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公开(公告)号：CN109659805A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811511012.5
申请日：2018-12-11
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种可调谐激光器，涉及光通信器件领域。该可调谐激光器包括：硅衬底，其长度、宽度和高度方向分别定义为第I方向、第II方向和第III方向；以及形成于硅衬底上的光输入端口、第一光波导、光子晶体腔、第二光波导、光分束器、光发射端口、光输出端口以及光增益组件；光输入端口与光输出端口通过光纤链路连接形成环路，且光增益组件设于环路上；该可调谐激光器在光子晶体腔沿第II方向的两侧上分别设有电极或者在光子晶体腔沿第III方向的上方设有电极。本发明提供的可调谐激光器的调节效率高、调谐范围大、输出波长稳定，同时其结构尺寸小，有利于大规模集成。
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公开(公告)号：CN109407349A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811526548.4
申请日：2018-12-13
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种片上集成改变石墨烯能带的结构及其制备方法，涉及片上集成光电子器件领域，该结构包括衬底，其宽度、长度和高度方向分别定义为第I方向、第II方向和第III方向；形成于衬底表面上的高折射率光波导层以及未被高折射率光波导层覆盖的衬底表面上的第一低折射率材料层；形成于高折射率光波导层与第一低折射率材料层表面上的第一氮化硼材料层；形成于第一氮化硼材料层表面上的石墨烯材料层；形成于石墨烯材料层表面上的第二氮化硼材料层；形成于第二氮化硼材料层表面上的第二低折射率材料层；形成于第二低折射率材料层表面上的金属热电极；以及光输入端和光输出端。本发明提供的片上集成改变石墨烯能带的结构的制备方法简单、成本较低。
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公开(公告)号：CN109375389A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811549302.9
申请日：2018-12-18
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种石墨烯电光调制器及其制备方法，涉及电光调制器领域，其包括衬底以及形成于衬底上的马赫泽德干涉仪结构；所述马赫泽德干涉仪结构包括石墨烯垂直混合等离子光波导；所述石墨烯垂直混合等离子光波导包括：第一高折射率材料层、第二高折射率材料层、第二金属电极材料层、第一低折射率材料层、第二低折射率材料层、第二石墨烯材料层、绝缘材料层、第一石墨烯材料层以及第三石墨烯材料层。该调制器可实现高调节效率和带宽。
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公开(公告)号：CN109361149A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811458780.9
申请日：2018-11-30
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅基可调谐激光器，涉及硅基光子学与集成光电子学领域，包括：集成在硅基平台的半导体放大器；模斑转换器，其与半导体放大器的输出端相连，模斑转换器包括双倒锥波导；双倒锥波导分束器，其包括第一臂和第二臂，第一臂和第二臂的输入端分别与双倒锥波导相连；微环滤波器，其与第一臂级联，微环滤波器上设有加热器；以及分布式布拉格反射器DBR，用于实现光学反馈，形成于第一臂的输出波导上，DBR上设有加热器；本发明制作成本低、工艺简单、集成度高且利于大规模生产，并能提高波长调谐带宽与稳定性。
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公开(公告)号：CN117675031A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311675757.6
申请日：2023-12-06
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种QKD时间相位量子态解码光子集成结构，包括分光单元和测量基矢单元；其中：分光单元，用于接收初始光信号，按照预设分配比例对初始光信号进行强度分配，得到第一测量光信号和第二测量光信号；初始光信号具有预设时间相位量子态；测量基矢单元，用于通过第一测量基矢单元接收第一测量光信号，并根据第一测量光信号进行第一干涉处理，生成第一目标光信号和第二目标光信号；以及通过第二测量基矢单元接收第二测量光信号，并根据第二测量光信号进行第二干涉处理，生成第三目标光信号和第四目标光信号。本实施例能够实现测量基矢自由选择，提高量子密钥分发安全密钥率。
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公开(公告)号：CN117336636A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311171532.7
申请日：2023-09-11
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
IPC分类号： H04Q11/00 , H04B10/079
摘要： 本申请提供了一种光功率均衡系统、方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质；系统包括：至少一个光网络单元ONU设备，用于发送光信号；光功率均衡模块，用于在接收到第一ONU设备发送的第一光信号后，将所述第一光信号的光功率调整至目标功率，所述第一ONU设备为所述至少一个ONU设备中的一个；光接收单元，用于接收所述目标功率的第一光信号。通过本申请，能够在光信号转换为电信号之前实现光功率均衡，提高了均衡效率。
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公开(公告)号：CN110989214B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN201911338345.7
申请日：2019-12-23
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种电光调制器，涉及光通信器件技术领域，从下往上依次包括基底层、衬底层、集成波导和覆盖层，且所述覆盖层两侧均设有一金属电极；同时，所述集成波导包括铌酸锂波导和导电层，所述铌酸锂波导位于所述衬底层上，所述导电层位于所述覆盖层和铌酸锂波导之间，且所述导电层位于两个所述金属电极之间，并与两个所述金属电极保持一定间距。本发明提供的电光调制器，具有结构尺寸小、调制带宽高、调节效率高、且工作状态和调节效率不受热释电效果影响的优点。
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公开(公告)号：CN111048606B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911357237.4
申请日：2019-12-25
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/109
摘要： 本发明公开了一种高带宽高响应度的锗硅光电探测器，涉及光电探测技术领域，包括硅波导、硅衬底、轻掺杂硅区、重掺杂硅区、锗吸收区、外延硅区、外延硅掺杂区、第一电极和第二电极；硅波导用于传播入射光；硅衬底用于接收硅波导传播的入射光；轻掺杂硅区设于硅衬底中；重掺杂硅区设于轻掺杂硅区中；锗吸收区设于轻掺杂硅区上，且锗吸收区包括远离硅波导的第一部分，第一部分在轻掺杂硅区上的投影面为圆弧状；外延硅区环绕并覆盖于锗吸收区上；外延硅掺杂区覆盖于锗吸收区的顶部；第一电极设于重掺杂硅区上，且形状与重掺杂硅区匹配；第二电极设于外延硅掺杂区上。本发明提供的锗硅光电探测器，具有高响应度和较高带宽。
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公开(公告)号：CN109407211B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201811458048.1
申请日：2018-11-30
申请人： 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC分类号： G02B6/125
摘要： 本发明公开了一种波导元件及分合束器，涉及光通信器件技术领域。波导元件具有第一波导和分支结构，分支结构将第一波导中传输的光分成至少两束，分支结构包括第二波导、第三波导、以及位于第二波导和第三波导之间的中间波导，第一波导、第二波导和第三波导的折射率及厚度均相等，中间波导随着第一波导的入射光传输方向厚度递减。本发明波导元件及分合束器带宽高，制备难度小，制备成本低。
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公开(公告)号：CN111883608A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010652114.X
申请日：2020-07-08
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/18
摘要： 本申请涉及一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法，锗硅雪崩光电探测器包括埋氧层、底层、本征锗层、覆盖层、P电极和N电极，底层依次包括本征底层硅区，过渡底层硅区、倍增区、N型重掺杂底层硅区；本征锗层设于底层上；覆盖层覆盖于本征锗层上，覆盖层依次包括P型重掺覆盖层硅区、本征覆盖层硅区、过渡覆盖层硅区，过渡覆盖层硅区远离本征覆盖层硅区的一端与过渡底层硅区接触，以形成电荷过渡区；P电极与P型重掺覆盖层硅区相连；N电极与N型重掺杂底层硅区相连。本申请的锗硅雪崩光电探测器，不采用层叠结构，便于与其他功能元件集成，可大规模生产。
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