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公开(公告)号：CN104919580A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201380046837.3
申请日：2013-07-09
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
IPC: H01L21/673
CPC classification number: H01L21/67393 , F27B5/16 , F27B2005/062 , F27B2005/162 , F27D7/06 , F27D2007/063 , H01L21/67353
Abstract: 本发明涉及一种用于对物体，尤其带涂层的衬底进行热处理的装置，其具有尤其可气密性密封的壳体，壳体封闭了中空的空间，其中中空的空间具有分隔壁，通过该分隔壁将中空的空间分隔成用于容纳物体的处理空间，以及中间空间，其中分隔壁具有一个或多个开口，开口被实现成使得分隔壁用作阻碍处理空间中由于物体的热处理而产生的气态物质从处理空间扩散到中间空间中的阻隔。壳体具有联接在用于对其进行主动冷却的冷却装置上的至少一个壳体部段，其中分隔壁设置在物体和可冷却的壳体部段之间。本发明还涉及在用于对物体进行热处理的装置中使用分隔壁作为扩散阻隔，以及相对应的用于对物体进行热处理的方法。
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公开(公告)号：CN102754197A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180010517.3
申请日：2011-02-22
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
IPC: H01L21/673
CPC classification number: H01L21/67346 , C23C16/4583 , H01L21/67109 , H01L21/67353 , H01L21/67383 , H01L31/0322 , H01L31/1876 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种多层体布置，其包含至少两个各自具有至少一个待加工的表面的多层体，以及至少一个用于定位该多层体的设备，其中该设备是这样配置的，即，使得各自的待加工的表面彼此相对，和以此方式形成布置在所述表面之间的准封闭的加工空间，在其中进行所述加工。它进一步涉及一种用于用这样的多层体布置来加工多层体的系统，以及涉及加工多层体的方法，其中该多层体是这样布置的，即，使得各自的待加工的表面彼此相对，和因此形成布置在所述表面之间的准封闭的加工空间，所述加工在其中进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105164815B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201480025050.3
申请日：2014-04-30
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022441 , C03C17/3613 , C03C17/3626 , C03C17/3639 , C03C17/3649 , C03C17/3678 , H01L31/022425 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 用于光伏电池的背接触式基板（1），其包括载体基板（2）和电极（6），所述电极（6）包括基于至少两种元素的合金薄膜，至少一个第一元素MA在铜（Cu）、银（Ag）和金（Au）之中选择，并且至少一个第二元素MB在锌（Zn）、钛（Ti）、锡（Sn）、硅（Si）、锗（Ge）、锆（Zr）、铪（Hf）、碳（C）和铅（Pb）之中选择。
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公开(公告)号：CN104919580B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201380046837.3
申请日：2013-07-09
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
IPC: H01L21/673
CPC classification number: H01L21/67393 , F27B5/16 , F27B2005/062 , F27B2005/162 , F27D7/06 , F27D2007/063 , H01L21/67353
Abstract: 本发明涉及一种用于对物体，尤其带涂层的衬底进行热处理的装置，其具有尤其可气密性密封的壳体，壳体封闭了中空的空间，其中中空的空间具有分隔壁，通过该分隔壁将中空的空间分隔成用于容纳物体的处理空间，以及中间空间，其中分隔壁具有一个或多个开口，开口被实现成使得分隔壁用作阻碍处理空间中由于物体的热处理而产生的气态物质从处理空间扩散到中间空间中的阻隔。壳体具有联接在用于对其进行主动冷却的冷却装置上的至少一个壳体部段，其中分隔壁设置在物体和可冷却的壳体部段之间。本发明还涉及在用于对物体进行热处理的装置中使用分隔壁作为扩散阻隔，以及相对应的用于对物体进行热处理的方法。
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公开(公告)号：CN102754197B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180010517.3
申请日：2011-02-22
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
IPC: H01L21/673
CPC classification number: H01L21/67346 , C23C16/4583 , H01L21/67109 , H01L21/67353 , H01L21/67383 , H01L31/0322 , H01L31/1876 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种多层体布置，其包含至少两个各自具有至少一个待加工的表面的多层体，以及至少一个用于定位该多层体的设备，其中该设备是这样配置的，即，使得各自的待加工的表面彼此相对，和以此方式形成布置在所述表面之间的准封闭的加工空间，在其中进行所述加工。它进一步涉及一种用于用这样的多层体布置来加工多层体的系统，以及涉及加工多层体的方法，其中该多层体是这样布置的，即，使得各自的待加工的表面彼此相对，和因此形成布置在所述表面之间的准封闭的加工空间，所述加工在其中进行。
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公开(公告)号：CN102762761B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201180010767.7
申请日：2011-02-22
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
CPC classification number: H01L31/18 , C23C14/0617 , C23C14/0623 , C23C14/54 , C23C14/564 , C23C16/4412 , C30B23/005 , C30B29/48
Abstract: 本发明涉及一种用于在物体(20)上沉积由至少两种成分制成的层的设备，其具有用于布置该物体的沉积室(11)，至少一个具有待沉积的材料的源(12)，以及至少一个用于控制沉积过程的装置(40)，该设备如此配置：使得可以在沉积到基材上之前，通过选择性结合特定量的所述至少一种成分来在待沉积的材料的气相中改变其至少一种成分的浓度，其中该至少一种成分的选择性结合的量可以通过改变至少一种控制参数来进行控制，该参数主动偶合到所述组分的结合率。此外，涉及一种用于在物体上沉积由至少两种成分制成的层的设备，其中用于控制沉积过程的装置具有由反应性材料制成的至少一个吸气元件，其中该反应性材料包括铜和/或钼。还涉及一种用于在物体上沉积由至少两种成分制成的层的方法，其中至少一种成分的选择性结合的量是通过改变用于控制沉积过程的装置的结合率来控制的。
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公开(公告)号：CN103403851A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280012301.5
申请日：2012-02-22
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
CPC classification number: H01L31/18 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L31/0326 , H01L31/065 , H01L31/072 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及制备由Cu2ZnSn(S,Se)4类型的五元锌黄锡矿/亚锡酸盐构成的化合物半导体的方法，该方法包含下面的步骤：制备至少一个前体叠层，所述叠层由第一前体层和第二前体层组成，其中在第一阶段中，通过将金属铜、锌和锡沉积到基体上制备第一前体层，和在第二阶段中，通过将硫属元素硫和/或硒沉积到第一前体层上制备第二前体层；在工艺室中热处理该至少一个前体叠层使得第一前体层的金属和第二前体层的至少一种硫属元素反应性地转化为化合物半导体；在至少一个前体叠层的热处理过程中将至少一种工艺气体供入到工艺室中，其中，如果第二前体层中含有选自硫和硒的硫属元素，则工艺气体中含有相应的其它硫属元素和/或含相应的其它硫属元素的化合物，或者，如果第二前体层中含有两种硫属元素硫和硒，则工艺气体中含有硫和/或硒和/或含硫化合物和/或含硒化合物。另外，本发明涉及基体上带有有五元化合物半导体Cu2ZnSn(S,Se)4组成的吸收体的薄膜太阳能电池，其中该吸收体从半导体表面到基体界面具有不同构型的可预先规定的硫深度分布。
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