公开(公告)号：CN114038910A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202111156517.6

申请日：2021-09-30

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 李亦衡 ,  武乐可 ,  黄克强 ,  秦佳明 ,  王强 ,  宋亮 ,  朱友华 ,  朱廷刚

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L29/45 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

摘要： 本发明涉及了一种组合接触结构及新型GaN HEMT器件，新型GaNHEMT器件包括增强型GaN HEMT器件和组合接触结构，所述组合接触结构包括欧姆接触部和肖特基接触部；所述组合接触结构设置在增强型GaN HEMT器件的p‑GaN帽层的上部；所述欧姆接触部与所述增强型GaN HEMT器件的p‑GaN帽层形成欧姆接触；所述肖特基接触部与所述增强型GaN HEMT器件的p‑GaN帽层形成欧姆接触肖特基接触。本发明通过欧姆接触部提供足够的空穴，以消除“浮动p‑GaN”效应，通过肖特基接触部的设置减少欧姆接触的栅极漏电。

公开(公告)号：CN112614810A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202011506746.1

申请日：2020-12-18

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 李亦衡 ,  王强 ,  姚骏 ,  吴敏 ,  秦佳明 ,  朱廷刚

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L23/528

摘要： 本发明涉及一种平坦化金属叠层的方法，包括在金属底层上沉积电介质层，使用负性光刻胶：在电介质层上形成光刻胶层，通过光刻在光刻胶层上形成图案，并蚀刻掉该部分的电介质，并使光刻胶层的开口角度θ≥90°，沉积金属层，剥离光刻胶层、位于光刻胶层上的金属层，沉积金属覆盖层，使金属覆盖层的上表面为平面。一种器件，其包括由平坦化金属叠层的方法形成的结构。本发明在不使用CMP、钨塞（化学机械研磨）、铜（双）镶嵌工艺的情况下，大大改善金属层的平坦度，极大的简化了工艺流程，提高了器件的性能。

公开(公告)号：CN107301952B

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201710406570.4

申请日：2017-06-02

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 李亦衡 ,  朱廷刚 ,  朱友华 ,  张葶葶 ,  王强

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

摘要： 本发明涉及一种平面功率器件中栅极场板与源极和漏极的自对准方法，包括在衬底上形成绝缘层，涂覆负性光刻胶进行光刻显影，形成第一栅/源/漏极区；对第一栅/源/漏极区底部绝缘层进行蚀刻形成栅极/源极/漏极沟槽；涂覆正性光刻胶进行光刻显影，在栅极沟槽、第一栅极区内形成正性光刻胶填充；在源极/漏极沟槽内形成源极/漏极金属层；去除负/正性光刻胶填充；在器件上表面形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上涂覆负性光刻胶进行光刻显影，在负性光刻胶上、栅极沟槽上方形成第二栅极区；在栅极沟槽、第二栅极区内形成栅极金属层；去除涂覆负性光刻胶。本发明消除栅极和源/漏极之间的不对准；改善了器件的加工余量；提高大直径晶圆器件的产量。

公开(公告)号：CN107301952A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710406570.4

申请日：2017-06-02

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 李亦衡 ,  朱廷刚 ,  朱友华 ,  张葶葶 ,  王强

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

摘要： 本发明涉及一种平面功率器件中栅极场板与源极和漏极的自对准方法，包括在衬底上形成绝缘层，涂覆负性光刻胶进行光刻显影，形成第一栅/源/漏极区；对第一栅/源/漏极区底部绝缘层进行蚀刻形成栅极/源极/漏极沟槽；涂覆正性光刻胶进行光刻显影，在栅极沟槽、第一栅极区内形成正性光刻胶填充；在源极/漏极沟槽内形成源极/漏极金属层；去除负/正性光刻胶填充；在器件上表面形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上涂覆负性光刻胶进行光刻显影，在负性光刻胶上、栅极沟槽上方形成第二栅极区；在栅极沟槽、第二栅极区内形成栅极金属层；去除涂覆负性光刻胶。本发明消除栅极和源/漏极之间的不对准；改善了器件的加工余量；提高大直径晶圆器件的产量。

公开(公告)号：CN118380466B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410830939.4

申请日：2024-06-26

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 李亦衡 ,  王强 ,  王洁 ,  李宏旭 ,  魏鸿源 ,  朱廷刚

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明属于高电子迁移率晶体管器件技术领域，具体涉及一种常关型高电子迁移率晶体管及其制备方法。本发明提供的常关型高电子迁移率晶体管中，势垒层注入有非电活性物质离子，非电活性物质离子的注入区域与所述栅极在所述势垒层上的正投影区域重合，所述非电活性物质离子包括氮离子和/或惰性气体离子。本发明的势垒层和沟道层之间具有更稳定的Vth以及原始未蚀刻和未损坏的2DEG层。本发明通过向势垒层中注入非电活性物质离子，将势垒层转变成绝缘体，从而使自然形成的2DEG层失效，而相较于引入电活性元素（如氯或氟原子），本发明不存在由于电荷散射导致的迁移率下降和由于氯或氟离子在栅极偏压下移动导致的Vth不稳定的缺陷。

公开(公告)号：CN110021661A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201910342961.3

申请日：2019-04-26

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 李亦衡 ,  朱廷刚 ,  杨智超 ,  夏远洋 ,  王强 ,  张葶葶

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

摘要： 本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法，其中，基于P型半导体层的表面并结合原位生长的方式在该半导体器件中的栅极与P型半导体层之间制作形成N型半导体层，使得P型半导体层与N型半导体层可共同构成反向偏置的n/p结，从而大幅降低栅极漏电流，提高半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：CN117894836A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410294613.4

申请日：2024-03-15

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 李亦衡 ,  王强 ,  秦佳明 ,  魏鸿源 ,  朱廷刚

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及顶部具有热传递器件的高电子迁移率晶体管及其封装方法。本发明在高电子迁移率晶体管钝化层与源极连接场板或栅极连接场板接触的区域设置有通孔，包括设置在所述钝化层表面且通过钝化层的通孔与源极连接场板或栅极连接场板接触的热传递器件。本发明提供的顶部具有热传递器件的高电子迁移率晶体管能够实现对高电子迁移率晶体管的有效散热，同时不会对器件的电气参数（Vth、BV和Rdson）产生不利的电气影响。