太阳能电池和光伏组件
    11.
    实用新型

    公开(公告)号:CN217306520U

    公开(公告)日:2022-08-26

    申请号:CN202221032637.5

    申请日:2022-04-29

    Abstract: 本实用新型公开一种太阳能电池和光伏组件,涉及电池技术领域,包括第一钝化接触台阶设置于晶体硅衬底的表面;第二钝化接触台阶设置于第一钝化接触台阶的远离晶体硅衬底的一面;第一钝化减反射台阶设置于第一钝化接触台阶的远离晶体硅衬底的一面;第二钝化减反射台阶设置于第二钝化接触台阶的远离第一钝化接触台阶的一面;电极的一端与第一钝化接触台阶接触,另一端依次贯穿第二钝化接触台阶和第二钝化减反射台阶。本实用新型提供的方案设置多级钝化接触台阶,第一钝化接触台阶厚度较薄,能够减少对长波段光线的寄生吸,有效提升太阳能电池的长波响应以及双面率。第二钝化接触台阶的厚度较厚,能够保证金属化过程中与金属浆料形成良好的欧姆接触。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    太阳能电池及光伏组件
    12.
    实用新型

    公开(公告)号:CN217933805U

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202222024279.X

    申请日:2022-07-28

    Abstract: 本实用新型实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池及光伏组件,太阳能电池包括:基底,基底内掺杂有N型掺杂元素或者P型掺杂元素的一者,基底内具有铝扩散层;铝硅合金层,铝硅合金层至少位于部分铝扩散层远离基底的背面的表面,基底露出铝硅合金层的表面;钝化层,钝化层位于基底的正面,钝化层还位于铝硅合金层的表面;电极,电极沿第一方向排布,电极贯穿钝化层与铝硅合金层电接触;隧穿介质层以及掺杂导电层,隧穿介质层位于基底背面,掺杂导电层位于隧穿介质层远离基底背面的表面,掺杂导电层内掺杂N型掺杂元素或者P型掺杂元素的另一者;背电极,背电极与掺杂导电层相接触,至少可以提升太阳能电池的光电转换效率。

    太阳能电池及其制作方法、光伏组件

    公开(公告)号:CN115188833B

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202111040162.4

    申请日:2021-09-06

    Abstract: 本申请实施例提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件,太阳能电池包括:具有相对前表面和后表面的基底;位于前表面上的钝化叠层包括依次设置的含氧电介质层、第一钝化层和以及第二钝化层,含氧电介质层包含金属氧化物材料,第一钝化层包含氮化硅材料,第二钝化层包括氮氧化硅材料;其中,第一钝化层具有靠近含氧电介质层的第一界面和靠近第二钝化层的第二界面,第二钝化层具有远离第二界面的第三界面,氮元素和硅元素在第二界面处的含量分别大于在第一界面处和第三界面处的含量,氧元素在第二界面处的含量小于在第一界面处和第三界面处的含量;位于后表面上的隧穿氧化层和掺杂导电层。本申请实施例至少有利于提升太阳电池的光吸收效率。

    太阳能电池及光伏组件
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114649427A

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202210266471.1

    申请日:2021-09-14

    Abstract: 本申请提供太阳能电池及光伏组件,其中,太阳能电池包括半导体衬底,半导体衬底的前表面具有第一纹理结构,第一纹理结构包括金字塔状微结构,金字塔状微结构的斜边长度为Cμm,0.4≤C≤1.9;半导体衬底的后表面具有第二纹理结构,第二纹理结构包括至少部分堆叠的两个或多个第一子结构,在远离后表面且垂直于后表面的方向上,最外侧第一子结构的顶部表面及与其相邻的第一子结构的顶部表面的距离H小于等于2μm;位于第一纹理结构上的第一钝化层;位于后表面的隧穿层;位于隧穿层表面的掺杂导电层;位于掺杂导电层表面的第二钝化层。本申请提供的太阳能电池及光伏组件,能够提高形成的第一钝化层的均匀性,提升第一钝化层的减反效果,提高电池的光电转换效率。

    太阳能电池及光伏组件
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117766595A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202310581751.6

    申请日:2021-08-20

    Abstract: 本申请实施例提供一种太阳能电池及光伏组件,太阳能电池包括:基底,所述基底具有相对的第一表面和第二表面;设置在所述第一表面上的第一钝化叠层,所述第一钝化叠层包括沿远离所述第一表面的方向上依次设置的第一富氧介质层、第一富硅介质层、第二富氧介质层以及第二富硅介质层,并且,所述第一富硅介质层的硅原子数占比大于所述第二富硅介质层中的硅原子数占比;设置在所述第二表面上的隧穿氧化层;设置在所述隧穿氧化层上的掺杂导电层;以及设置在所述掺杂导电层上的第二钝化层。本申请实施例有利于提升太阳能电池的吸收效率。

    太阳能电池及光伏组件

    公开(公告)号:CN115472701B

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202110963291.4

    申请日:2021-08-20

    Abstract: 本申请实施例提供一种太阳能电池及光伏组件,太阳能电池包括:基底,所述基底具有相对的第一表面和第二表面;设置在所述第一表面上的第一钝化叠层,所述第一钝化叠层包括沿远离所述第一表面的方向上依次设置的第一富氧介质层、第一富硅介质层、第二富氧介质层以及第二富硅介质层,其中,所述第一富氧介质层的氧原子数占比小于所述第二富氧介质层中的氧原子数占比;设置在所述第二表面上的隧穿氧化层;设置在所述隧穿氧化层上的掺杂导电层;以及设置在所述掺杂导电层上的第二钝化层。本申请实施例有利于提升太阳能电池的吸收效率。

    太阳能电池及光伏组件
    19.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113644145B

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202111211518.6

    申请日:2021-10-18

    Abstract: 本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件,太阳能电池包括:硅基底、第一栅线导电件及第二栅线导电件。硅基底表面上设置有钝化层,第一栅线导电件至少部分设置于钝化层上,第一栅线导电件包括线段部及位于线段部两端的点状部,点状部在线段部宽度方向上的长度大于线段部的宽度。第二栅线导电件至少部分设置于钝化层上,第二栅线导电件的至少一部分与点状部重叠。本申请提供的太阳能电池及光伏组件的开路电压高、转化效率高。

    太阳能电池及光伏组件
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113644145A

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202111211518.6

    申请日:2021-10-18

    Abstract: 本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件,太阳能电池包括:硅基底、第一栅线导电件及第二栅线导电件。硅基底表面上设置有钝化层,第一栅线导电件至少部分设置于钝化层上,第一栅线导电件包括线段部及位于线段部两端的点状部,点状部在线段部宽度方向上的长度大于线段部的宽度。第二栅线导电件至少部分设置于钝化层上,第二栅线导电件的至少一部分与点状部重叠。本申请提供的太阳能电池及光伏组件的开路电压高、转化效率高。

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