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    太阳能电池的制造方法
    11.
    发明公开
    太阳能电池的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN114747022A

    公开(公告)日：2022-07-12

    申请号：CN202080082584.5

    申请日：2020-11-06

    Applicant: 株式会社钟化

    Inventor： 兼松正典 ,  小西克典

    IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

    Abstract: 本发明提供一种能够使透明电极层的形成简单化的太阳能电池的制造方法。太阳能电池的制造方法依次包含在基板(11)的背面侧形成导电型半导体层(25,35)的工序；在导电型半导体层(25,35)上形成透明导电膜的工序；以及在导电型半导体层(25,35)上形成金属电极层的非固化膜的工序；使透明导电膜图案化而形成透明电极层(28,38)的工序；以及形成金属电极层(29,39)的工序。金属电极层非固化膜形成工序中，通过将印刷材料进行印刷并干燥，形成金属电极层的非固化膜，在透明电极层形成工序中，将金属电极层的非固化膜作为掩模，使透明导电膜图案化，在金属电极层形成工序中，将金属电极层的非固化膜烧制并使其固化，从而形成金属电极层(29,39)。

    太阳能电池的制造方法及用于该方法中的承载装置
    12.
    发明公开
    太阳能电池的制造方法及用于该方法中的承载装置 有权

    公开(公告)号：CN112088436A

    公开(公告)日：2020-12-15

    申请号：CN201980030910.5

    申请日：2019-05-08

    Applicant: 株式会社钟化

    Inventor： 中野邦裕 ,  三岛良太 ,  小西克典 ,  口山崇

    IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0747

    Abstract: 包括以下各个工序：在晶体基板(11)的一个主面(11S)上，形成第一导电型的第一半导体层(13p)的工序；在第一半导体层(13p)上形成剥离层(LF)的工序；选择性地除去剥离层(LF)和第一半导体层(13p)的工序；在包括剥离层(LF)和第一半导体层(13p)的一个主面(11S)上，形成第二导电型的第二半导体层(13n)的工序；使用蚀刻溶液除去剥离层(LF)，由此除去覆盖剥离层(LF)的第二半导体层(13n)的工序；以及使用冲洗液清洗晶体基板(11)的工序。蚀刻溶液或冲洗液的相对于剥离层(LF)的接触角比蚀刻溶液或冲洗液的相对于第二半导体层(13n)的接触角小，所述第二半导体层与所述蚀刻溶液或所述冲洗液的接触角在65°以上110°以下。

    晶体硅太阳能电池模块及其制造方法
    13.
    发明授权
    晶体硅太阳能电池模块及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN107771360B

    公开(公告)日：2019-10-22

    申请号：CN201680028660.8

    申请日：2016-06-15

    Applicant: 株式会社钟化

    Inventor： 吉河训太 ,  寺下彻 ,  中野邦裕 ,  河崎勇人 ,  小西克典

    IPC: H01L31/05 ,  H01L31/0747

    Abstract: 太阳能电池模块具有晶体硅太阳能电池(4)和与晶体硅太阳能电池电连接的互连器(3)。互连器的宽度为50μm以上且低于400μm，按照将多个指状电极横断而电连接的方式配置。晶体硅太阳能电池具有平行地排列而设置在光电转换部(50)上的多个指状电极(9)，按照覆盖光电转换部的主表面及指状电极的方式设置有绝缘层(8)。在指状电极与互连器交叉的部分中，介由设置于指状电极与互连器之间的绝缘层中的开口部将指状电极与互连器电连接。

    太阳能电池的制造方法
    14.
    发明授权
    太阳能电池的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN114747022B

    公开(公告)日：2024-03-12

    申请号：CN202080082584.5

    申请日：2020-11-06

    Applicant: 株式会社钟化

    Inventor： 兼松正典 ,  小西克典

    IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

    Abstract: 本发明提供一种能够使透明电极层的形成简单化的太阳能电池的制造方法。太阳能电池的制造方法依次包含在基板(11)的背面侧形成导电型半导体层(25,35)的工序；在导电型半导体层(25,35)上形成透明导电膜的工序；以及在导电型半导体层(25,35)上形成金属电极层的非固化膜的工序；使透明导电膜图案化而形成透明电极层(28,38)的工序；以及形成金属电极层(29,39)的工序。金属电极层非固化膜形成工序中，通过将印刷材料进行印刷并干燥，形成金属电极层的非固化膜，在透明电极层形成工序中，将金属电极层的非固化膜作为掩模，使透明导电膜图案化，在金属电极层形成工序中，将金属电极层的非固化膜烧制并使其固化，从而形成金属电极层(29,39)。

    太阳能电池的制造方法
    15.
    发明公开
    太阳能电池的制造方法 无效

    公开(公告)号：CN114649442A

    公开(公告)日：2022-06-21

    申请号：CN202111553303.2

    申请日：2021-12-17

    Applicant: 株式会社钟化

    Inventor： 藤本贵久 ,  石桥宽隆 ,  小西克典 ,  足立大辅

    IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02

    Abstract: 提供一种能实现太阳能电池的低成本化和性能降低的抑制的、太阳能电池的制造方法。一种太阳能电池的制造方法，为背面电极型的太阳能电池(1)的制造方法，包含：在半导体基板(11)的背面侧形成第1半导体层材料膜的工序；对第1半导体层材料膜的表面进行氧化而形成第1氧化处理层的工序；形成掩模的工序；使用掩模而形成图案化后的第1半导体层(25)和第1氧化处理层的工序；除去掩模的工序；以及，清洗半导体基板(11)的表面的工序；第1氧化处理在掩模除去工序中保护第1半导体层(25)免受除去掩模的溶液的影响的同时第1氧化处理在清洗工序中被清洗半导体基板(11)的表面的溶液所除去。

    太阳能电池和太阳能电池的制造方法
    16.
    发明公开
    太阳能电池和太阳能电池的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN114365294A

    公开(公告)日：2022-04-15

    申请号：CN202080051293.X

    申请日：2020-07-15

    Applicant: 株式会社钟化

    Inventor： 小西克典 ,  中野邦裕

    IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

    Abstract: 本发明提供一种抑制特性降低的太阳能电池。太阳能电池(1)为背面接合型的太阳能电池，其具备在半导体基板(11)的背面侧的第1区域(7)中形成的第1导电型半导体层(25)、以及在半导体基板(11)的背面侧的第2区域(8)和第1区域(7)中形成的第2导电型半导体层(35)；在第1区域(7)中，在半导体基板(11)的背面侧，介由本征半导体层(23)而依次层叠第1导电型半导体层(25)和第2导电型半导体层(35)，在第2区域(8)中，在半导体基板(11)的背面侧，介由本征半导体层(23)而层叠第2导电型半导体层(35)，在第1区域(7)与第2区域(8)之间的边界区域(R中，在半导体基板(11)的背面侧介由本征半导体层(23)而依次层叠绝缘层(40)、第1导电型半导体层(25)和第2导电型半导体层(35)，绝缘层(40)介于第1区域(7)的第1导电型半导体层(25)与第2区域(8)的第2导电型半导体层(35)之间。

    光电转换装置及其制造方法
    17.
    发明授权
    光电转换装置及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN108140680B

    公开(公告)日：2020-08-28

    申请号：CN201680056974.9

    申请日：2016-10-03

    Applicant: 株式会社钟化

    Inventor： 小西克典 ,  吉河训太 ,  河崎勇人 ,  中野邦裕

    IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

    Abstract: 一种光电转换装置(101)，其在半导体基板(10)的一个主面上，具有第一导电型区域(1)、第二导电型区域(2)和与它们相接且将两者隔开的边界区域(9)。第一导电型半导体层(61)遍及第一导电型区域(2)的整面和边界区域而设置，第二导电型半导体层(31)遍及第二导电型区域的整面和边界区域而设置。边界区域的整面设有绝缘层(41)。遍及第一导电型区域的整面和边界区域设置第一电极(71)，在第二导电型区域设置第二电极(72)。在形成有第一导电型半导体层的区域不设置第二电极，第二电极与第一电极被隔开。

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