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公开(公告)号：CN100355091C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN03808022.2
申请日：2003-04-02
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/18 , H01L31/075
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种制造串联型薄膜光电转换器的方法，其中：在膜沉积系统中，在衬底(1)上形成至少一个光电转换单元(3)；将具有该光电转换单元(3)的衬底(1)从膜沉积系统取出到空气中；衬底(1)被插入膜沉积系统中，并且在氢气以及包含与衬底(1)上的光电转换单元(3)的最高导电型层(33)相同类型的导电型确定杂质元素的气体的混合环境中，衬底(1)经过等离子暴露；通过附加供应半导体材料气体给膜沉积系统，形成导电型中间层(5)；然后形成下一个光电转换单元(4)。
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公开(公告)号：CN114830357B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202080088050.3
申请日：2020-12-08
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/18 , H01L31/0747
Abstract: 本发明欲解决如下课题，即、提供一种减少图案印刷抗蚀剂的剥离残留、减少制造工艺中的第三本征半导体层的损伤的太阳能电池的制造方法。本发明的太阳能电池的制造方法依次包括：在半导体基板(11)的背面侧形成第一本征半导体层的材料膜以及第一导电型半导体层的材料膜的工序；在半导体基板(11)的背面侧的第一区域(7)中的第一导电型半导体层的材料膜之上形成图案印刷抗蚀剂，在半导体基板(11)的受光面侧不形成图案印刷抗蚀剂的工序；使用图案印刷抗蚀剂，在半导体基板(11)的背面侧的第一区域(7)形成已图案化的第一本征半导体层(23)以及第一导电型半导体层(25)的工序；去除图案印刷抗蚀剂的工序；以及在半导体基板(11)的受光面侧形成第三本征半导体层(13)的工序。
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公开(公告)号：CN114830357A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080088050.3
申请日：2020-12-08
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/18 , H01L31/0747
Abstract: 本发明欲解决如下课题，即、提供一种减少图案印刷抗蚀剂的剥离残留、减少制造工艺中的第三本征半导体层的损伤的太阳能电池的制造方法。本发明的太阳能电池的制造方法依次包括：在半导体基板(11)的背面侧形成第一本征半导体层的材料膜以及第一导电型半导体层的材料膜的工序；在半导体基板(11)的背面侧的第一区域(7)中的第一导电型半导体层的材料膜之上形成图案印刷抗蚀剂，在半导体基板(11)的受光面侧不形成图案印刷抗蚀剂的工序；使用图案印刷抗蚀剂，在半导体基板(11)的背面侧的第一区域(7)形成已图案化的第一本征半导体层(23)以及第一导电型半导体层(25)的工序；去除图案印刷抗蚀剂的工序；以及在半导体基板(11)的受光面侧形成第三本征半导体层(13)的工序。
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公开(公告)号：CN107431099B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201680015204.X
申请日：2016-01-22
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0747
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种太阳能电池用的单晶硅基板。在本发明的方法中，使单晶硅基板的表面与碱溶液接触，在单晶硅基板的表面形成纹理，使单晶硅基板的表面与酸性溶液接触，实施酸处理，然后，使单晶硅基板的表面与臭氧水接触，实施臭氧处理。用于酸处理的酸性溶液为盐酸。优选通过将单晶硅基板浸渍于臭氧水浴而实施臭氧处理。
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公开(公告)号：CN107431099A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680015204.X
申请日：2016-01-22
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0747
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种太阳能电池用的单晶硅基板。在本发明的方法中，使单晶硅基板的表面与碱溶液接触，在单晶硅基板的表面形成纹理，使单晶硅基板的表面与酸性溶液接触，实施酸处理，然后，使单晶硅基板的表面与臭氧水接触，实施臭氧处理。用于酸处理的酸性溶液为盐酸。优选通过将单晶硅基板浸渍于臭氧水浴而实施臭氧处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107078084B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201580050720.1
申请日：2015-09-30
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L21/677 , H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 提供一种不会对半导体基板(10)等试样造成损伤的试样保持装置。本实施方式的试样保持装置(1)为伯努利卡盘，由主体部(2)和定位部件(3)构成。定位部件(3)为立体的部件，比试样保持面(5)更向下侧突出的有效部分(M)由内向面(A)、朝向外侧(与试样保持面(5)相反的相反侧)的外向面(B)、将内向面(A)和外向面(B)相连且与试样保持面(5)平行地扩展的向下面(C)、将内向面(A)、外向面(B)及向下面(C)相连的侧面(D)围成。定位部件(3)没有带棱角的部分。
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公开(公告)号：CN107078084A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580050720.1
申请日：2015-09-30
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L21/677 , H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 提供一种不会对半导体基板(10)等试样造成损伤的试样保持装置。本实施方式的试样保持装置(1)为伯努利卡盘，由主体部(2)和定位部件(3)构成。定位部件(3)为立体的部件，比试样保持面(5)更向下侧突出的有效部分(M)由内向面(A)、朝向外侧(与试样保持面(5)相反的相反侧)的外向面(B)、将内向面(A)和外向面(B)相连且与试样保持面(5)平行地扩展的向下面(C)、将内向面(A)、外向面(B)及向下面(C)相连的侧面(D)围成。定位部件(3)没有带棱角的部分。
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公开(公告)号：CN100485973C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200480004033.8
申请日：2004-05-28
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/046 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种薄膜光电转换装置，特别是提供一种集成化薄膜光电转换装置，其在包含结晶硅光电转换单元的薄膜光电转换装置中，通过不使开放端电压和填充因数变小来改善光电转换效率。本发明的薄膜光电转换装置，是在透明基板一侧的主面上至少把透明电极膜、结晶硅光电转换单元和背面电极膜顺序形成的薄膜光电转换装置，形成所述结晶硅光电转换单元后，在其表面的一部分上具有白浊变色区域。所述白浊变色区域最好是小于或等于光电转换区域面积的5%。而且最好是制成集成化薄膜光电转换装置。
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公开(公告)号：CN1647285A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03808022.2
申请日：2003-04-02
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/075
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种制造串联型薄膜光电转换器的方法，其中：在膜沉积系统中，在衬底(1)上形成至少一个光电转换单元(3)；将具有该光电转换单元(3)的衬底(1)从膜沉积系统取出到空气中；衬底(1)被插入膜沉积系统中，并且在氢气以及包含与衬底(1)上的光电转换单元(3)的最高导电型层(33)相同类型的导电型确定杂质元素的气体的混合环境中，衬底(1)经过等离子暴露；通过附加供应半导体材料气体给膜沉积系统，形成导电型中间层(5)；然后形成下一个光电转换单元(4)。
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公开(公告)号：CN110313073A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201880012628.X
申请日：2018-03-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/05
Abstract: 太阳能电池模块(200)在受光面保护材料(91)与背面保护材料(92)之间具备太阳能电池串(100)，在该太阳能电池串(100)中，通过带状的布线材料(81)将沿着第一方向相互分离配置的第一太阳能电池(101)与第二太阳能电池(102)连接。布线材料沿着第一方向具有凹凸区域(820)和平坦区域(810)，该凹凸区域(820)在第一主面设置有凹凸，该平坦区域(810)在第一主面未设置凹凸或者具有高度小于凹凸区域的凹凸，凹凸区域被设置为从第二太阳能电池的受光面遍及至第一太阳能电池的背面。
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