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公开(公告)号：CN114843406A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210358946.X
申请日：2022-04-02
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明公开一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法及半透明太阳能电池的制备方法，该钙钛矿薄膜的制备方法包括以下步骤：将甲基溴化铵、溴化铅、碘化铅、甲脒氢碘酸盐和氯甲胺溶于混合溶剂中，混匀，得到前驱体溶液；将前驱体溶液涂设于基底上，然后在65～75℃下退火4～6min，再在145～155℃下退火8～12min，得到有机无机杂化钙钛矿薄膜；混合溶剂包括DMF和第一溶剂，DMF和第一溶剂的体积比为8.9～9.1：0.9～1.1，第一溶剂包括N‑乙基‑2‑吡咯烷酮、N‑甲基‑2‑哌啶酮和N‑N‑2‑甲基乙酰胺。本发明通过对前驱体溶液中的混合溶剂的组分和配比进行设计，制得了形貌好、结晶度高、缺陷密度低的有机无机杂化钙钛矿薄膜；同时，省去了反溶剂的添加，从而实现了钙钛矿薄膜的大面积制备。
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公开(公告)号：CN115101681B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202210619587.9
申请日：2022-06-01
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明公开一种锡基钙钛矿电池的制备方法，包括以下制备步骤：在导电玻璃基板上设置空穴传输层；向FAxMA1‑xPbySn1‑yI3溶液中加入碳酰肼，获得钙钛矿前驱体溶液；在所述空穴传输层上设置钙钛矿前驱体层；在所述钙钛矿前驱体溶液层上由下至上依次设置电子传输层、缓冲层和背电极层。本制备方法通过在FAxMA1‑xPbySn1‑yI3溶液中加入碳酰肼从而抑制钙钛矿前驱体氧化，同时还能够调控结晶速率，从而制备出表面光滑且不易被氧化稳定性好的钙钛矿前驱体层。
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公开(公告)号：CN115108917A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210629111.3
申请日：2022-06-01
Applicant: 湖北文理学院
IPC: C07C209/90 , C07C211/04 , C07C231/22 , C07C233/03 , H01L51/42 , H01L51/46 , H01L51/48
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿前驱体溶液及制备方法，所述钙钛矿前驱体溶液中，包括胺类还原剂和1mol/L～2mol/L的FAxMA1‑xPbySn1‑yI3，所述胺类还原剂与所述钙钛矿前驱体溶液中的溶剂体积比为1：(120～150)，其中，x为大于0且小于1的任意数值，y为大于0且小于1的任意数值，FA为甲酰胺离子，MA为甲胺离子。本发明中，通过往含FAxMA1‑xPbySn1‑yI3的钙钛矿前驱体溶液中，加入胺类还原剂，增强稳定性，可以使钙钛矿前驱体溶液在长时间的制备过程中，不被氧化，同时降低了制备过程中的结晶速度，因而使制备出的钙钛矿薄膜更加顺滑。
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公开(公告)号：CN114975656B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202210629112.8
申请日：2022-06-01
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿前驱体溶液、制备方法和应用，本发明提供一种钙钛矿前驱体溶液，所述钙钛矿前驱体溶液包括碳酰肼和CsPbI3，所述CsPbI3和所述碳酰肼的摩尔比为1：(0.01～0.02)。相较于现有技术，在本发明中，通过将CsPbI3中加入碳酰肼得到钙钛矿前驱体溶液，加快了中间相向黑相的转变，减少外界因素对薄膜表面造成的不利影响，从而制备出的形貌好、结晶度高、缺陷密度低的CsPbI3无机钙钛矿薄膜。
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公开(公告)号：CN115101681A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210619587.9
申请日：2022-06-01
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明公开一种锡基钙钛矿电池的制备方法，包括以下制备步骤：在导电玻璃基板上设置空穴传输层；向FAxMA1‑xPbySn1‑yI3溶液中加入碳酰肼，获得钙钛矿前驱体溶液；在所述空穴传输层上设置钙钛矿前驱体层；在所述钙钛矿前驱体溶液层上由下至上依次设置电子传输层、缓冲层和背电极层。本制备方法通过在FAxMA1‑xPbySn1‑yI3溶液中加入碳酰肼从而抑制钙钛矿前驱体氧化，同时还能够调控结晶速率，从而制备出表面光滑且不易被氧化稳定性好的钙钛矿前驱体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115000190A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210628860.4
申请日：2022-06-01
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种全无机CsPbI3钙钛矿电池及其制备方法，包括以下步骤：在导电玻璃上层叠设置电子传输层；在所述电子传输层上层叠设置CsPbI3钙钛矿吸光层；在所述CsPbI3钙钛矿吸光层上层叠设置二茂铁保护层；在所述二茂铁保护层上层叠设置空穴传输层；在所述空穴传输层上层叠设置电极层，得到全无机CsPbI3钙钛矿电池。本发明提供的全无机CsPbI3钙钛矿电池的制备方法，在CsPbI3钙钛矿吸光层制备一层二茂铁保护层，减少空气中的水分和氧气对CsPbI3钙钛矿吸光层表面造成的不利影响。
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公开(公告)号：CN114464692A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210076369.5
申请日：2022-01-21
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开一种钙钛矿墨水以及其应用，涉及钙钛矿太阳能电池技术领域。其中，所述钙钛矿墨水包括以下组分：二甲胺氢碘酸盐、碘化铅、碘化铯和混合溶剂，其中，所述混合溶剂包括二甲基甲酰胺和二甲基亚砜，所述二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的体积比为6.8～7.2：2.8～3.2。本发明通过对原料的选择、混合溶剂比例的设计，使得到的钙钛矿墨水能在160℃制得CsPbI3薄膜，实现了CsPbI3成膜的低温退火，且得到的CsPbI3薄膜的形貌好、晶界稳定性高、缺陷密度低，从而使CsPbI3薄膜的温度和湿度稳定性优异；此外，低温退火的实现，使CsPbI3薄膜的制备更易操作，成本低廉，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN115108917B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202210629111.3
申请日：2022-06-01
Applicant: 湖北文理学院
IPC: C07C209/90 , C07C211/04 , C07C231/22 , C07C233/03 , H10K85/50 , H10K30/30
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿前驱体溶液及制备方法，所述钙钛矿前驱体溶液中，包括胺类还原剂和1mol/L～2mol/L的FAxMA1‑xPbySn1‑yI3，所述胺类还原剂与所述钙钛矿前驱体溶液中的溶剂体积比为1：(120～150)，其中，x为大于0且小于1的任意数值，y为大于0且小于1的任意数值，FA为甲酰胺离子，MA为甲胺离子。本发明中，通过往含FAxMA1‑xPbySn1‑yI3的钙钛矿前驱体溶液中，加入胺类还原剂，增强稳定性，可以使钙钛矿前驱体溶液在长时间的制备过程中，不被氧化，同时降低了制备过程中的结晶速度，因而使制备出的钙钛矿薄膜更加顺滑。
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公开(公告)号：CN114975656A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210629112.8
申请日：2022-06-01
Applicant: 湖北文理学院
IPC: H01L31/032 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿前驱体溶液、制备方法和应用，本发明提供一种钙钛矿前驱体溶液，所述钙钛矿前驱体溶液包括碳酰肼和CsPbI3，所述CsPbI3和所述碳酰肼的摩尔比为1：(0.01～0.02)。相较于现有技术，在本发明中，通过将CsPbI3中加入碳酰肼得到钙钛矿前驱体溶液，加快了中间相向黑相的转变，减少外界因素对薄膜表面造成的不利影响，从而制备出的形貌好、结晶度高、缺陷密度低的CsPbI3无机钙钛矿薄膜。
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公开(公告)号：CN114843406B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202210358946.X
申请日：2022-04-02
Applicant: 湖北文理学院
Abstract: 本发明公开一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法及半透明太阳能电池的制备方法，该钙钛矿薄膜的制备方法包括以下步骤：将甲基溴化铵、溴化铅、碘化铅、甲脒氢碘酸盐和氯甲胺溶于混合溶剂中，混匀，得到前驱体溶液；将前驱体溶液涂设于基底上，然后在65～75℃下退火4～6min，再在145～155℃下退火8～12min，得到有机无机杂化钙钛矿薄膜；混合溶剂包括DMF和第一溶剂，DMF和第一溶剂的体积比为8.9～9.1：0.9～1.1，第一溶剂包括N‑乙基‑2‑吡咯烷酮、N‑甲基‑2‑哌啶酮和N‑N‑2‑甲基乙酰胺。本发明通过对前驱体溶液中的混合溶剂的组分和配比进行设计，制得了形貌好、结晶度高、缺陷密度低的有机无机杂化钙钛矿薄膜；同时，省去了反溶剂的添加，从而实现了钙钛矿薄膜的大面积制备。
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