公开(公告)号：CN116835580B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202310754333.2

申请日：2023-06-26

申请人： 江苏汉华热管理科技有限公司 ,  苏州鸿凌达电子科技股份有限公司

发明人： 郭志军 ,  吴建祥 ,  赵冉 ,  杨兰贺 ,  黄国伟 ,  涂建军 ,  陈仁政

IPC分类号： C01B32/205 ,  H05K7/20

摘要： 本发明公开了一种单层石墨导热膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：聚酰亚胺厚膜按既定宽度分条后，一次复卷；步骤2：料卷放置于石墨工装上，并送入碳化炉内进行碳化，以得到碳化膜料卷；步骤3：碳化膜料卷取出碳化炉，冷却至室温后，观察碳化膜料卷表面碳化情况，剔除不合格品后，吊装入石墨化炉内进行石墨化，以得到石墨化膜料卷；步骤4：石墨化膜料卷取出石墨化炉，冷却至室温后，自石墨工装上取出每个石墨化膜料卷，二次复卷每个料卷过程中，进行视检，剔除不合格品；步骤5：对二次复卷的石墨化膜料卷进行压延，以得到厚度65‑70μm、90‑100μm、140‑150μm的单层石墨导热膜。

公开(公告)号：CN116835580A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310754333.2

申请日：2023-06-26

申请人： 江苏汉华热管理科技有限公司 ,  苏州鸿凌达电子科技股份有限公司

发明人： 郭志军 ,  吴建祥 ,  赵冉 ,  杨兰贺 ,  黄国伟 ,  涂建军 ,  陈仁政

IPC分类号： C01B32/205 ,  H05K7/20

摘要： 本发明公开了一种单层石墨导热膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：聚酰亚胺厚膜按既定宽度分条后，一次复卷；步骤2：料卷放置于石墨工装上，并送入碳化炉内进行碳化，以得到碳化膜料卷；步骤3：碳化膜料卷取出碳化炉，冷却至室温后，观察碳化膜料卷表面碳化情况，剔除不合格品后，吊装入石墨化炉内进行石墨化，以得到石墨化膜料卷；步骤4：石墨化膜料卷取出石墨化炉，冷却至室温后，自石墨工装上取出每个石墨化膜料卷，二次复卷每个料卷过程中，进行视检，剔除不合格品；步骤5：对二次复卷的石墨化膜料卷进行压延，以得到厚度65‑70μm、90‑100μm、140‑150μm的单层石墨导热膜。

公开(公告)号：CN113248767B

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110509666.X

申请日：2021-05-11

申请人： 苏州鸿凌达电子科技有限公司 ,  深圳市汉华热管理科技有限公司

发明人： 郭志军 ,  黄国伟 ,  陈仁政 ,  涂建军

IPC分类号： C08J7/12 ,  C08J5/18 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C08L79/08

摘要： 本发明公开了一种耐折弯的热电薄膜及其制备方法，属于热电材料技术领域。该方法包括以下步骤：S11，2,2’‑双三氟甲基‑4,4’‑联苯二胺在溶剂中，与六氟二酐、3,3',4,4'‑联苯四甲酸二酐反应，再与乙酸酐、三乙胺反应；S12，沉淀，离心，干燥，得到聚酰亚胺；S13，所述聚酰亚胺溶解于溶剂中，真空脱泡，玻璃板流延，加热除溶剂，剥离，得到薄膜；S14，薄膜进行预处理；S15，溅射N型Bi2Te3。本发明的耐折弯的热电薄膜的制备方法，以聚酰亚胺薄膜为基底，采用磁控溅射法来溅射N型Bi2Te3，得到的热电薄膜具有很好的热电性能和耐弯折效果。

公开(公告)号：CN113301782A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110611922.6

申请日：2021-06-02

申请人： 苏州鸿凌达电子科技有限公司 ,  深圳市汉华热管理科技有限公司

发明人： 郭志军 ,  陈仁政 ,  黄国伟 ,  涂建军 ,  沈敏康

IPC分类号： H05K7/20 ,  F25B21/02 ,  H01L23/38

摘要： 本发明提供一种智能超微型TEC制冷模组，包括：TEC器件和石墨层，所述TEC器件的其中一面连接导热器件，所述导热器件上连接石墨层，所述导热器件和所述石墨层均用于对所述TEC器件进行导热；当TEC器件在工作过程中，还可以通过导热器件、石墨层和导热凝胶的作用下加快散热效率，以实现电子产品能够迅速降温，获得最佳的应用效果；TEC制冷模组可以结合芯片的工作温度状况，通过CPU的指令设定一个阀值作为其工作状态；TEC的半导体特性，决定了整个模组在工作状态下，噪音影响大幅下降的目的；同比当下的各种导热器件理材料，是一种主动散热方案，具备智能导热器件理优势。

公开(公告)号：CN113248767A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110509666.X

申请日：2021-05-11

申请人： 苏州鸿凌达电子科技有限公司 ,  深圳市汉华热管理科技有限公司

发明人： 郭志军 ,  黄国伟 ,  陈仁政 ,  涂建军

IPC分类号： C08J7/12 ,  C08J5/18 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C08L79/08

摘要： 本发明公开了一种耐折弯的热电薄膜及其制备方法，属于热电材料技术领域。该方法包括以下步骤：S11，2,2’‑双三氟甲基‑4,4’‑联苯二胺在溶剂中，与六氟二酐、3,3',4,4'‑联苯四甲酸二酐反应，再与乙酸酐、三乙胺反应；S12，沉淀，离心，干燥，得到聚酰亚胺；S13，所述聚酰亚胺溶解于溶剂中，真空脱泡，玻璃板流延，加热除溶剂，剥离，得到薄膜；S14，薄膜进行预处理；S15，溅射N型Bi2Te3。本发明的耐折弯的热电薄膜的制备方法，以聚酰亚胺薄膜为基底，采用磁控溅射法来溅射N型Bi2Te3，得到的热电薄膜具有很好的热电性能和耐弯折效果。