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公开(公告)号:CN114927158A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202210674740.8
申请日:2022-06-15
Abstract: 本发明提供了一种忆阻器的状态检测及其读写装置,属于忆阻器的应用技术领域;本发明的装置包括:模拟模块、数字模块、忆阻器模块以及检测电路;通过分析比较忆阻器的几类窗函数模型,使其能在电气特性方面和阻变存储单元的阻变转变特性相一致;并对状态检测读写电路进行仿真验证,并对状态检测电路进行优化。
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公开(公告)号:CN115020660B
公开(公告)日:2023-11-24
申请号:CN202210404309.1
申请日:2022-04-18
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/60 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种PQ‑MnO2复合电极材料及其制备方法和应用,属于电极材料制备技术领域。本发明是以PQ、乙炔黑、高锰酸钾、浓硫酸等为原材料,首先将高锰酸钾、浓硫酸等原材料配成溶液、其次进行水热反应、抽滤、干燥,从而得到MnO2,再将其与PQ以及乙炔黑一起研磨混合均匀、最后进行球磨,从而使PQ和MnO2均匀形成PQ‑MnO2复合电极材料。本发明通过机械球磨混合,得到PQ‑MnO2复合电极材料,其中PQ与MnO2的相互作用,提高了PQ的电压平台,且较单独的PQ或MnO2,复合材料的容量更高,循环稳定性更好。
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公开(公告)号:CN114229903B
公开(公告)日:2023-10-31
申请号:CN202111395962.8
申请日:2021-11-23
Abstract: 本发明公开了一种MnO2电极材料及其制备方法和应用,属于储能材料技术领域。本发明MnO2电极材料的制备方法,包括以下几个步骤:(1)将聚乙二醇滴入高锰酸钾水溶液中搅拌均匀;(2)将配制好的溶液放入高压反应釜中进行水热反应;(3)对反应后的溶液进行过滤、干燥处理;(4)收集干燥后的样品并在空气中进行退火处理,得到所述的MnO2电极材料。本发明制备得到的MnO2电极材料具有较高的表面活性位点,而且MnO2表面有一层C膜,使得MnO2电极材料具有良好的导电性和较高的比容量。其在5A/g电流密度下充放电2000圈后比容量从143.0mAh/g降到98.6mAh/g,比容量保持率接近70%。
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公开(公告)号:CN115879530A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202310186971.9
申请日:2023-03-02
IPC: G06N3/08 , G06N3/0464 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种面向RRAM存内计算系统阵列结构优化的方法,主要是利用后训练量化算法中的相应公式对基于RRAM的存内计算系统阵列结构进行优化处理,在保证计算准确率和精度的情况下,减小阵列面积,降低系统功耗。本发明的有益效果是:本发明适配于多层感知机和卷积神经网络等多种神经网络,在相同计算情况下,通过减半1T1R阵列规模,有效减少系统面积、降低系统能耗,提升系统计算效率,结合RRAM器件制备工艺不够成熟的现状,更适用于商业化落地;本发明在CNN卷积层的卷积核数量增多的情况下,阵列规模是常规技术的一半,但额外添加计算XZWQ和XQWZ的乘法器数量保持不变,系统总体性能优势十分显著。
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公开(公告)号:CN115275026A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210917775.X
申请日:2022-08-01
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域,公开了一种2D/3D钙钛矿太阳能电池及其制备方法,在2D钙钛矿层表面加盖载玻片使PEAI溶液与3D钙钛矿表面充分接触,使用PEAI作为2D钙钛矿阻挡层,在3D钙钛矿薄膜的顶部原位生长2D覆盖层,改进2D层的退火方法以及PEAI的浓度,使用低温碳浆料替代空穴传输层HTM以及金属电极,进而制备得到2D/3D钙钛矿太阳能电池。本发明使用低温碳浆料替代昂贵的空穴传输层HTM以及金属电极,避免了长时间放置金属电极与钙钛矿层相互渗透也大大缩减了实验成本。本发明制备的钙钛矿电池成本低、热稳定性显著提高,在70℃加热10h后仍能保持初始效率的90%,光电效率可达14.63%。
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公开(公告)号:CN115101925A
公开(公告)日:2022-09-23
申请号:CN202210734078.0
申请日:2022-06-27
Abstract: 本发明属于天线技术领域,公开了一种基于缺陷地的多频宽带化PIFA天线,包括由上向下依次排列的辐射单元、介质层、接地平面,以及短路壁和同轴馈线;短路壁一端与辐射单元连接,另一端穿过介质层和接地平面连接;同轴馈线一端与辐射单元连接,另一端穿过介质层和接地平面后与馈源连接进行馈电;辐射单元、接地平面平行设置,辐射单元中心处刻蚀有缝隙加载结构,接地平面上刻蚀有缺陷地结构。本发明用于实现PIFA天线的多频及小型化,具有结构简单,加工方便,易于集成的优势。
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公开(公告)号:CN115000211A
公开(公告)日:2022-09-02
申请号:CN202210587796.X
申请日:2022-05-27
IPC: H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/102 , H01L31/18 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法,该日盲型紫外光电探测器,包括:导电基底,其上开设有沟道;In掺杂的Ga2O3纳米柱阵列,其位于沟道上。本发明的日盲型紫外光电探测器,导电基底为自带沟道的导电基底,因而在导电基底的沟道两侧自然形成电极,而且目前大多数器件都需要额外制作电极,不仅增加了实验步骤还大大增加了实验成本,本发明采用自带沟道的导电基底不需要额外制备电极,大大简化了实验步骤和实验成本;同时本申请采用In掺杂的Ga2O3纳米柱阵列,使得日盲型紫外光电探测器器件具有更低的暗电流,在低光强下仍具有较高的开关比。
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公开(公告)号:CN114229903A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202111395962.8
申请日:2021-11-23
Abstract: 本发明公开了一种MnO2电极材料及其制备方法和应用,属于储能材料技术领域。本发明MnO2电极材料的制备方法,包括以下几个步骤:(1)将聚乙二醇滴入高锰酸钾水溶液中搅拌均匀;(2)将配制好的溶液放入高压反应釜中进行水热反应;(3)对反应后的溶液进行过滤、干燥处理;(4)收集干燥后的样品并在空气中进行退火处理,得到所述的MnO2电极材料。本发明制备得到的MnO2电极材料具有较高的表面活性位点,而且MnO2表面有一层C膜,使得MnO2电极材料具有良好的导电性和较高的比容量。其在5A/g电流密度下充放电2000圈后比容量从143.0mAh/g降到98.6mAh/g,比容量保持率接近70%。
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公开(公告)号:CN114050281B
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202111290349.X
申请日:2021-11-02
Abstract: 本发明提供了一种空心碳纳米球复合催化剂及其制备方法和应用,该复合催化剂的制备方法,包括以下步骤:制备碳空心球;将Pt前驱物、乙酰丙酮金属化合物,加入至醇溶剂中,然后再加入碳空心球混合均匀后,得到混合粉末;将混合粉末置于管式炉中在还原气体下热解还原即得空心碳纳米球复合催化剂。本发明制备得到的复合催化剂,在还原气体下采用化学气相沉积方法,将各类前驱物金属原子热解还原后原位同步沉积在碳空心球上,获得了尺寸、成分可控的Pt基纳米合金‑碳空心球复合电催化剂;该方法不仅有效地控制了合金颗粒的尺寸,而且实现了纳(56)对比文件Chen, ZY等.Iron and Nitrogen Co-dopedCarbon Spheres as High Efficiency OxygenReduction Catalyst《.INTERNATIONAL JOURNALOF ELECTROCHEMICAL SCIENCE》.2021,第16卷(第5期),第1-8页.
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公开(公告)号:CN115879530B
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202310186971.9
申请日:2023-03-02
IPC: G06N3/08 , G06N3/0464 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种面向RRAM存内计算系统阵列结构优化的方法,主要是利用后训练量化算法中的相应公式对基于RRAM的存内计算系统阵列结构进行优化处理,在保证计算准确率和精度的情况下,减小阵列面积,降低系统功耗。本发明的有益效果是:本发明适配于多层感知机和卷积神经网络等多种神经网络,在相同计算情况下,通过减半1T1R阵列规模,有效减少系统面积、降低系统能耗,提升系统计算效率,结合RRAM器件制备工艺不够成熟的现状,更适用于商业化落地;本发明在CNN卷积层的卷积核数量增多的情况下,阵列规模是常规技术的一半,但额外添加计算XZWQ和XQWZ的乘法器数量保持不变,系统总体性能优势十分显著。
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