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公开(公告)号：CN118824926A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310398302.8
申请日：2023-04-04
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种吸盘组件，所述吸盘组件包括安装板和多个吸盘，在所述吸盘的厚度方向上，多个所述吸盘间隔设于所述安装板上，所述吸盘包括吸盘本体和吸嘴，所述吸盘本体上具有多个吸附部，多个所述吸附部间隔布置，所述吸盘本体上还具有第一气体通道、第一通气口和第二通气口，所述第一通气口和所述第二通气口均与所述第一气体通道连通，所述第一通气口用于与真空发生器连通，所述吸嘴与所述吸盘本体相连，每个所述吸附部上设有至少一个所述吸嘴，所述吸嘴与所述第二通气口连通，所述吸嘴用于吸取硅片。本发明实施例的吸盘组件具有转运效率高的等优点。
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公开(公告)号：CN118610310A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410799339.6
申请日：2024-06-20
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种钝化装置，属于钝化设备技术领域，用于钝化电池片的待钝化面，钝化装置包括：壳体、钝化晶舟、进气组件以及抽气组件，抽气组件包括：抽气板，抽气板和壳体连接，抽气板朝向钝化通道；抽气管，抽气管和钝化通道连通，用于抽吸经过抽气板的钝化气流；其中，抽气板至少划分为第一抽气区和第二抽气区，形成中央气道、侧壁气道，侧壁气道位于中央气道和小舟上的敞口端面之间，且第二抽气区产生的气流吸力大于第一抽气区产生的的气流吸力，以使得中央气道中的钝化气流具有向侧壁气道运动的趋势，侧壁气道中的钝化气流具有向敞口端面运动的趋势；达到节约钝化气体用量的技术效果。
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公开(公告)号：CN118441358A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410569923.2
申请日：2024-05-08
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
摘要： 本发明属于半导体加工技术领域，公开了扩散炉装置，扩散炉装置包括炉体和内管体，所述炉体具有空腔，所述内管体设置于所述空腔内，沿所述炉体的轴向，所述内管体的至少一端设置有调节组件，所述调节组件能够沿第一方向和第二方向调节所述内管体相对于所述炉体的位置，以使所述内管体和所述炉体同轴设置，所述第一方向和所述第二方向所在平面垂直于所述炉体的轴向。本发明的扩散炉装置能够通过调节组件对内管体相对于炉体的位置在第一方向和第二方向进行调节，始终保持内管体和炉体同轴设置，不需要额外为内管体设置用于调整同轴度的工装夹具，简化结构，使用方便。
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公开(公告)号：CN117821933A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211196990.1
申请日：2022-09-29
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/505 , C23C16/40 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺；该晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺主要包括采用等离子体增强化学气相沉积方法沉积第一氮化硅膜和第二氮化硅膜，沉积时采用的气体包括硅烷、氨气以及氮气；其中，在沉积第一氮化硅膜的步骤中，氨气与硅烷的体积流量之比为3‑6，氮气的体积流量与氨气和硅烷的体积流量之和的比值大于或等于1，硅烷的体积流量为800sccm‑4000sccm；在沉积第二氮化硅膜的步骤中，氨气与硅烷的体积流量之比为5‑12，氮气的体积流量与氨气和硅烷的体积流量之和的比值大于或等于1，硅烷的体积流量为500sccm‑3000sccm。该晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺能够提高同一炉管中沉积得到的减反射膜的品质，且一致性更好，使晶硅电池具有优异的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN117721439A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311789206.2
申请日：2023-12-22
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/515 , C23C16/52 , C23C16/02 , C23C16/56
摘要： 本发明提供一种基于乙硼烷气体进行PECVD沉积P‑poly硅的方法及硅片与装置系统，所述方法包括依次进行的硅片预处理、送样、升温、抽真空、PECVD沉积和热退火处理；其中，所述升温的目标温度为250‑420℃；所述PECVD沉积的压力为1000‑3000mTorr，工艺气体包括SiH4和B2H6，稀释气体包括H2和/或Ar。本发明提供的方法克服了传统LPCVD沉积存在的诸多问题，缩短了耗时及制程，降低了能耗，提升了转换效率，有利于大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN117721438A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311783520.X
申请日：2023-12-22
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/515 , C23C16/52 , C23C16/02
摘要： 本发明提供一种PECVD沉积P‑poly硅的方法及硅片与装置系统，所述方法包括依次进行的硅片预处理、送样、升温、抽真空和PECVD沉积；其中，所述升温的目标温度≤500℃；所述PECVD沉积的压力≤5000mTorr，功率≤18kW，脉冲开关比≥1/25，工艺气体包括SiH4和B2H6，稀释气体包括H2和/或Ar。本发明提供的方法在PECVD沉积P‑poly硅的过程中，解决了爆膜和粉尘等问题的同时避免了石墨舟炉口烧焦，提升了膜色均匀性，有利于大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN117302959A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311596456.4
申请日：2023-11-28
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛光子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种输送设备、清洗装置、清洗系统和石墨舟清洗方法，属于光伏技术领域。该输送设备包括机架；抓舟机械装置，设置于机架上，抓舟机械装置能够同时搬运至少四组石墨舟；软着陆推舟机构，包括升降座和推舟组件，升降座设置于机架内，至少两组推舟组件设置于升降座上，每组推舟组件用于承接并转运两组石墨舟。本发明实现对至少四组石墨舟自动化搬运，提高了搬运效率。通过升降座可以调整推舟组件的高度，用于弥补抓舟机械装置与推舟组件之间的高度差，避免石墨舟砸向推舟组件，使石墨舟在抓舟机械装置与推舟组件交接时实现软着陆，保证石墨舟不会发生磕碰。
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公开(公告)号：CN117080274A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311008534.4
申请日：2023-08-10
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/06
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池膜层的制备方法及N型TOPCon电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域。所述太阳能电池膜层的制备方法包括以下步骤：在氧化炉中对硅片进行热氧化处理，在所述硅片背面沉积隧穿氧化硅层；再在常压化学气相沉积炉中对所述硅片进行气相沉积处理，在所述隧穿氧化硅层上沉积掺杂非晶硅层；所述氧化炉中设有用于输送所述硅片的第一传送带，所述常压化学气相沉积炉中设有用于输送所述硅片的第二传送带，所述第一传送带的输出端与所述第二传送带的输入端对接。所述太能能电池膜层的制备方法得到的隧穿氧化硅层与掺杂非晶硅层的成膜质量高，同时又不影响产能。
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公开(公告)号：CN116913986A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310803500.8
申请日：2023-06-30
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/05
摘要： 本申请提出了一种太阳能电池栅线偏移的修正方法及系统，该方法包括：基于预设间距，通过激光SE设备在太阳能电池片上刻蚀多个重掺杂区，并通过丝网印刷工艺在每个重掺杂区上印刷对应的栅线；通过相机视觉检测技术测量每个重掺杂区与对应的栅线之间的印刷偏移数据；以将栅线调整至对应的重掺杂区的中心为目标，根据印刷偏移数据对相应的重掺杂区的间距进行调整，并更新所述预设间距。该方法可以对重掺杂区域的间距进行调整，提高了电池片光电转换效率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN117987811A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410165329.7
申请日：2024-02-05
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/511 , C23C16/24 , C23C16/56 , C23C16/455
摘要： 本发明提供一种P‑poly硅的沉积方法与硅片及其应用，所述沉积方法包括顺次进行的PECVD沉积和退火处理；所述PECVD沉积采用的工艺气体包括SiH4和B2H6，稀释气体包括H2和/或Ar，且在沉积过程中伴随着B2H6的气体补偿。本发明通过在PECVD沉积过程中伴随着B2H6的气体补偿，提升了沉积均匀性，避免了高频现象，同时降低了沉积温度，缩短了工艺时间，提升了产能利用率和电池的转换效率，有利于大规模推广应用。
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