公开(公告)号：CN109814283A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201910238081.1

申请日：2019-03-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文岐业 ,  唐亚华 ,  张岱南 ,  何雨莲 ,  杨青慧 ,  陈智 ,  张怀武 ,  沈仕远

IPC: G02F1/01 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明提供一种低电压驱动的常开型太赫兹超表面调制器及制备方法，包括高阻硅衬底、埋栅电极、二氧化钒薄膜以及超表面层微结构，高阻硅衬底表面上侧依次是二氧化钒薄膜、超表面层微结构；二氧化钒薄膜包括正方形二氧化钒薄膜块和隔离二氧化钒薄膜，超表面层微结构由若干个金属结构单元周期性排列构成，每个金属结构单元为一个正方形金属块，每个正方形金属块中部设有一个H型槽，H型槽中间的横向段下方设有一个正方形二氧化钒薄膜块，每个正方形金属块的底部通过金属条相连，并最终与漏电极相连接。本器件可广泛应用于太赫兹波通信系统、太赫兹波探测、太赫兹波成像等领域。

公开(公告)号：CN106646930A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611244496.2

申请日：2016-12-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文岐业 ,  刘洋 ,  何雨莲 ,  刘浩天 ,  陈智 ,  杨青慧 ,  张怀武

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/015

CPC classification number: G02F1/0102 ,  G02F1/015

Abstract: 本发明属于太赫兹波应用技术领域，提供一种基于柔性石墨烯场效应晶体管结构的多级太赫兹调制器，用以克服现有石墨烯晶体管太赫兹调制器的调制深度低及只能实现开关两个状态的缺陷；本发明太赫兹调制器采用上下对称结构，包括衬底，衬底上、下表面对称设置的石墨烯薄膜、离子胶、源电极、漏电极、栅电极，其中，所述石墨烯薄膜设置于衬底表面，所述源电极、离子胶、漏电极设置于石墨烯薄膜表面，所述栅电极设置于离子胶表面。本发明两个柔性石墨烯场效应晶体管分别设置于同一柔性衬底的两侧，能够大幅提升器件调制深度至37％以上；同时，通过级联控制能够实现对太赫兹波幅度的4级调制。