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公开(公告)号：CN105345830B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510933537.8
申请日：2015-12-15
申请人： 清华大学 , 上海集成电路研发中心有限公司
IPC分类号： B25J15/06
摘要： 本发明公开一种吸盘式机械手，主要针对现有技术下吸盘式机械手定位不精准，容易导致工件损坏的问题；提出了一种包括拾取装置和拾取臂；所述拾取装置包括真空吸盘、与所述真空吸盘连通的真空管和下端与所述真空吸盘上表面连接的滑动轴，其中，所述真空吸盘下表面设置有柔性衬垫，所述滑动轴的上端设置有上限位块，所述滑动轴的下端设置有下限位块；所述拾取臂一端设置有套筒，所述滑动轴设置在所述套筒内，所述上限位块与所述下限位块之间的距离大于所述套筒的长度，所述套筒设置在所述上限位块与所述下限位块之间；当所述滑动轴与所述套筒受力方向相反时，所述滑动轴在所述套筒内滑动的技术方案。本发明能够降低设备成本，避免工件的损坏。
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公开(公告)号：CN103594500A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310632268.2
申请日：2013-12-02
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司 , 清华大学
IPC分类号： H01L29/737 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/265
CPC分类号： H01L29/66242 , H01L21/268
摘要： 本发明一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法，通过在第二多晶硅层进行离子注入N型杂质后，利用适当波长的激光退火来替代常规的快速热退火以激活离子注入的N型杂质，因所选适当波长激光的能量只作用于第二多晶硅层的厚度范围内，而对位于第二多晶硅层下方的SiGe基区不作影响，所以其在有效激活第二多晶硅层中离子注入的N型杂质的前提下，避免了SiGe基区中硼的再扩散，进而防止了异质结势垒效应的发生，使SiGeHBT具有更好的器件性能。
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公开(公告)号：CN101976658A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010297229.8
申请日：2010-09-29
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种钝化层及其制造方法，该钝化层包括形成于半导体基底之上、并且覆盖于半导体基底之中金属线(4)上的非晶硅层(3)，以及依次形成于所述非晶硅层(3)之上的二氧化硅层(2)和氮氧化硅层(1)。该钝化层的制造方法包括以下步骤：S01在半导体基底上沉积非晶硅层(3)，所述的非晶硅层(3)覆盖半导体基底及半导体基底之中的金属线(4)；S02在上述的非晶硅层(3)上沉积二氧化硅层(2)；S03在上述的二氧化硅层(2)上沉积氮氧化硅层(1)。本发明应用于半导体制造技术领域，可以提高半导体芯片的良品率。
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公开(公告)号：CN103728107A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310753714.5
申请日：2013-12-31
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司
发明人： 张伟
IPC分类号： G01M3/08
摘要： 本发明公开了一种检测管状物漏气的装置及方法，包括：水槽、管状物、导气管、充气机、超声波装置、电源；水槽底部设有用于固定所述管状物的第一支架及第二支架，第一支架高于所述第二支架，管状物的高处端部低于液面；管状物的高处端部设有第一闷头塞，管状物的低处端部设有第二闷头塞；充气机通过导气管与管状物的低处端部连接；超声波装置用于产生超声波振动；所述电源用于产生高频交流电流的电源；所述超声波装置与所述电源连接。本发明的优势在于本装置有效提高现有检测装置的准确性，防止有颗粒物堵住漏点使检测装置产生误报，避免把含有漏点的管状物直接安装使用，导致在使用时发生有毒有害的气体泄露，危及人体或造成安全事故。
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公开(公告)号：CN101951230B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010272606.2
申请日：2010-09-03
申请人： 华东师范大学 , 上海集成电路研发中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种宽带低噪声放大器，该放大器包括第一级共源共栅放大电路，第二级共源放大电路，输入输出匹配电路，为电路提供一个高的增益，电流抽取电路使电路的噪声系数降低，MOS管电流源偏置电路和HBT偏置电路，偏置网络滤波电路，进一步降低电路的噪声系数。其中共源共栅电路，在提供高增益的同时增加了电路的反向隔离度，共源放大电路进一步提高了电路的增益。MOS和HBT偏置电路为共栅管和共源管提供稳定低噪声的偏置。偏置滤波电路滤除偏置上的射频信号稳定了偏置，使噪声系数减到最低。本发明可以广泛应用在GSM850，GSM900，DCS1800，PCS1900，WCDMA等现代无线通信标准中。
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公开(公告)号：CN101951224A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010281785.6
申请日：2010-09-15
申请人： 华东师范大学 , 上海集成电路研发中心有限公司
IPC分类号： H03D7/14
摘要： 本发明公开了一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体上变频混频器，该混频器具体电路包含了两个吉尔伯特双平衡单元结构，电路结构从上到下包括输出级，开关级，跨导级，电流源级；同时，电路还采用了电流注入方式，在最顶端有四个N型MOS管，动态抽取流过开关的电流，减小开关的噪声贡献。该混频器结合了双极型器件和MOS器件两者的优点，利用了锗化硅器件低噪声优势，具有低噪声，高线性度，低谐波失真，工作速度快等特点；本发明单边带噪声系数为9dB，输入1dB压缩点为-1.3dB同时转换增益为-2.5dB；本发明可应用于全球通(GSM)系统、射频识别(RFID)系统。
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公开(公告)号：CN102953958B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210510059.6
申请日：2012-12-03
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司
发明人： 张伟
摘要： 本发明公开了一种双低温泵系统，应用于晶圆生产中，包括工艺腔；第一低温泵，第一隔离阀以及第一抽气管；第二低温泵，第二隔离阀以及第二抽气管；以及控制单元，与第一隔离阀和第二隔离阀相连，判断第一低温泵是否满足维护条件，并在第一低温泵满足维护条件时关闭第一隔离阀同时打开第二隔离阀，其中维护条件为第一低温泵故障或第一低温泵的工作参数达到预设值。本发明通过交替使用低温泵，不但使得工艺腔避免了在低温泵维护时的停机，保证生产线的正常运转，也降低了能耗，并延长了低温泵的使用寿命。
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公开(公告)号：CN101951224B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010281785.6
申请日：2010-09-15
申请人： 华东师范大学 , 上海集成电路研发中心有限公司
IPC分类号： H03D7/14
摘要： 本发明公开了一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体上变频混频器，该混频器具体电路包含了两个吉尔伯特双平衡单元结构，电路结构从上到下包括输出级，开关级，跨导级，电流源级；同时，电路还采用了电流注入方式，在最顶端有四个N型MOS管，动态抽取流过开关的电流，减小开关的噪声贡献。该混频器结合了双极型器件和MOS器件两者的优点，利用了锗化硅器件低噪声优势，具有低噪声，高线性度，低谐波失真，工作速度快等特点；本发明单边带噪声系数为9dB，输入1dB压缩点为-1.3dB同时转换增益为-2.5dB；本发明可应用于全球通(GSM)系统、射频识别(RFID)系统。
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公开(公告)号：CN101976658B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201010297229.8
申请日：2010-09-29
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种钝化层及其制造方法，该钝化层包括形成于半导体基底之上、并且覆盖于半导体基底之中金属线(4)上的非晶硅层(3)，以及依次形成于所述非晶硅层(3)之上的二氧化硅层(2)和氮氧化硅层(1)。该钝化层的制造方法包括以下步骤：S01在半导体基底上沉积非晶硅层(3)，所述的非晶硅层(3)覆盖半导体基底及半导体基底之中的金属线(4)；S02在上述的非晶硅层(3)上沉积二氧化硅层(2)；S03在上述的二氧化硅层(2)上沉积氮氧化硅层(1)。本发明应用于半导体制造技术领域，可以提高半导体芯片的良品率。
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公开(公告)号：CN102953958A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210510059.6
申请日：2012-12-03
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司
发明人： 张伟
摘要： 本发明公开了一种双低温泵系统，应用于晶圆生产中，包括工艺腔；第一低温泵，第一隔离阀以及第一抽气管；第二低温泵，第二隔离阀以及第二抽气管；以及控制单元，与第一隔离阀和第二隔离阀相连，判断第一低温泵是否满足维护条件，并在第一低温泵满足维护条件时关闭第一隔离阀同时打开第二隔离阀，其中维护条件为第一低温泵故障或第一低温泵的工作参数达到预设值。本发明通过交替使用低温泵，不但使得工艺腔避免了在低温泵维护时的停机，保证生产线的正常运转，也降低了能耗，并延长了低温泵的使用寿命。
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