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公开(公告)号:CN105016707B
公开(公告)日:2019-08-02
申请号:CN201510015072.8
申请日:2015-01-12
Applicant: 加川清二
Inventor: 加川清二
IPC: C04B32/00
CPC classification number: C09K5/14 , C01B32/194 , C04B35/522 , C04B35/63416 , C04B35/63424 , C04B35/63432 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/424 , C04B2235/425 , C04B2235/602 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/9607 , C08J5/18 , C08J2333/12 , H01L23/373 , H01L23/3737 , H01L2924/0002 , Y10T428/31938 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有高热导率的散热片及其制造方法。一种具有2.0g/cm3以上的密度和580W/mK以上的面内热导率的散热片,其包含均匀地分散在细石墨粒子之间的炭黑,细石墨粒子与炭黑的质量比是75/25至95/5,并且由槽黑和科琴黑和/或乙炔黑组成的炭黑是通过下列方式制造的:将在有机溶剂中的细石墨粒子、炭黑和有机粘结剂的分散体涂覆至模的表面,并且将其干燥;烧制得到的含树脂复合材料片以移除有机粘结剂;以及之后按压得到的细石墨粒子和炭黑的复合材料片以使其致密化。
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公开(公告)号:CN105594106B
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201480054538.9
申请日:2014-10-01
Applicant: 东洋炭素株式会社
Inventor: 穗积文博
CPC classification number: H01R39/22 , C04B35/522 , C04B35/532 , C04B2235/3262 , C04B2235/407 , C04B2235/425 , C04B2235/446 , C04B2235/48 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C22C1/05 , H01R39/20 , H01R39/26 , H01R43/12
Abstract: 通过混合碳粉和粘合剂制作碳质材料。对于制得的碳质材料混合10重量%以上60重量%以下的金属粉。对混合后的碳质材料和金属粉进行加压和成型。对加压和成型后的碳质材料和金属粉进行烧制,制作刷基材。在制得的刷基材中含浸油。相对于混合后的碳质材料和金属粉,油的含浸率例如可以为0.5重量%以上。
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公开(公告)号:CN108276008A
公开(公告)日:2018-07-13
申请号:CN201810154404.4
申请日:2014-10-21
IPC: C04B35/587 , H01L23/15 , H01L23/373 , H01L23/498 , H05K1/03
CPC classification number: C01B21/068 , B32B18/00 , C01P2006/32 , C04B35/584 , C04B35/587 , C04B35/593 , C04B35/6263 , C04B35/6264 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B35/6342 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/383 , C04B2235/3873 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/661 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/368 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L23/49838 , H01L23/49877 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H05K1/0201 , H05K1/0306 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板。本发明提供氮化硅基板,具备氮化硅晶粒和晶界相且导热率为50W/m·k以上,其特征在于,氮化硅基板的剖面组织中,厚度方向的晶界相的合计长度T2相对氮化硅基板的厚度T1的比(T2/T1)为0.01~0.30,从绝缘强度的相对平均值的偏差为15%以下,所述绝缘强度的平均值是使电极与基板的表背面接触而用四端法测量时的绝缘强度的平均值。另外,绝缘强度的平均值优选为15kv/mm以上。根据上述构成能够得到绝缘强度的偏差小的氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板。
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公开(公告)号:CN105304991B
公开(公告)日:2018-06-12
申请号:CN201510715803.X
申请日:2015-07-23
Applicant: 天工方案公司
CPC classification number: H01P1/387 , C04B35/26 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/6267 , C04B35/62695 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3286 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6021 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/764 , H01P11/001
Abstract: 公开了可用于射频(RF)应用的隔离器/循环器接点的实施例和制造所述接点的方法。接点可以具有优异的阻抗匹配,即使当它们被微型化时,也能提供相对于之前使用的接点显著的优势。接点可由高和低介电常数材料两者形成。
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公开(公告)号:CN107879736A
公开(公告)日:2018-04-06
申请号:CN201710879832.9
申请日:2017-09-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/344 , C04B35/265 , C04B35/6261 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/608 , C04B2235/94 , H01F17/0013 , H01F41/046 , C04B35/2658 , C04B35/2666 , C04B2235/96 , H01F1/01 , H01F27/24
Abstract: 本发明提供一种初始磁导率、比电阻、频率特性及温度特性良好的铁氧体组合物以及使用了上述铁氧体组合物的电子部件。本发明为一种具有主成分和副成分的铁氧体组合物。主成分由以Fe2O3换算为18~30摩尔%的氧化铁、以CuO换算为4~14摩尔%的氧化铜、以ZnO换算为0~6摩尔%的氧化锌、余量为氧化镍构成。相对于主成分100重量份,作为副成分,含有以SiO2换算为0.30~1.83重量份的硅化合物、以Co3O4换算为2.00~10.00重量份的钴化合物、以Bi2O3换算为1.00~3.00重量份的铋化合物。用以Co3O4换算的钴化合物的含量除以以SiO2换算的硅化合物的含量所得的值为5.5~30.0。
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公开(公告)号:CN104822637B
公开(公告)日:2018-03-23
申请号:CN201380005012.7
申请日:2013-11-26
Applicant: 耐火材料控股有限公司
Inventor: 贝恩德·朔伊贝尔 , 黑尔格·扬森 , 汉斯-于尔根·克利舍特 , 罗尔夫-迪特尔·基齐奥 , 霍尔格·维尔辛
IPC: C04B35/00 , C04B35/01 , C04B35/03 , C04B35/04 , C04B35/043 , C04B35/057 , C04B35/06 , C04B35/44 , C04B35/443 , C04B35/66 , F23M5/00 , F23M5/04 , F27B9/16 , F27D1/00
CPC classification number: C04B35/0435 , C04B33/04 , C04B33/1305 , C04B33/131 , C04B33/1315 , C04B35/043 , C04B35/047 , C04B35/057 , C04B35/06 , C04B35/101 , C04B35/103 , C04B35/18 , C04B35/20 , C04B35/42 , C04B35/44 , C04B35/443 , C04B35/565 , C04B35/6303 , C04B35/6306 , C04B35/6316 , C04B35/632 , C04B35/634 , C04B35/66 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/721 , C04B2235/96 , F23M5/00 , F23M2900/05004 , F27D1/0006 , Y10T156/1089
Abstract: 本发明涉及不含碳载体的、特别是使用压力模制或非模制的、非烧制耐火产品以压制砖或非模制物料的形式作为在氧化气氛或基本上是氧化的气氛中运行的大容量工业炉的烧制侧的耐火衬里的用途,所述耐火产品含有粘合剂以及在高于900℃的温度下形成陶瓷结合的耐火材料的颗粒,用于生产:镁铬砖,镁氧尖晶石和尖晶石砖,氧化镁氧化锆和氧化镁锆砖,氧化镁铁尖晶石和氧化镁锰尖晶石砖,白云石、白云石‑氧化镁和石灰砖,镁橄榄石和橄榄石砖,氧化镁镁橄榄石砖,氧化镁镁铁尖晶石砖,镁砖;所述大容量工业炉用于水泥、石灰、氧化镁和煅烧白云石的生产。所述砖具有20MPa以上的冷压强度,并且所述产品含有至少一种第一临时粘合剂和至少一种第二临时粘合剂,所述第一临时粘合剂保证造粒的颗粒在室温至500℃的温度范围内的粘合,以及所述第二临时粘合剂保证造粒的颗粒在300℃至1000℃的温度范围内的粘合。
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公开(公告)号:CN105152655B
公开(公告)日:2018-01-16
申请号:CN201510414902.4
申请日:2015-07-15
IPC: C04B35/584 , C04B35/645
CPC classification number: C04B35/593 , C04B35/6261 , C04B35/65 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/602 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/605 , C04B2235/767 , C04B2235/787
Abstract: 本发明提供一种陶瓷的织构化方法,包括步骤:a、配料,将含有烧结助剂的氮化硅粉体混匀,干燥;b、成型;将干燥后的粉体经过钢模干压和冷等静压制得一定形状的坯体;c、织构化,采用热压流动烧结的方法使步骤b制得的坯体在一维或二维方向流动从而实现晶粒定向排布和异向生长,制得高性能陶瓷;其中热压力为10‑50MPa,温度为1000‑2000℃。本发明通过热压流动烧结法,使烧结材料具有一定的流动充型性能,可用于在高温时的复杂形状的成型,并且伴有相应方向上的织构化。
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公开(公告)号:CN107406270A
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201680021325.5
申请日:2016-02-12
Applicant: 波拉尔蓝宝石有限公司
CPC classification number: C01F7/441 , C01F7/023 , C01F7/20 , C01F7/30 , C01F7/56 , C01P2004/60 , C01P2004/62 , C01P2006/10 , C01P2006/80 , C04B35/043 , C04B35/111 , C04B2235/322 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/608 , C04B2235/72 , C04B2235/725 , C04B2235/77
Abstract: 一种方法包含(a)使铝金属与酸在水存在下反应,得到水中包含铝盐的第一铝盐溶液,其中铝盐包含酸与铝金属的反应产物,(b)加热第一铝盐溶液,得到母液和固体铝盐,(c)任选地,分离固体铝盐与母液,(d)任选地,用水溶解至少一部分所分离的固体铝盐,得到第二铝盐溶液,(e)喷雾焙烧第一或第二(如果产生)铝盐溶液,得到氧化铝粉末,以及(f)洗涤氧化铝粉末,其中经洗涤的氧化铝粉末包含小于约30ppmw总金属和烷基杂质。
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公开(公告)号:CN105636687B
公开(公告)日:2017-10-13
申请号:CN201480054630.5
申请日:2014-10-02
IPC: B01J21/00 , B01D53/94 , B01J35/00 , C01G25/02 , C04B35/488
CPC classification number: B01J23/10 , B01D53/9445 , B01D2255/2063 , B01D2255/407 , B01D2255/908 , B01J23/002 , B01J23/63 , B01J23/66 , B01J35/002 , B01J35/023 , B01J37/0036 , B01J37/0063 , B01J37/02 , B01J37/0201 , B01J37/03 , B01J37/04 , B01J37/08 , B01J2523/00 , C01F17/0018 , C01G25/00 , C01P2002/36 , C01P2002/50 , C01P2002/74 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C01P2004/61 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/37 , C04B35/488 , C04B35/6261 , C04B35/6265 , C04B35/62655 , C04B35/62685 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/443 , C04B2235/5436 , C04B2235/549 , C04B2235/604 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/75 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , Y02T10/22 , B01J2523/3706 , B01J2523/3712 , B01J2523/48 , B01J2523/36 , B01J2523/3718 , B01J2523/842 , B01J2523/31 , B01J2523/824
Abstract: 本发明涉及氧化铈‑氧化锆复合氧化物,其含有镧、钇和镨中的至少一种。至少一种稀土元素的总含量与锆和铈总含量之间的比率是0.1at%至4.0at%。在表面附近区域中存在的稀土元素含量占稀土元素总含量的90at%或更大,所述表面附近区域是在与氧化铈‑氧化锆复合氧化物初级粒子的表面相距小于50nm的位置。氧化铈‑氧化锆复合氧化物的初级粒子的平均粒径是2.2‑4.5μm。在预定耐久性试验之后,在2θ=14.5°处的衍射线与在2θ=29°处的衍射线之间的强度比率I(14/29)以及在2θ=28.5°处的衍射线与在2θ=29°处的衍射线之间的强度比率I(28/29)各自满足以下条件:I(14/29)≥0.02;并且I(28/29)≤0.08。
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公开(公告)号:CN104637675B
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201410612861.5
申请日:2014-11-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/16 , C04B2235/3298 , C04B2235/3427 , C04B2235/604 , C04B2235/6567 , C04B2235/80 , H01G4/085 , H01G4/1209 , H01G4/1272 , H01G4/33 , H01L28/55
Abstract: 本发明涉及介电组合物,提供一种维持高的相对介电常数并且显示良好的温度特性的介电组合物。所述介电组合物含有通式Bi12SiO20所表示的结晶相和通式Bi2SiO5所表示的结晶相作为主要成分。优选所述介电组合物含有Bi2SiO5结晶相5质量%~99质量%,进一步优选为30质量%~99质量%。
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