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    一种高储能陶瓷介质材料及制备方法
    1.
    发明授权
    一种高储能陶瓷介质材料及制备方法 有权

    公开(公告)号：CN116751053B

    公开(公告)日：2024-03-19

    申请号：CN202310799881.7

    申请日：2023-07-03

    申请人： 桂林电子科技大学

    发明人： 许积文 ,  汪青 ,  杨玲 ,  徐华蕊

    IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

    摘要： 本发明公开了一种高储能陶瓷介质材料，所述材料具有以下的化学组成：(Bi0.5Na0.5)TiO3‑Sr1.88Ho0.12NaNb4.88Ti0.12O15‑Al3+；或者(Bi0.5Na0.5)TiO3‑Sr1.88Ho0.12NaNb4.88Ti0.12O15‑(Sr0.7Ba0.3)5LaNb7Ti3O30。本发明通过优化陶瓷材料的组成，使材料具有细窄的电滞回线和高的击穿场强，在保证一定储能效率的前提下大幅提升了储能性能。

    一种光介电铁电陶瓷材料及其制备方法和应用
    2.
    发明授权
    一种光介电铁电陶瓷材料及其制备方法和应用 失效 许可

    公开(公告)号：CN113121226B

    公开(公告)日：2022-06-24

    申请号：CN202110481507.3

    申请日：2021-04-30

    申请人： 桂林电子科技大学

    发明人： 许积文 ,  张杰 ,  饶光辉 ,  杨玲 ,  余文杰 ,  王华

    IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H01G7/06

    摘要： 本发明属于陶瓷材料技术领域，特别涉及一种光介电铁电陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种光介电铁电陶瓷材料，所述光介电铁电陶瓷材料的化学通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xA(MyNb1‑y)O3‑δ，x为0.005～0.10，y为0.01～0.5；A为AII族元素中的一种或多种，M为过渡金属元素中的一种或多种。本发明通过过渡金属的引入降低(K0.5Na0.5)NbO3材料的带隙，实现半导化，从而使光介电铁电陶瓷材料具有高的光介电调谐率，使光介电铁电陶瓷材料的介电常数在光激励时产生改变，实现光对光介电铁电陶瓷材料介电性能的非接触式调控。

    一种光介电材料的光介电响应测试仪及测试方法
    3.
    发明公开
    一种光介电材料的光介电响应测试仪及测试方法 无效

    公开(公告)号：CN112904089A

    公开(公告)日：2021-06-04

    申请号：CN202110060080.X

    申请日：2021-01-18

    申请人： 桂林电子科技大学

    发明人： 许积文 ,  张杰 ,  饶光辉 ,  余文杰 ,  杨玲 ,  王华

    IPC分类号： G01R27/26 ,  G01N21/27

    摘要： 本发明公开了一种光介电材料的光介电响应测试仪及测试方法，所述测试仪包括计算机和可变波长光源、可多向平移的样品台、遮光板、LCR表，遮光板固定在旋转轴上，旋转轴带动遮光板旋转，遮光板上分布有透光部位与遮光部位，遮光板的透光部位布置有滤光片，样品台平移控制器、遮光板旋转轴控制器、可变波长光源和LCR表统一受计算机控制。本发明不仅能测试单光源下的不同测试频率的光介电响应，还可以测试不同波长以及不同光强下的光介电响应，同时可以利用遮光板实现开关特性的测试，是一套完备的光介电测试系统，它包含了不同光波长，不同光强度，不同信号频率等多种变化因素，节约了测试时间，降低了测试的劳动强度。

    一种无铅透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用
    4.
    发明公开
    一种无铅透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用 有权

    公开(公告)号：CN112830781A

    公开(公告)日：2021-05-25

    申请号：CN202110068249.6

    申请日：2021-01-19

    申请人： 桂林电子科技大学

    发明人： 王华 ,  刘浩男 ,  许积文 ,  杨玲 ,  周尚菊 ,  丘伟

    IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

    摘要： 本发明提供了一种无铅透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及陶瓷材料技术领域。本发明提供的无铅透明铁电陶瓷材料的化学组成为(1‑x)K0.5Na0.5NbO3‑xSr(Bi0.5Nb0.5)O3，x＝0.02～0.07。本发明以KNN铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Bi0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透光性能；通过控制第二组元的固溶比例，有效调控陶瓷的相结构，使陶瓷处在四方相和立方相两项共存的伪立方相结构，显著提高陶瓷的透过率，并使陶瓷材料具备较好的铁电性能。本发明提供的透明铁电陶瓷材料不含铅，且具有良好的透光性能和铁电性能，是一种光、电功能共存且可调控的多功能陶瓷材料。

    一种反铁电无铅陶瓷及其制备方法和应用
    9.
    发明公开
    一种反铁电无铅陶瓷及其制备方法和应用 失效 许可

    公开(公告)号：CN110483038A

    公开(公告)日：2019-11-22

    申请号：CN201910863077.4

    申请日：2019-09-12

    申请人： 桂林电子科技大学

    发明人： 霍子伟 ,  许积文 ,  饶光辉 ,  王华 ,  孙亚兵 ,  杨玲

    IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/622

    摘要： 本发明属于反铁电陶瓷材料技术领域，特别涉及一种反铁电无铅陶瓷及其制备方法和应用。本发明提供了一种反铁电无铅陶瓷，其元素组成为(1-x)(0.94(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.06BaTiO3)-xCs2Nb4O11，x为摩尔百分比。本发明通过设计元素组成，尤其是保证Cs2Nb4O11组分形式的情况下，实现Cs2Nb4O11与0.94(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.06BaTiO3组分结合，获得了在室温、低电场条件下具有反铁电性能且环保的陶瓷材料。实验数据表明，本发明提供的反铁电无铅陶瓷的储能密度可达0.70J/cm3，储能效率可达45％，具有优良的储能性能。