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公开(公告)号：CN115537915B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211207916.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法，属于液相外延单晶厚膜制备技术领域。包括：1)在石榴石单晶衬底上形成双层石墨烯结构；2)在双层石墨烯结构上生长石榴石籽晶层；3)退火、清洗；4)生长石榴石晶片层；5)对生长有石榴石晶片层的衬底进行剥离处理。本发明采用衬底/双层石墨烯/籽晶层/晶片层的复合膜结构，双层石墨烯作为单晶膜释放层，使得衬底对单晶膜生长基元或结晶的取向可透过#imgabs0#的石墨烯层通过表面静电场传递，影响籽晶层生长基元的排列取向，传递晶格常数；双层石墨烯之间、以及石墨烯层与籽晶层和晶片层之间仅存在范德华力，并非化学键合，可使用胶带等外力吸附轻松地转移厚膜，实现石榴石衬底的重复使用。
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公开(公告)号：CN117194315A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310959648.0
申请日：2023-08-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种基于小容量FIFO降低FPGA资源开销的结构，该结构属于现场可编程逻辑阵列FPGA逻辑设计领域。根据不同的情况采用不同的数据写入方式，特别是当当前使用FIFO的数据位宽大于36bit，深度不超过32时，选择第三模式模块进行数据写入，制定了特有的写入方法，在使用小容量FIFO时，实现了相比于只使用BRAM模式或Distributed RAM模式，均节约了FPGA的芯片资源，同时不影响功能。
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公开(公告)号：CN116470293A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310209025.1
申请日：2023-03-07
Applicant: 电子科技大学 , 太赫兹科技应用(广东)有限公司
Abstract: 本发明属于太赫兹动态波束调控技术领域，具体提供一种基于太赫兹波的Risley棱镜波束扫描天线。本发明采用相位矫正面与相位梯度面构成的Risley棱镜结构，相位矫正面与相位梯度面分别由若干个超表面频率选择单元拼接构成，超表面频率选择单元由四个谐振单元构成；所述频率选择表面具有宽频带工作特性，在太赫兹波段可以实现低损耗传输，有良好的选频特性，并适用于各种线极化波，且该超表面单元具备15％的相对带宽；所述Risley棱镜波束扫描天线能够实现对太赫兹波段的波束调控，该天线峰值增益峰值增益在偏转25°时可以达到21.99dBi，且能达到X‑Y平面360°、傍Z轴±35°的波束扫描范围；并且，天线设计简单，结构紧凑，有效降低加工成本。
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公开(公告)号：CN111030637B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201911289374.9
申请日：2019-12-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种5G通信用多频谱集成自旋纳米振荡器，属于高频通信电子设备技术领域。所述多频谱集成自旋纳米振荡器包括两层以上不同磁性的磁性薄膜组成的耦合薄膜和位于耦合薄膜之上的非磁性重金属薄膜；其中，所述耦合薄膜中的磁性薄膜具有两种以上的饱和磁化强度，或者具有两种以上的有效磁各向异性场；所述自旋纳米振荡器在任意一个偏置磁场下，均具有两个以上的振荡频谱，振荡器输出频率范围在1～50GHz可调，满足5G通信用小型化信号源的需求。本发明自旋纳米振荡器具有结构简单、功耗低、多频点输出、器件体积小、易于CMOS集成等优势。
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公开(公告)号：CN114938203A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210728861.6
申请日：2022-06-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种双频点阻抗匹配的双工移相推推介质振荡型频率源，属于频率源技术领域。所述双工移相推推介质振荡型频率源包括工作在基频的介质振荡模块，两个相同的、在基频和二次谐波频点处阻抗匹配的第一双频点阻抗匹配模块和第二双频点阻抗匹配模块，两个相同的、通带覆盖基频和二次谐波频点的第一双工器和第二双工器，两个相同的、工作在二次谐波频点的第一移相器和第二移相器，合路器。本发明通过使用双频点匹配电路，有效提高了二次谐波的输出功率，保证了电路顺利振荡；利用双工器使不同频点的信号分离，避免了基波信号的浪费，提高了谐波抑制；加入移相器对两路信号的相位进行调节，保证二次谐波相位匹配，从而解决电路差异导致相位恶化问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112661509B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202011548592.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495
Abstract: 一种高Q值MgZrNb2O8基微波介质陶瓷材料，属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域。所述陶瓷材料的结构式为MgZr1‑xTixNb2O8，其中，0.1≤x≤0.4。本发明提供的高Q值微波介质陶瓷材料能够很好的满足当前移动通信技术领域高频化的发展趋势。本发明微波介质陶瓷材料的介电常数为20～28，品质因数为22355～130123GHz，谐振频率温度系数为‑29～‑46ppm/℃，适合用作微波谐振器、天线及相关电子线路基板材料。
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公开(公告)号：CN114069185B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202210061911.X
申请日：2022-01-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种可调静磁波谐振器，属于微波射频器件技术领域。所述谐振器包括谐振器主体，谐振器主体包括谐振腔、设于谐振腔内的下基板、设于谐振腔一侧的射频输入端和设于谐振腔顶部的射频输出端；位于下基板之上的第一微带线；位于下基板之上、并与第一微带线耦合的第二微带线；与射频输出端连接的圆盘；位于第一微带线和第二微带线之上的YIG基片。本发明可调静磁波谐振器可实现从4GHz‑12GHz频段内可调谐，3dB带宽极窄，Q值范围为2000~4500，不仅有效提高了谐振器的组装调测效率，还简化了加工工艺，降低了加工成本，更有利于实现对钇铁石榴石调谐谐振器的批量化生产。
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公开(公告)号：CN109445514B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201811126473.0
申请日：2018-09-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高精度随机跳频DDS频率合成器，属于信号源技术领域。本发明包括FPGA主控模块、DDS芯片、PLL参考源模块、电源管理模块、低通滤波器。本发明能够很快的得出所需频率控制字，将跳频时间减少至百纳秒内，大大提升性能，并通过在FPGA内实现伪随机序数，实现随机跳频；采用DDS芯片AD9914的可编程调制模式提高频率精度；让需要更新的频率控制字计算更快，寄存器个数变少，并通过并行口下发控制字，实现快速频率跳变；通过利用LFSR线性反馈移位寄存器产生伪随机数，计算得到随机频率点，通过FPGA内部运算得到随机频率控制字，从而实现随机跳频。
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公开(公告)号：CN113239604A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110532392.6
申请日：2021-05-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/25 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种磁路优化方法，属于磁路设计技术领域。采用对磁路进行数学建模的方式建立磁路优化问题，并采用多目标粒子群算法对优化问题进行求解，得到优化问题的帕累托最优解集，从解集中挑选符合要求的解作为磁路的最优解。与传统方法相比，本发明能挑选出不被支配的帕累托最优解，避免盲目进行费时费力的三维电磁仿真，大大加快磁路的设计时间，并且能实现更优的磁化强度水平和更低的电流水平。
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公开(公告)号：CN111427171B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202010270800.0
申请日：2020-04-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于介质超表面的双模式太赫兹波束调控器及方法和应用，器件包括若干以一定规律排布的超材料单元，超材料单元从下至上依次包括底层VO2层、介质隔离层和顶层VO2层，底层VO2层、介质隔离层、顶层VO2层三者中心重合。器件完全由介质材料构成，不包含金属材料，器件可以通过热控或光控实现两种工作模式：透射模式和反射模式间的动态切换。反射模式下，器件对太赫兹波高效反射并分束，相当于一个反射型分束器。透射模式下，器件对太赫兹波高效透射。相较于其他反射型分束器，器件在无需作为分束器工作时，其本身不会改变入射波原本的传输路径和阻碍入射波的进一步传输。器件可用于室内太赫兹通信，以实现扩大通信范围和多端通信等功能。
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