公开(公告)号：CN110128128A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910582276.8

申请日：2019-07-01

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙媛媛 ,  杨华斌 ,  刘笑 ,  江民红 ,  陈巧红 ,  张秀云 ,  黄蔚然

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种具有零温度系数及高温稳定性的铁酸铋-铝酸铋-锌钛酸铋高温压电陶瓷及其制备方法，其组成通式为：xBi1.05FeO3-yBiAlO3+zBi(Ti0.5Zn0.5)O3+tP+mMnCO3，其中P为Ba(W0.5Cu0.5)O3、CuO、Li2CO3中的一种或多种烧结助剂的组合；x、y、z、t、m表示摩尔分数，且0.50≤x≤0.80,0

公开(公告)号：CN110128126A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910582274.9

申请日：2019-07-01

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 黄蔚然 ,  杨华斌 ,  刘笑 ,  张秀云 ,  孙媛媛 ,  陈巧红

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋-钛酸钡-锌钛酸铋-铝酸铋高温无铅压电陶瓷及其制备方法，其组成通式为：xBiFeO3-yBaTiO3-zBi(Ti0.5Zn0.5)O3+tBiAlO3+mP+nMnCO3+2.5％Bi2O3，其中x、y、z、t、m，n表示摩尔分数，且0.6≤x≤0.8,0.15≤y≤0.3,0.05≤z≤0.15,0

公开(公告)号：CN108947530A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810908551.6

申请日：2018-08-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  蒙柳方 ,  廖燕君 ,  刘笑 ,  朱保华 ,  刘飞 ,  许积文 ,  周昌荣 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567

Abstract: 本发明公开了一种石榴石结构低介电透明RexGd3‑xAl3Ga2O12微波陶瓷及其制备方法，该微波陶瓷组成通式为RexGd3‑xAl3Ga2O12，其中0≤x≤0.065，Re为Nd和Er中的一种。制备时先采用传统固相合成法合成RexGd3‑xAl3Ga2O12粉体，再将合成的粉体与5%聚乙烯醇PVA按照0.5mL:10g的比例混合，烘干，研磨成粉末；最后将粉末压制成陶瓷坯体，在1580~1650℃保温15~60小时制成。本发明制备的石榴石结构低介电透明微波陶瓷，其介电常数（εr）介于9.7~10.3，品质因子与谐振频率乘积（Q.f）介于1600~5100GHz，谐振频率温度系数（Tcf）介于‑25~‑80ppm/℃，表明本发明成功制备出一种石榴石结构低介电透明微波陶瓷。这种微波陶瓷可用于制造微波介质元器件如滤波器、谐振器、介质基板等，特别是需要可视化透明窗口的信息通讯和集成电路中。

公开(公告)号：CN104891989B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201510244734.9

申请日：2015-05-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  周星星 ,  冯琴 ,  刘笑 ,  周昌荣 ,  杨涛 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3高储能密度陶瓷及其制备方法，制备方法采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3高储能密度陶瓷，其中：0.05≤x≤0.3，M为Sn、Zr、(Mg1/3Nb2/3)、(Mg1/3Ta2/3)、(Zn1/3Nb2/3)、(Zn1/3Ta2/3)、(Ni1/3Nb2/3)、(Ni1/3Ta2/3)、(Al1/2Nb1/2)、(Al1/2Ta1/2)、(Co1/2Nb1/2)、(Co1/2Ta1/2)、(Cr1/2Nb1/2)、(Cr1/2Ta1/2)中的一种。本发明制备的高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.9~2.4 J/cm3，可承受最高交流电压介于115~210 kV/cm之间。

公开(公告)号：CN105601272A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610057795.9

申请日：2016-01-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  屈婧婧 ,  黄先培 ,  刘飞 ,  刘笑 ,  王殿辉 ,  周昌荣 ,  陈国华

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634

CPC classification number: C04B35/465 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/74

Abstract: 本发明公开了一种超低损耗极限类Mgn+1TinO3n+1微波陶瓷及其制备方法，其化学式为：Mgn+1TinO3n+1，式中，n=2,3,4,5,6,7…50。实现方法为先合成Mgn+1TinO3n+1粉体，把所得粉体加入聚乙烯醇混合均匀并压制成圆柱状坯体，在1340~1380℃烧结4小时成瓷，即可获得超低损耗极限类Mgn+1TinO3n+1微波陶瓷。相对于MgTiO3与Mg2TiO4陶瓷材料，Mgn+1TinO3n+1体系微波陶瓷的介电常数与谐振频率温度系数变化不大，但Q×f值却有极其显著的提高。其中，在1360℃烧结4小时的Mgn+1TinO3n+1(n=5)微波陶瓷能够获最优的微波介电性能：Q×f~382,500GHz(f0=7.534GHz),εr~16.4，τf~-55.3ppm/℃。预计Mg6Ti5O16陶瓷材料可作为应用于各高频领域大型通信设备的微波电路中作为介质基板的主要材料。

公开(公告)号：CN104891988A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510244660.9

申请日：2015-05-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  周星星 ,  刘笑 ,  冯琴 ,  周昌荣 ,  杨涛 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1-xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中：0.03≤x≤0.3，M为(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Me为？Mg、Zn、Ni中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Mb为Al、Co、Cr中的一种。方法采用高温高压烧结炉制备Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1-xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.8~1.6？J/cm3。

公开(公告)号：CN119118654A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411153279.7

申请日：2024-08-21

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  桂林航天工业学院 ,  南宁桂电电子科技研究院有限公司

Inventor： 屈婧婧 ,  张颢轩 ,  刘飞 ,  袁昌来 ,  刘笑 ,  黄云涛 ,  徐卿智 ,  马颖

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体涉及一种双层微波介质陶瓷材料及其制备方法，本发明采用提高预烧温度、控制成分叠层压力和控制烧结过程的方式控制收缩率，制备出表面平整、内部致密的叠层结构微波介质陶瓷材料，该材料不仅保留了各单层材料的优势性能，如介电常数高、温度稳定性好等，还通过叠层结构的设计，实现了性能上的互补和增强，该材料不仅具有高介电常数、高热稳定性等优点，还具有制备工艺简单、成本低廉等特点，从而解决了现有的双层微波介质陶瓷材料制造工艺复杂且生产成本较高的问题。

公开(公告)号：CN104891988B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201510244660.9

申请日：2015-05-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  周星星 ,  刘笑 ,  冯琴 ,  周昌荣 ,  杨涛 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1‑xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中：0.03≤x≤0.3，M为(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Me为 Mg、Zn、Ni中的一种，(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Mb为Al、Co、Cr中的一种。方法采用高温高压烧结炉制备Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1‑xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.8~1.6 J/cm3。

公开(公告)号：CN104891989A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510244734.9

申请日：2015-05-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  周星星 ,  冯琴 ,  刘笑 ,  周昌荣 ,  杨涛 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1-xMxTi1-xO3高储能密度陶瓷及其制备方法，制备方法采用放电等离子烧结（SPS）技术制备Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1-xMxTi1-xO3高储能密度陶瓷，其中：0.05≤x≤0.3，M为Sn、Zr、(Mg1/3Nb2/3)、(Mg1/3Ta2/3)、(Zn1/3Nb2/3)、(Zn1/3Ta2/3)、(Ni1/3Nb2/3)、(Ni1/3Ta2/3)、(Al1/2Nb1/2)、(Al1/2Ta1/2)、(Co1/2Nb1/2)、(Co1/2Ta1/2)、(Cr1/2Nb1/2)、(Cr1/2Ta1/2)中的一种。本发明制备的高储能密度陶瓷，基于电滞回线计算的储能密度可达0.9~2.4？J/cm3，可承受最高交流电压介于115~210？kV/cm之间。

公开(公告)号：CN215202519U

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202120220178.2

申请日：2021-01-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 黎清宁 ,  谢晓宇 ,  钟思 ,  刘飞 ,  刘笑 ,  孟天笑 ,  候凌浩

IPC: B28B1/00 ,  B33Y30/00

Abstract: 本实用新型公开了一种用于压电陶瓷浆料挤出式3D打印机的挤出装置，包括底座和龙门架，所述龙门架的底部固定连接有Y向移动座，所述龙门架的顶部固定连接有横梁，所述横梁内部沿X方向开设有条形槽，所述横梁的条形槽内部滑动连接有X向移动座，所述X向移动座的正面固定设置有Z向固定架，所述Z向固定架的内部设置有Z向移动座，所述Z向移动座的正面上设置有固定基座，所述固定基座的正面固定设置有挤出架，本案中挤出架为螺杆式挤出装置，在浆料的挤出过程中，通过步进电机驱动挤出螺杆转动，通过挤出螺杆的转动实现对下套筒内的浆料在挤出过程中实现搅拌分散，灵活性高，且通过控制挤出螺杆的转速，实现对挤出浆料流量的控制。