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公开(公告)号：CN104762665A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510141570.7
申请日：2015-03-27
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司 , 清华大学
IPC分类号： C30B33/04 , H01L21/268
摘要： 本发明公开了一种激光加工装置及系统、晶圆加工系统，通过激光器、扩束镜、反光镜、聚焦镜、积分棒和聚束透镜组的组合，使激光光束产生匀化后的光斑，其中，积分棒可以将来自聚焦镜的高斯分布的光束进行匀化，通过聚束透镜组将匀化后的激光束斑缩小后，在半导体晶圆上进行光栅式扫描，完成对晶圆的加工。本发明的激光加工装置及系统、晶圆加工系统结构简单，成本低廉，使用方便。
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公开(公告)号：CN102779739B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210242463.X
申请日：2012-07-12
申请人： 清华大学 , 上海集成电路研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/331
摘要： 本发明公开一种功率半导体器件背面制造工艺，为解决现有工艺中杂质激活率低等问题而设计。本发明功率半导体器件背面制造工艺至少包括下述步骤：将正面结构加工完毕的硅片减薄；在硅片背面进行晶格预损伤处理；离子注入掺杂；在550℃以下进行杂质推进处理；用激光退火完成晶格修复处理。晶格预损伤处理的方法为：在硅片的背面进行离子注入，注入浓度在1015至1016之间。用于晶格预损伤处理的离子注入的离子为硅离子、锗离子或氢离子。本发明功率半导体器件背面制造工艺利用离子注入损伤产生的增强扩散效应，通过离子注入晶格预损伤处理、低温推进和激光退火的结合，达到离子注入杂质的有效推进和激活，适用于多种功率器件的生产制造。
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公开(公告)号：CN103779195A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410043683.9
申请日：2014-01-29
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司 , 清华大学
IPC分类号： H01L21/268 , B23K26/00 , B23K26/08 , B23K26/04 , B23K26/70
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/67115
摘要： 本发明涉及一种激光退火方法，用于以激光对晶圆进行退火工艺，其包括如下步骤：将晶圆置于工件台上，以激光束经由一激光匀化整形器投射于晶圆表面形成线形激光束斑；其中，工件台具有垂直及水平方向运动导轨；使线形激光束斑与晶圆表面第一切割道方向形成一夹角，以使线形激光束斑的两个端部分别位于晶圆表面的切割道内；使线形激光束斑相对于晶圆沿第一切割道方向或沿第二切割道方向运动，匀速扫描晶圆表面以对晶圆进行退火工艺。其仅通过简单的机械结构实现，利于实现对晶圆的均匀退火。
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公开(公告)号：CN105355579A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510920250.1
申请日：2015-12-11
申请人： 清华大学 , 上海集成电路研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/6719
摘要： 本发明公开一种非封闭氩气保护工件台，主要针对现有技术下对需要保护的半导体晶圆片的激光加工时需要增加真空腔体及其抽真空机组使得激光退火系统变得庞大和复杂的问题，提出了一种非封闭氩气保护工件台，包括底板和分别与所述底板各边连接的若干侧板，所述各侧板连接成周向封闭的蓄气筒体，所述侧板底部设置有氩气管道，所述氩气管道的另一端连接有氩气供气装置的技术方案。本发明非封闭氩气保护工件台装置简单，改装方便。能够对半导体晶圆片形成良好的气体保护层。本发明非封闭氩气保护工件台转换方便，在既有的基础上能够进行低成本改造，降低了设备投资。本发明中激光发生设备与工件台互不干扰。
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公开(公告)号：CN103551731A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310495854.7
申请日：2013-10-21
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司 , 清华大学
IPC分类号： B23K26/00 , B23K26/06 , B23K26/064
CPC分类号： B23K26/06 , H01L21/02678 , H01L21/67115
摘要： 本发明的一种可旋转匀化器，包括：匀化部件，用于均匀化激光束；旋转装置，具有旋转套筒和内部空腔；其中，匀化部件的边缘外侧通过固定装置固定在内部空腔中；旋转套筒，构成内部空腔的腔体，用于带动匀化部件进行旋转；传动部件，设置于旋转装置上，且连接有驱动装置，在驱动装置的带动下使传动部件进行旋转，进而带动旋转装置进行旋转；固定支座，用于将所述旋转装置固定在光路板上。本发明的激光应用光路和激光退火设备，采用上述可旋转匀化器，避免激光束产生的毛刺长时间固定作用于匀化器的某一位置造成匀化器的损坏，延长了其使用寿命和降低了使用成本。
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公开(公告)号：CN103594500B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201310632268.2
申请日：2013-12-02
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司 , 清华大学
IPC分类号： H01L29/737 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/265
摘要： 本发明一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法，通过在第二多晶硅层进行离子注入N型杂质后，利用适当波长的激光退火来替代常规的快速热退火以激活离子注入的N型杂质，因所选适当波长激光的能量只作用于第二多晶硅层的厚度范围内，而对位于第二多晶硅层下方的SiGe基区不作影响，所以其在有效激活第二多晶硅层中离子注入的N型杂质的前提下，避免了SiGe基区中硼的再扩散，进而防止了异质结势垒效应的发生，使SiGeHBT具有更好的器件性能。
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公开(公告)号：CN103779195B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201410043683.9
申请日：2014-01-29
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司 , 清华大学
IPC分类号： H01L21/268 , B23K26/00 , B23K26/08 , B23K26/04 , B23K26/70
摘要： 本发明涉及一种激光退火方法，用于以激光对晶圆进行退火工艺，其包括如下步骤：将晶圆置于工件台上，以激光束经由一激光匀化整形器投射于晶圆表面形成线形激光束斑；其中，工件台具有垂直及水平方向运动导轨；使线形激光束斑与晶圆表面第一切割道方向形成一夹角，以使线形激光束斑的两个端部分别位于晶圆表面的切割道内；使线形激光束斑相对于晶圆沿第一切割道方向或沿第二切割道方向运动，匀速扫描晶圆表面以对晶圆进行退火工艺。其仅通过简单的机械结构实现，利于实现对晶圆的均匀退火。
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公开(公告)号：CN105345830A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510933537.8
申请日：2015-12-15
申请人： 清华大学 , 上海集成电路研发中心有限公司
IPC分类号： B25J15/06
CPC分类号： B25J15/0625
摘要： 本发明公开一种吸盘式机械手，主要针对现有技术下吸盘式机械手定位不精准，容易导致工件损坏的问题；提出了一种包括拾取装置和拾取臂；所述拾取装置包括真空吸盘、与所述真空吸盘连通的真空管和下端与所述真空吸盘上表面连接的滑动轴，其中，所述真空吸盘下表面设置有柔性衬垫，所述滑动轴的上端设置有上限位块，所述滑动轴的下端设置有下限位块；所述拾取臂一端设置有套筒，所述滑动轴设置在所述套筒内，所述上限位块与所述下限位块之间的距离大于所述套筒的长度，所述套筒设置在所述上限为块与所述下限位块之间；当所述滑动轴与所述套筒受力方向相反时，所述滑动轴在所述套筒内滑动的技术方案。本发明能够降低设备成本，避免工件的损坏。
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公开(公告)号：CN103730356A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310753735.7
申请日：2013-12-31
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司 , 清华大学
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/265
CPC分类号： H01L29/66325 , H01L21/26506 , H01L29/32
摘要： 本发明涉及一种IGBT器件背面制造方法，至少包括下述步骤：a)将正面结构加工完毕的硅片背面减薄；b)在硅片背面用高能离子注入机注入质子H+；c)对硅片进行低温退火；d)在硅片背面用离子注入机注入磷和/或硼杂质；e)以激光退火工艺完成硅片背面表层的晶格修复，并激活杂质。其利用离子注入缺陷产生的复合中心形成少子控制区，有效降低少子寿命，且当IGBT正向关断时，其通过提高载流子的复合效率，有效降低IGBT的关断时间和功耗，该方法简单而有效、便于推广。
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公开(公告)号：CN102779739A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210242463.X
申请日：2012-07-12
申请人： 清华大学 , 上海集成电路研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/331
摘要： 本发明公开一种功率半导体器件背面制造工艺，为解决现有工艺中杂质激活率低等问题而设计。本发明功率半导体器件背面制造工艺至少包括下述步骤：将正面结构加工完毕的硅片减薄；在硅片背面进行晶格预损伤处理；离子注入掺杂；在550℃以下进行杂质推进处理；用激光退火完成晶格修复处理。晶格预损伤处理的方法为：在硅片的背面进行离子注入，注入浓度在1015至1016之间。用于晶格预损伤处理的离子注入的离子为硅离子、锗离子或氢离子。本发明功率半导体器件背面制造工艺利用离子注入损伤产生的增强扩散效应，通过离子注入晶格预损伤处理、低温推进和激光退火的结合，达到离子注入杂质的有效推进和激活，适用于多种功率器件的生产制造。
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