的工序、选择性地除去p型半导体层(13p)和剥离层(LF)的工序，在选择性地除去p型半导体层(13p)和剥离层(LF)的工序中，进行使用2种以上的不同蚀刻液的湿式蚀刻，以使从晶体基板(11)的表面垂直方向的一个主面侧观察，p型半导体层(13p)的蚀刻面积小于或等于剥离层(LF)的蚀刻面积。

公开(公告)号：CN111727508A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201980013505.2

申请日：2019-02-19

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 三岛良太 ,  中野邦裕 ,  口山崇

IPC: H01L31/0224 ,  H01L21/306 ,  H01L31/0747

Abstract: 包括以下各个工序：在包括被选择性地除去的p型半导体层(13p)和剥离层(LF)的晶体基板(11)的一主面上，形成n型半导体层(13n)的工序；通过除去剥离层(LF)，除去覆盖剥离层(LF)的n型半导体层(13n)的工序；以及分别在p型半导体层(13p)和n型半导体层(13n)上，形成透明电极层(17)的工序。在除去剥离层(LF)的工序中，除去剥离层(LF)，且保证在n型半导体层(13n)被除去的状态下，p型半导体层(13p)的一部分被剥离层(LF)覆盖。