一种铌酸钾钠基压电单晶及其制备方法

    公开(公告)号:CN106521627A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201610989699.8

    申请日:2016-11-10

    CPC classification number: C30B29/30 C30B1/10

    Abstract: 本发明提供一种铌酸钾钠基压电单晶,以CaCO3、ZrO2、Li2CO3和Bi2O3作为掺杂原料,以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成,化学式为:xCaZrO3-(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3-0.4LiBiO3),式中x表示体系中摩尔含量,其中0﹤x≤0.005。其制备方法包括:(1)所用原料均置于烘箱中烘干;2)按化学式称量原料,球磨(;3)将产物烘干,预烧;(4)再以无水乙醇为介质球磨后烘干;(5)将烘干的粉料过筛后,压制成圆坯;(6)将压制好的圆坯烧结获得单晶。本发明的优点是显著地提高了铌酸钾钠基单晶的压电性能,其压电常数d33最高达到488 pC/N。

    铌酸钾钠织构陶瓷与铌酸钾钠单晶的制备方法

    公开(公告)号:CN101913868B

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201010247474.8

    申请日:2010-08-06

    Abstract: 本发明的目的是提供一种铌酸钾钠织构陶瓷与铌酸钾钠单晶的制备方法,它以K0.5Na0.5NbO3为主体材料,LiBiO3或BiNiO3作为掺杂原料组成;以无水乙醇为介质湿磨,烘干后合成瓷料;瓷料经二次球磨,烘干后加粘结剂造粒,在110MPa的压力下压制成素坯试样,将素坯试样水平放置于高温电炉中烧结,烧结后,随炉冷却至室温,即制得KNN基陶瓷,控制烧结温度和烧结时间,还可获得尺寸达到2mm以上的单晶。采用传统的陶瓷制备工艺,在常规条件制备出具有良好择优取向的KNN陶瓷,如果控制烧结温度和时间还可以获得尺寸达到2mm以上的单晶。

    一种小尺寸单晶定向夹具

    公开(公告)号:CN107020706B

    公开(公告)日:2018-08-07

    申请号:CN201710284639.0

    申请日:2017-04-27

    Abstract: 本发明公开了种小尺寸单晶定向夹具,包括固定板、上下底板、上承载轴、定位销、耳板、粘晶杆、下旋转芯。单晶定向夹具实现粘晶杆绕其中心轴作360º旋转、作左右水平移动、旋转以及定位功能。定向夹具由两侧固定板将上下底板固定,上承载轴和下旋转芯构成夹具的旋转、水平移动装置,中间固定配合粘晶杆。上底板的上表面以及下底板的前面都均布螺纹孔,其作用是当移动装置到达相应部位时的固定。定位销通过螺纹与上承载轴相连接,并与粘晶杆相接触,定位销既可实现定位功能,又可实现固定粘晶杆的作用。本装置具有结构简单、操作方便、安全可靠、适用于实验室制备和研究小尺寸的单晶进行定向处理和测试的优点。

    一种碱金属铌酸盐微纳米线材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106673062B

    公开(公告)日:2018-01-16

    申请号:CN201611181133.9

    申请日:2016-12-20

    Abstract: 本发明提供一种碱金属铌酸盐微纳米线材料及其制备方法,以Na2CO3、K2CO3、BaCO3、Nb2O5、Bi2O3为原料,按照化学式(1‑x)KyNa1‑yNbO3‑xBaBiO3进行配料,其中0.15≤x≤0.07,0.4≤y≤0.6。其制备方法包括:(1)所有原料在称量配料前均置于烘箱中烘干;(2)准确称量后,以无水乙醇为介质球磨;(3)将球磨后产物取出,烘干,预烧;(4)以无水乙醇为介质球磨后烘干;(5)将烘干的粉料过筛后,压制成圆坯;(6)将压制好的圆坯固相烧结,在烧结体中获得碱金属铌酸盐微纳米线。本发明的优点是可采用传统陶固相烧结法获得碱金属铌酸盐微纳米线。

    一种高性能K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3-BiScO3无铅压电陶瓷

    公开(公告)号:CN101747038B

    公开(公告)日:2013-04-17

    申请号:CN200910114460.6

    申请日:2009-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种高性能的K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3-BiScO3无铅压电陶瓷,它是在K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3中添加BiScO3经传统陶瓷烧结工艺制成,组成通式为(1-x-y)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiSbO3-yBiScO3,式中x、y表示陶瓷体系中摩尔含量,其中0<x≤0.1,0<y≤0.01。通过选择适当的x、y值及在烧结时,以120℃/h的升温速度到500℃保温2h,再以120℃/h的升温速度到1060~1150℃保温1~9h烧结。烧结后,随炉冷却至室温。得到的无铅压电陶瓷的压电常数d33突破300pC/N,平面机电耦合系数kp可达0.52以上,机械品质因素Qm可达54.00,常温下介电常数εr可达1742,介电损耗(tanθ)低于2.5%。

    ZnO:Bi光电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN101280414A

    公开(公告)日:2008-10-08

    申请号:CN200810073409.0

    申请日:2008-01-07

    Inventor: 江民红 刘心宇

    Abstract: 本发明公开了一种ZnO:Bi光电薄膜及其制备方法,它以分析纯Bi2O3粉末作为掺杂原料,纯度为99.95%的纳米氧化锌为主体材料组成,Bi2O3的掺入量为总重量的1-5%,配料经360-720分钟球磨混合、在30-60MPa的压强下压制3-15分钟成型,在空气中1200-1400℃下常压、保温烧结60-360分钟,制备得ZnO:Bi陶瓷靶材,在本底真空度为8.0×10-5Pa、充纯氩后的气体压强为1-3Pa的条件下,经射频磁控溅射制膜,再在真空度≤0.1Pa的真空环境中退火热处理制成,表达式为ZnO:Bi,各组分原料用量重量比为ZnO 95-99%,Bi2O31-5%。这种光电薄膜具有良好的光电性能,电阻率达9.0×10-4Ω·cm,可见光透过率达85%以上,在波长小于370nm的紫外波段透过率表现为截止状态,具有良好的紫外隐身效果,同时所采用的原料纯度低,且工艺简单、成本较低。

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