公开(公告)号：CN117222305A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311316375.4

申请日：2023-10-11

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 任小宁 ,  王一鸣 ,  汪松 ,  刘淑娟

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：基底；第一电极层，位于基底上；第一电极层包括多个间隔分布的第一凸起结构；第一凸起结构的横截面积自顶面至底面逐渐增大；功能层，覆盖第一电极层和基底；第二电极层，位于功能层上；其中，在第一电极层和第二电极层的电场作用下，第一凸起结构的顶面与第二电极层之间能够形成导电通道。

公开(公告)号：CN119252798A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411777712.4

申请日：2024-12-04

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 彭昊阳 ,  刘淑娟 ,  江仲开 ,  王一鸣

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 本公开实施例提供了一种半导体的制备方法及半导体结构，其中，所述方法包括：在衬底的第一表面上形成凹槽结构；依次形成第一阻挡层和第一钝化层，第一阻挡层覆盖凹槽结构的侧壁和底部，第一钝化层覆盖第一阻挡层位于凹槽结构的底部的部分；将第一阻挡层与凹槽底部接触的表面定义为预设表面。在凹槽结构中形成掩埋式电源轨；在衬底的第二表面上形成通孔结构，通孔结构暴露出第一阻挡层的预设表面；其中，第一表面与第二表面为衬底相对设置的两个表。形成第二钝化层，第二钝化层位于通孔结构的底部并覆盖至少部分预设表面；在通孔结构中填充第二导电材料以形成导电结构；执行热处理工艺，以在导电结构与掩埋式电源轨之间形成目标界面。