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公开(公告)号：CN111740014A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010548250.4
申请日：2020-06-16
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明涉及纳米材料制备的技术领域，具体涉及一种太阳能电池用二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层的制备方法，首先在导电基底上沉积二维SnO2晶种层薄膜，接着在二维SnO2晶种层薄膜表面水热生长一维有序SnO2纳米棒阵列，之后在一维SnO2纳米棒阵列的间隙底部蒸镀沉积零维SnO2纳米颗粒，制备得到二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层。本发明的制备方法，制备的电子传输层在厚度方向上高度取向，并具有较少的晶界，这能够加速电荷的传输；通过在一维SnO2纳米棒阵列的间隙底部沉积零维的SnO2纳米晶，能够有效减少因导电基底裸露而产生的漏电流，制备的电池的电荷收集效率高。
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公开(公告)号：CN108855149A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810602422.4
申请日：2018-06-12
Applicant: 湖北文理学院
IPC: B01J27/057 , C01B3/02
Abstract: 复合光催化剂及其制备方法，属于光催化领域。复合光催化剂包括MoS2纳米片及吸附于MoS2纳米片的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱，Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层。其具备吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光催化产氢量子产率高等优点。复合光催化剂的制备方法包括将含MoS2纳米片的第一反应液滴加于含Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的第二反应液中超声分散，得复合光催化剂。其可控性好、成本低、适用范围广，制得的光催化剂吸光效率及产氢效率高。
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公开(公告)号：CN107359250A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710566863.9
申请日：2017-07-12
Applicant: 湖北文理学院
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42 , H01L51/0001 , H01L2251/10 , H01L2251/301
Abstract: 一种杂化碘化亚铜空穴传输层薄膜及其制备方法，属于空穴传输层薄膜领域。薄膜包括基片及由共混药品成膜于基片的薄膜，共混药品包括：碘化亚铜及碘化银。成型好、成本低、空穴传输效率高、光电性能优良。制备方法包括：将共混药品球磨后蒸镀于基片。其操作方便、可控性好、成膜的质量高、成品率高、成型效率高、成本低、适用范围广，适合进行工业化的大规模的生产。
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公开(公告)号：CN107359050A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710569389.5
申请日：2017-07-13
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2059
Abstract: 一种荧光共振能量转移光阳极及其制备方法，属于光阳极技术领域。光阳极含导电基片、吸附于该基片的n型半导体膜及吸附于该半导体膜的光电传输层，光电传输层含连接于该半导体膜的方酸染料、连接于方酸染料的卤代硫醇及连接于卤代硫醇的Ⅰ型核壳结构量子点，该量子点的壳层导带位置高于方酸染料的LUMO能级。光谱响应范围宽、吸光效率高、荧光共振能量转移效率及光电转化效率高。方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于方酸染料醇溶液中敏化、于卤代硫代乙酸酯的甲苯溶液中回流卤代后水解，得连接有功能桥链分子的半导体光阳极；将含ZnS壳层的Ⅰ型核壳结构量子点分散于甲苯浸泡该半导体光阳极2～12h。操作简单、可控性好、成本低。
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公开(公告)号：CN107235508A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710610280.1
申请日：2017-07-25
Applicant: 湖北文理学院
IPC: C01G23/053 , C01G23/08 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种顶部具有分枝结构的二氧化钛纳米棒阵列的制备方法及阵列，属于纳米材料领域。方法包括：在生长于导电衬底的二氧化钛纳米棒阵列的顶部溅射金属钛纳米颗粒，第一次烧结，得复合阵列。将复合阵列置于钛酸四丁酯的盐酸溶液中，130～180℃条件下水热反应2～5h，第二次烧结。钛酸四丁酯的盐酸溶液中钛酸四丁酯的浓度为0.005～0.02mol/L。操作简单、可控性好、重复率高、制备周期短、反应条件温和、原料价格低廉、化学性质稳定、环境友好、易于工业化大规模生产。阵列由上述方法制得，比表面积大、光散射能力强、结构稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119966028A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510070560.2
申请日：2025-01-16
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明公开了一种利用废旧电池的备用电源系统、备用电源、装置和方法，涉及集成电路测试技术领域，利用废旧电池的备用电源系统，包括：电池模块和输入控制模块，所述电池模块由多个梯次电池组组成，所述电池模块与所述输入控制模块连接，所述输入控制模块与负载连接，本发明采用了多个废旧电池组构建模块化电池系统，并通过输入控制模块对各电池组的电压进行实时监测和排序，从而实现了基于电压状态的动态调度放电，实现稳定的对废旧电池进行二次利用。
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公开(公告)号：CN114975656B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202210629112.8
申请日：2022-06-01
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿前驱体溶液、制备方法和应用，本发明提供一种钙钛矿前驱体溶液，所述钙钛矿前驱体溶液包括碳酰肼和CsPbI3，所述CsPbI3和所述碳酰肼的摩尔比为1：(0.01～0.02)。相较于现有技术，在本发明中，通过将CsPbI3中加入碳酰肼得到钙钛矿前驱体溶液，加快了中间相向黑相的转变，减少外界因素对薄膜表面造成的不利影响，从而制备出的形貌好、结晶度高、缺陷密度低的CsPbI3无机钙钛矿薄膜。
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公开(公告)号：CN114284372B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202111447082.0
申请日：2021-11-30
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01L31/0264 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种三层纳米棒阵列异质结结构及其制备方法，涉及某技术领域。其中，所述三层纳米棒阵列异质结结构包括依次层叠设置的SnO2纳米棒阵列层、TiO2纳米棒阵列层和ZnO纳米棒阵列层。本发明通过构建三层纳米棒阵列、以及对每层纳米棒阵列中材料的合理选择，一方面使所述异质结结构具有梯度能带结构，从而能加速光生电子和空穴的分离，另一方面通过将每层设计为一维的纳米棒阵列结构，为光生载流子的传输提供了高速通道，两者协同作用，共同提高了电荷传输效率，使所述三层纳米棒阵列异质结结构的光电化学性能优异；此外，该三层纳米棒阵列异质结结构还具有比表面积大的特点，因此其对光的利用率高。
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公开(公告)号：CN113135591B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202110316509.7
申请日：2021-03-24
Applicant: 湖北文理学院
IPC: C01G23/053 , B82Y40/00 , C23C18/12
Abstract: 本发明公开一种二氧化钛纳米棒阵列的制备方法，所述二氧化钛纳米棒阵列的制备方法包括以下步骤：提供一衬底；将聚乙烯吡咯烷酮溶解在1‑戊醇中，然后加入柠檬酸钠水溶液，混合形成透明的微乳液；将去离子水与浓盐酸混合搅拌后，向其中加入钛酸四丁酯，混合形成钛源前驱液；将所述微乳液和所述钛源前驱液混合，然后将所述衬底放入混合溶液中，然后在80～130℃的温度下反应5～30h，反应结束后取出所述衬底并清洗、烘干，得到生长于所述衬底表面的二氧化钛纳米棒阵列。本发明提供了一种反应条件温和的制备方法，大幅降低了常规水热法制备二氧化钛纳米棒阵列的反应温度，在80～130℃的反应温度下即可制备出结晶良好的二氧化钛纳米棒阵列。
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公开(公告)号：CN115101681A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210619587.9
申请日：2022-06-01
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明公开一种锡基钙钛矿电池的制备方法，包括以下制备步骤：在导电玻璃基板上设置空穴传输层；向FAxMA1‑xPbySn1‑yI3溶液中加入碳酰肼，获得钙钛矿前驱体溶液；在所述空穴传输层上设置钙钛矿前驱体层；在所述钙钛矿前驱体溶液层上由下至上依次设置电子传输层、缓冲层和背电极层。本制备方法通过在FAxMA1‑xPbySn1‑yI3溶液中加入碳酰肼从而抑制钙钛矿前驱体氧化，同时还能够调控结晶速率，从而制备出表面光滑且不易被氧化稳定性好的钙钛矿前驱体层。
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