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公开(公告)号：CN107043253A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710331201.3
申请日：2017-05-11
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/632 , C04B35/645
摘要： 本发明公开了一种高极性无铅铁电半导体陶瓷，其特征在于，组成通式：(1‑x) Bi0.5Na0.5TO3‑xBa0.9Sr0.1BiO3+0.05ZnO；其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.5。这种陶瓷用球磨混合添加分散剂以及等静压与微波烧结制备方法制备而成，该系列产品具有可调窄带隙Eg=2.0‑2.9eV，优良的铁电性能Pmax=15‑32μC/cm2，绿色环保。
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公开(公告)号：CN107032785A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710330701.5
申请日：2017-05-11
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/88
摘要： 本发明公开了一种可调窄带隙高极性无铅铁电陶瓷，组成通式为：(1‑x)Ba0.9Ca0.1TO3‑xBaBiO3+0.06Bi2WO6；其中x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.3。这种陶瓷用多步合成方法，结合球磨混合添加分散剂以及等静压与微波烧结制备方法制备而成，该系列产品具有可调窄带隙Eg=1.2‑2.2eV，高的稳定性，优良的铁电性能Pmax=21‑35μC/cm2，绿色环保。
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公开(公告)号：CN104710171B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510103056.4
申请日：2015-03-10
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C04B35/475 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种高储能密度钛酸锶铋基复相陶瓷介质材料及其制备方法，成分以通式(1-x-y)Sr1-1.5z(Bi0.8La0.2)zTiO3-x(Bi0.5Na0.5)1-mMgmTiO3-yBi0.5Li0.5(Ti0.92Mn0.08)O3来表示，其中x、y、z、m表示摩尔分数，0.2≤x≤0.7；0.01≤y≤0.2；0.05≤z≤0.3；0.02≤m≤0.2。本发明通过成分调节，形成复相组成，采用微波烧结形成均匀细小晶粒的致密结构，即保持高的介电常数，有获得高的耐压。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的高储能密度复相陶瓷介质材料，具有优异的储能特性及储能效率，储能密度可达1.9J/cm3，储能效率可达65%，环境友好、损耗低、实用性好。
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公开(公告)号：CN104987060A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510344609.5
申请日：2015-06-18
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种具有骨架网络结构的氧化锌蒸镀靶材的制备方法：高温烧制获得微米级粉体，加入纳米级粉体、碎颗粒、氢氧化物浆料中的一种或者多种混合，再加入粘接剂压制成型，高温烧结后得到蒸镀靶材。本发明通过构建具有三维骨架网络的结构，实现对低密度蒸发材料的结构强化，所制备的氧化锌蒸镀材料具有较高的强度，抗热冲击性能好，彻底解决高能电子束轰击时开裂的问题。
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公开(公告)号：CN102585762B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210031373.6
申请日：2012-02-13
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C09K3/00
摘要： 本发明公开了一种电气石基空气负离子与电磁屏蔽功能基元材料及其制备方法，具体步骤是：1、将硝酸铁溶液与电气石超细粉混合、烘干、煅烧得电气石表面包覆纳米α-Fe2O3\TiO2核壳结构复合粉体；2、把α-Fe2O3\TiO2复合粉体与氧化钛溶胶混合、烘干、煅烧得到电气石表面包覆α-Fe2O3\TiO2双层核壳结构纳米复合粉体；3、进一步把步骤2的产品在氩气或氮气的气氛炉中煅烧，得到电气石表面包覆Fe3O4\TiO2核壳结构纳米复合粉体；4、将步骤3所得产品经球磨后即得到电气石基空气负离子与电磁屏蔽功能基元材料。本发明产品产生的负离子浓度高，电磁屏蔽能力强，且制备工艺简单，原材料成本低。
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公开(公告)号：CN103236497A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310145707.7
申请日：2013-04-25
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种基于钛酸铋材料的阻变存储器及其制备方法。阻变存储介质层为Bi4Ti3O12及其掺杂物，掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、Sm、Ca和Pr，阻变介质层为薄膜形态。器件结构为衬底/下电极/阻变介质层/上电极，上、下电极材料为导电氧化物或金属，上、下电极的厚度为80nm到500nm，阻变介质层厚度为10nm到1000nm。整个存储器的制备使用磁控溅射方法。本发明的有益效果在于采用钛酸铋作为存储介质的阻变存储器具有较大的高低电阻比，有利于数字信息0和1的区分，降低了数据的写入和读取的误判。
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公开(公告)号：CN103014686A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210518916.7
申请日：2012-12-06
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种Mn-Zn氧化物电致阻变薄膜及其非对称透光阻变电容的制备方法，包括以镀有透明导电氧化物薄膜的玻璃为衬底，采用化学溶液沉积(CSD)工艺方法制备Mn-Zn氧化物电致阻变薄膜，采用直流磁控溅射工艺方法制备金属薄膜上电极并获得相应的非对称透光阻变电容。本发明的优点是：（1）薄膜的组分控制精确，而且易于调整（掺杂）组分，能够大面积制膜，成本低；（2）采用多次旋涂，分层预热的工艺方案，可提高结晶度，减少薄膜内应力，提高薄膜的性能，特别是具有较高的高/低电阻比值和较低的设置电压及复位电压；（3）所制备的薄膜为非对称结构电容，可大大提高电致阻变薄膜的抗疲劳特性，并可应用于透明电子领域。
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公开(公告)号：CN102255045A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110224038.3
申请日：2011-09-20
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种MgxZn1-xO电致阻变薄膜及其非对称结构异质结的制备方法，它是以镀有ITO、AZO等透明导电氧化物薄膜的玻璃为衬底；将配制好的MgxZn1-xO溶胶滴到衬底上，再进行匀胶，制作湿膜，并进行低温烘干处理；将烘干处理过的薄膜进行预热处理；直至获得所需厚度的MgxZn1-xO薄膜；对上述MgxZn1-xO薄膜进行退火处理，使薄膜晶化；样品自然冷却后即可获得MgxZn1-xO电致阻变薄膜；再在薄膜表面上采用直流磁控溅射工艺制备金属上电极薄膜，获得“金属薄膜/MgxZn1-xO/透明导电氧化物薄膜”非对称结构异质结。本发明的优点是：（1）能够大面积制膜，成本低；（2）具有较高的高/低电阻比值和较低的设置电压及复位电压；（3）可大大提高电致阻变薄膜的抗疲劳特性，并可应用于透明电子领域。
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公开(公告)号：CN112830781B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110068249.6
申请日：2021-01-19
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/63
摘要： 本发明提供了一种无铅透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及陶瓷材料技术领域。本发明提供的无铅透明铁电陶瓷材料的化学组成为(1‑x)K0.5Na0.5NbO3‑xSr(Bi0.5Nb0.5)O3，x＝0.02～0.07。本发明以KNN铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Bi0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透光性能；通过控制第二组元的固溶比例，有效调控陶瓷的相结构，使陶瓷处在四方相和立方相两项共存的伪立方相结构，显著提高陶瓷的透过率，并使陶瓷材料具备较好的铁电性能。本发明提供的透明铁电陶瓷材料不含铅，且具有良好的透光性能和铁电性能，是一种光、电功能共存且可调控的多功能陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN114560712A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210165519.X
申请日：2022-02-23
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C04B35/80 , C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64 , C23C14/08 , C23C14/30 , D01F9/08
摘要： 本发明公开了一种热蒸发镀膜陶瓷靶材及制备方法，所述陶瓷靶材包括与原料粉体共同构成异质结构的结构材料，所述结构材料为与原料粉体相同化学组份的陶瓷纤维和/或陶瓷片，所述陶瓷纤维的长度为5‑100μm，直径为0.2‑6μm；所述陶瓷片的厚度为2‑10μm、宽度为20‑60μm；结构材料在陶瓷靶材中的占比为10‑35wt%。本发明通过在靶材原料中添加同种材质的陶瓷纤维、陶瓷片或者两者组合，使陶瓷靶材坯体在烧结后形成一种异质结构，在不影响镀膜质量的前提下，解决陶瓷靶材热蒸发时热冲击应力过大易造成开裂的问题。
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