公开(公告)号：CN114944342A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210856839.X

申请日：2022-07-21

Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 ,  湖北江城实验室

Inventor： 刘天建 ,  田应超 ,  曹瑞霞 ,  王逸群 ,  刘淑娟

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/66 ,  H01L23/485

Abstract: 本公开实施例提供一种键合补偿方法及装置、芯片再布线方法、键合结构。所述补偿方法包括：提供至少一个底部芯片，所述底部芯片上键合有多个顶部芯片；获取各个所述顶部芯片的实际键合位置相对于所述底部芯片的偏移量和各个所述顶部芯片上的待形成再布线层的设置位置相对于所述底部芯片的预设误差精度；构建包含预补偿参数的所述待形成再布线层的设置位置相对于各个所述顶部芯片的补偿量，以所述预设误差精度作为边界条件，计算得到所述预补偿参数；其中，所述预补偿参数为所述待形成再布线层的设置位置相对于所述底部芯片的补偿参数。

公开(公告)号：CN119252743B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411786762.9

申请日：2024-12-05

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 彭昊阳 ,  刘淑娟 ,  杨展頔 ,  王锦驰

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中制备方法包括：提供衬底，在衬底的第一表面上依次形成掩埋式电源轨及器件结构。在衬底的第二表面上形成第一介质层，并至少对第一介质层执行刻蚀工艺以形成通孔结构和开口结构，开口结构位于通孔结构的周围，通孔结构暴露出掩埋式电源轨，其中，第一表面与第二表面为衬底相对设置的两个表面。执行填充工艺，以在开口结构中形成应力吸收结构，并在通孔结构中形成导电结构。

公开(公告)号：CN119252798A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411777712.4

申请日：2024-12-04

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 彭昊阳 ,  刘淑娟 ,  江仲开 ,  王一鸣

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 本公开实施例提供了一种半导体的制备方法及半导体结构，其中，所述方法包括：在衬底的第一表面上形成凹槽结构；依次形成第一阻挡层和第一钝化层，第一阻挡层覆盖凹槽结构的侧壁和底部，第一钝化层覆盖第一阻挡层位于凹槽结构的底部的部分；将第一阻挡层与凹槽底部接触的表面定义为预设表面。在凹槽结构中形成掩埋式电源轨；在衬底的第二表面上形成通孔结构，通孔结构暴露出第一阻挡层的预设表面；其中，第一表面与第二表面为衬底相对设置的两个表。形成第二钝化层，第二钝化层位于通孔结构的底部并覆盖至少部分预设表面；在通孔结构中填充第二导电材料以形成导电结构；执行热处理工艺，以在导电结构与掩埋式电源轨之间形成目标界面。

公开(公告)号：CN114226984B

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202111478198.0

申请日：2021-12-06

Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 ,  湖北江城实验室

Inventor： 刘天建 ,  田应超 ,  曹瑞霞 ,  刘淑娟

IPC: B23K26/346 ,  B23K26/38 ,  B23K26/16 ,  B23K26/70 ,  B23K10/00 ,  B23K101/36

Abstract: 本发明提供了一种晶圆的切割方法，采用第一激光切割工艺沿所述保护液的表面向下开槽，形成从所述保护液的表面延伸至所述介质层内的第一凹槽，所述第一凹槽的边缘上方形成有熔渣；采用第二激光切割工艺沿所述第一凹槽的底面向下开槽，形成连通所述第一凹槽的第二凹槽，且所述第一凹槽的横向宽度大于所述第二凹槽的横向宽度，所述第二凹槽的边缘上方形成有熔渣；进行等离子切割工艺沿所述第二凹槽的底面向下开槽，形成第三凹槽，所述第一凹槽、所述第二凹槽及所述第三凹槽共同贯穿所述晶圆并构成切割道，同时去除所述第一凹槽和所述第二凹槽的边缘上方的熔渣。本发明有利于提高混合键合工艺的效果。

公开(公告)号：CN114589419B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210489798.5

申请日：2022-05-07

Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 ,  湖北江城实验室

Inventor： 田应超 ,  刘天建 ,  胡杏 ,  王逸群 ,  刘淑娟

IPC: B23K26/38

Abstract: 本公开实施例公开了一种晶圆的切割方法和激光切割装置。所述切割方法包括：提供待切割晶圆；其中，所述待切割晶圆包括多个管芯以及位于相邻的两个管芯之间的切割道；所述切割道包括沿所述切割道延伸方向并列设置的至少两个子区域；所述至少两个子区域内的材质厚度分布不同；对第一个所述子区域施加第一激光能量，以切割第一个所述子区域；其中，所述第一激光能量是根据第一个所述子区域内材质厚度分布的第一统计信息确定的；对第二个所述子区域施加第二激光能量，以切割第二个所述子区域；其中，所述第二激光能量是根据第二个所述子区域内材质厚度分布的第二统计信息确定的，所述第二激光能量和所述第一激光能量不同。