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公开(公告)号：CN105164815A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201480025050.3
申请日：2014-04-30
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022441 , C03C17/3613 , C03C17/3626 , C03C17/3639 , C03C17/3649 , C03C17/3678 , H01L31/022425 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 用于光伏电池的背接触式基板（1），其包括载体基板（2）和电极（6），所述电极（6）包括基于至少两种元素的合金薄膜，至少一个第一元素MA在铜（Cu）、银（Ag）和金（Au）之中选择，并且至少一个第二元素MB在锌（Zn）、钛（Ti）、锡（Sn）、硅（Si）、锗（Ge）、锆（Zr）、铪（Hf）、碳（C）和铅（Pb）之中选择。
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公开(公告)号：CN105164814A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201480025028.9
申请日：2014-04-30
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0392
CPC classification number: H01L31/022441 , C03C17/3613 , C03C17/3626 , C03C17/3639 , C03C17/3649 , C03C17/3678 , H01L31/022425 , H01L31/03923 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 用于光伏电池的背接触式基板，其包括载体基板（2）和电极（6），所述电极（6）包括：-导电涂层，所述导电涂层包括基于金属或金属合金的金属薄膜（8）；-对硒化的屏障薄膜（10），所述对硒化的屏障薄膜用于保护导电涂层并且基于下述之中的至少一个：MoxOyNz、WxOyNz、TaxOyNz、NbxOyNz、RexOyNz。
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公开(公告)号：CN105164813B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201480025022.1
申请日：2014-04-30
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0392
Abstract: 用于光伏电池的背接触式基板（1）包括载体基板（2）和电极（6），电极（6）包括基于下述的合金薄膜：铜（Cu）和银（Ag）之中的至少一个；以及锌（Zn）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105164813A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201480025022.1
申请日：2014-04-30
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0392
Abstract: 用于光伏电池的背接触式基板（1）包括载体基板（2）和电极（6），电极（6）包括基于下述的合金薄膜：铜（Cu）和银（Ag）之中的至少一个；以及锌（Zn）。
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公开(公告)号：CN104247036A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380022112.0
申请日：2013-04-25
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
IPC: H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC classification number: H01L31/1832 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02568 , H01L21/02579 , H01L21/02614 , H01L31/1864
Abstract: 本发明关于一种用于产生分层堆叠以用于制造具有Cu2ZnSn(S,Se)4类型的化合物半导体的薄膜太阳能电池的方法，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上沉积阻挡层，所述阻挡层包括被适配成阻止碱金属的扩散的材料；在所述阻挡层上沉积电极层；沉积包括金属铜、锌和锡的第一前体层；在所述第一前体层上沉积包括从硫和硒中选择的至少一个硫属元素的第二前体层；使所述前体层退火以结晶化所述化合物半导体；在所述第一和第二前体层的退火期间供应至少一种工艺气体，其中（i）在硫或者硒被包含在所述第二前体层中的情况下，另一硫属元素和/或包含另一硫属元素的化合物被包含在所述工艺气体中，或者（ii）在硫和硒被包含在所述第二前体层中的情况下，硫和/或硒和/或包含硫的化合物和/或包含硒的化合物被包含在所述工艺气体中；（i）在所述前体层的所述退火之前在所述前体层和/或所述电极层上，（ii）在所述前体层的所述退火期间在所述前体层上，和/或（iii）在所述前体层的退火之后在所述化合物半导体上沉积元素钠和/或含钠化合物，其中所述化合物半导体以这样的方式产生以使得获得在所述化合物半导体的第一边界面和第二边界面之间的明确的钠和硫深度分布。
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公开(公告)号：CN105164815B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201480025050.3
申请日：2014-04-30
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022441 , C03C17/3613 , C03C17/3626 , C03C17/3639 , C03C17/3649 , C03C17/3678 , H01L31/022425 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 用于光伏电池的背接触式基板（1），其包括载体基板（2）和电极（6），所述电极（6）包括基于至少两种元素的合金薄膜，至少一个第一元素MA在铜（Cu）、银（Ag）和金（Au）之中选择，并且至少一个第二元素MB在锌（Zn）、钛（Ti）、锡（Sn）、硅（Si）、锗（Ge）、锆（Zr）、铪（Hf）、碳（C）和铅（Pb）之中选择。
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公开(公告)号：CN104885191B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201380066999.3
申请日：2013-12-11
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
CPC classification number: H01L31/1864 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L31/0445 , H01L31/065 , H01L31/0749
Abstract: 本发明涉及制造化合物半导体(2)的方法，其包括下面的步骤：‑制造至少一个前体‑层堆叠体(11)，其由第一前体‑层(5.1)、第二前体‑层(6)和第三前体‑层(5.2)组成，其中在第一阶段中，通过将金属铜、铟和镓沉积到基体(12)上来制造第一前体‑层(5.1)，和在第二阶段中，通过将选自硫和硒的至少一种硫族元素沉积到第一前体‑层(5.1)上来制造第二前体‑层(6)，和在第三阶段中，通过将金属铜、铟和镓沉积到第二前体‑层(6)上来制造第三前体‑层(5.2)；‑在工艺室(13)中如此热处理该至少一个前体‑层堆叠体(11)，以使第一前体‑层(5.1)的金属、第二前体‑层(6)的至少一种硫族元素和第三前体‑层(5.2)的金属反应性转化成化合物半导体(2)。
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公开(公告)号：CN104885191A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380066999.3
申请日：2013-12-11
Applicant: 法国圣戈班玻璃厂
CPC classification number: H01L31/1864 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L31/0445 , H01L31/065 , H01L31/0749
Abstract: 本发明涉及制造化合物半导体(2)的方法，其包括下面的步骤：-制造至少一个前体-层堆叠体(11)，其由第一前体-层(5.1)、第二前体-层(6)和第三前体-层(5.2)组成，其中在第一阶段中，通过将金属铜、铟和镓沉积到基体(12)上来制造第一前体-层(5.1)，和在第二阶段中，通过将选自硫和硒的至少一种硫族元素沉积到第一前体-层(5.1)上来制造第二前体-层(6)，和在第三阶段中，通过将金属铜、铟和镓沉积到第二前体-层(6)上来制造第三前体-层(5.2)；-在工艺室(13)中如此热处理该至少一个前体-层堆叠体(11)，以使第一前体-层(5.1)的金属、第二前体-层(6)的至少一种硫族元素和第三前体-层(5.2)的金属反应性转化成化合物半导体(2)。
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