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公开(公告)号：CN111427171B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202010270800.0
申请日：2020-04-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于介质超表面的双模式太赫兹波束调控器及方法和应用，器件包括若干以一定规律排布的超材料单元，超材料单元从下至上依次包括底层VO2层、介质隔离层和顶层VO2层，底层VO2层、介质隔离层、顶层VO2层三者中心重合。器件完全由介质材料构成，不包含金属材料，器件可以通过热控或光控实现两种工作模式：透射模式和反射模式间的动态切换。反射模式下，器件对太赫兹波高效反射并分束，相当于一个反射型分束器。透射模式下，器件对太赫兹波高效透射。相较于其他反射型分束器，器件在无需作为分束器工作时，其本身不会改变入射波原本的传输路径和阻碍入射波的进一步传输。器件可用于室内太赫兹通信，以实现扩大通信范围和多端通信等功能。
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公开(公告)号：CN109814283B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910238081.1
申请日：2019-03-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种低电压驱动的常开型太赫兹超表面调制器及制备方法，包括高阻硅衬底、埋栅电极、二氧化钒薄膜以及超表面层微结构，高阻硅衬底表面上侧依次是二氧化钒薄膜、超表面层微结构；二氧化钒薄膜包括正方形二氧化钒薄膜块和隔离二氧化钒薄膜，超表面层微结构由若干个金属结构单元周期性排列构成，每个金属结构单元为一个正方形金属块，每个正方形金属块中部设有一个H型槽，H型槽中间的横向段下方设有一个正方形二氧化钒薄膜块，每个正方形金属块的底部通过金属条相连，并最终与漏电极相连接。本器件可广泛应用于太赫兹波通信系统、太赫兹波探测、太赫兹波成像等领域。
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公开(公告)号：CN111427171A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010270800.0
申请日：2020-04-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于介质超表面的双模式太赫兹波束调控器及方法和应用，器件包括若干以一定规律排布的超材料单元，超材料单元从下至上依次包括底层VO2层、介质隔离层和顶层VO2层，底层VO2层、介质隔离层、顶层VO2层三者中心重合。器件完全由介质材料构成，不包含金属材料，器件可以通过热控或光控实现两种工作模式：透射模式和反射模式间的动态切换。反射模式下，器件对太赫兹波高效反射并分束，相当于一个反射型分束器。透射模式下，器件对太赫兹波高效透射。相较于其他反射型分束器，器件在无需作为分束器工作时，其本身不会改变入射波原本的传输路径和阻碍入射波的进一步传输。器件可用于室内太赫兹通信，以实现扩大通信范围和多端通信等功能。
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公开(公告)号：CN109814283A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910238081.1
申请日：2019-03-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种低电压驱动的常开型太赫兹超表面调制器及制备方法，包括高阻硅衬底、埋栅电极、二氧化钒薄膜以及超表面层微结构，高阻硅衬底表面上侧依次是二氧化钒薄膜、超表面层微结构；二氧化钒薄膜包括正方形二氧化钒薄膜块和隔离二氧化钒薄膜，超表面层微结构由若干个金属结构单元周期性排列构成，每个金属结构单元为一个正方形金属块，每个正方形金属块中部设有一个H型槽，H型槽中间的横向段下方设有一个正方形二氧化钒薄膜块，每个正方形金属块的底部通过金属条相连，并最终与漏电极相连接。本器件可广泛应用于太赫兹波通信系统、太赫兹波探测、太赫兹波成像等领域。
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