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公开(公告)号：CN111730924A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010595071.6
申请日：2020-06-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种具有梯度孔径结构的太赫兹吸波材料，属于太赫兹吸波技术领域。所述吸波材料包括三层三维石墨烯/PDMS复合材料，最上面一层的三维石墨烯的孔径范围为100～120μm，中间的三维石墨烯的孔径范围为50～70μm，最下面一层的三维石墨烯的孔径范围为20～40μm。本发明太赫兹吸波材料具有极强的宽带太赫兹波吸收特性，在0.2-1.2THz的超宽带频谱范围内的平均吸收率高达到93％以上；极薄的厚度，每一层的厚度控制在1mm以内，则该太赫兹吸波材料的总厚度在3mm以内，这远优于现有太赫兹吸收泡沫材料；极好的可弯曲、可拉伸和机械弹性等柔性特征；原料价格低廉，制备方法简单，可以实现大面积制备。
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公开(公告)号：CN103022869A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210589827.1
申请日：2012-12-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种被动锁模导引增益调制的双波长脉冲光纤激光器，包括用来产生连续泵浦光的泵浦源、用于对泵浦光合束的偏振合束器、对泵浦光高透，对激光高反，用于导引谐振激光的二色镜、耦合透镜、半导体可饱和吸收镜、掺Ho3+或Er3+ZBLAN光纤、以及一个布拉格光纤光栅和两个啁啾光纤光栅，输出端，所述泵浦源采用LD泵浦源或半导体激光器泵浦源；所述耦合透镜用于将产生的泵浦光耦合进所述掺Ho3+或Er3+ZBLAN光纤中；所述二色镜与光纤呈45度夹角；所述半导体可饱和吸收镜与所述掺Ho3+或Er3+ZBLAN光纤水平放置，同时与二色镜呈45度夹角。
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公开(公告)号：CN111730924B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010595071.6
申请日：2020-06-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种具有梯度孔径结构的太赫兹吸波材料，属于太赫兹吸波技术领域。所述吸波材料包括三层三维石墨烯/PDMS复合材料，最上面一层的三维石墨烯的孔径范围为100～120μm，中间的三维石墨烯的孔径范围为50～70μm，最下面一层的三维石墨烯的孔径范围为20～40μm。本发明太赫兹吸波材料具有极强的宽带太赫兹波吸收特性，在0.2‑1.2THz的超宽带频谱范围内的平均吸收率高达到93％以上；极薄的厚度，每一层的厚度控制在1mm以内，则该太赫兹吸波材料的总厚度在3mm以内，这远优于现有太赫兹吸收泡沫材料；极好的可弯曲、可拉伸和机械弹性等柔性特征；原料价格低廉，制备方法简单，可以实现大面积制备。
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公开(公告)号：CN103606808B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310660495.6
申请日：2013-12-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01S3/067 , H01S3/0941
Abstract: 本发明公开了一种双波长级联泵浦的中红外光纤激光器，包括第一半导体激光泵浦源和第二半导体激光泵浦源、第一二色镜、第二二色镜、耦合透镜和谐振腔；第一半导体激光泵浦源和第二半导体激光泵浦源产生两个互相垂直且波长不同的连续泵浦光并由第一二色镜合成一束，通过第二二色镜照射到耦合透镜中并聚焦到双包层掺Ho3+ZBLAN光纤内，然后在由双包层掺Ho3+ZBLAN光纤与反射镜组成的谐振腔中振荡形成激光并经反射镜反射，最后由第二二色镜反射输出。本发明有效地解决了传统的中红外光纤激光器中采用单一波长泵浦源泵浦难以产生波长大于3μm激光的问题。
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公开(公告)号：CN103606808A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310660495.6
申请日：2013-12-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01S3/067 , H01S3/0941
Abstract: 本发明公开了一种双波长级联泵浦的中红外光纤激光器，包括第一半导体激光泵浦源和第二半导体激光泵浦源、第一二色镜、第二二色镜、耦合透镜和谐振腔；第一半导体激光泵浦源和第二半导体激光泵浦源产生两个互相垂直且波长不同的连续泵浦光并由第一二色镜合成一束，通过第二二色镜照射到耦合透镜中并聚焦到双包层掺Ho3+ZBLAN光纤内，然后在由双包层掺Ho3+ZBLAN光纤与反射镜组成的谐振腔中振荡形成激光并经反射镜反射，最后由第二二色镜反射输出。本发明有效地解决了传统的中红外光纤激光器中采用单一波长泵浦源泵浦难以产生波长大于3μm激光的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109814283B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910238081.1
申请日：2019-03-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种低电压驱动的常开型太赫兹超表面调制器及制备方法，包括高阻硅衬底、埋栅电极、二氧化钒薄膜以及超表面层微结构，高阻硅衬底表面上侧依次是二氧化钒薄膜、超表面层微结构；二氧化钒薄膜包括正方形二氧化钒薄膜块和隔离二氧化钒薄膜，超表面层微结构由若干个金属结构单元周期性排列构成，每个金属结构单元为一个正方形金属块，每个正方形金属块中部设有一个H型槽，H型槽中间的横向段下方设有一个正方形二氧化钒薄膜块，每个正方形金属块的底部通过金属条相连，并最终与漏电极相连接。本器件可广泛应用于太赫兹波通信系统、太赫兹波探测、太赫兹波成像等领域。
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公开(公告)号：CN106646930B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201611244496.2
申请日：2016-12-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于太赫兹波应用技术领域，提供一种基于柔性石墨烯场效应晶体管结构的多级太赫兹调制器，用以克服现有石墨烯晶体管太赫兹调制器的调制深度低及只能实现开关两个状态的缺陷；本发明太赫兹调制器采用上下对称结构，包括衬底，衬底上、下表面对称设置的石墨烯薄膜、离子胶、源电极、漏电极、栅电极，其中，所述石墨烯薄膜设置于衬底表面，所述源电极、离子胶、漏电极设置于石墨烯薄膜表面，所述栅电极设置于离子胶表面。本发明两个柔性石墨烯场效应晶体管分别设置于同一柔性衬底的两侧，能够大幅提升器件调制深度至37％以上；同时，通过级联控制能够实现对太赫兹波幅度的4级调制。
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公开(公告)号：CN103022869B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201210589827.1
申请日：2012-12-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种被动锁模导引增益调制的双波长脉冲光纤激光器，包括用来产生连续泵浦光的泵浦源、用于对泵浦光合束的偏振合束器、对泵浦光高透，对激光高反，用于导引谐振激光的二色镜、耦合透镜、半导体可饱和吸收镜、掺Ho3+或Er3+ZBLAN光纤、以及一个布拉格光纤光栅和两个啁啾光纤光栅，输出端，所述泵浦源采用LD泵浦源或半导体激光器泵浦源；所述耦合透镜用于将产生的泵浦光耦合进所述掺Ho3+或Er3+ZBLAN光纤中；所述二色镜与光纤呈45度夹角；所述半导体可饱和吸收镜与所述掺Ho3+或Er3+ZBLAN光纤水平放置，同时与二色镜呈45度夹角。
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公开(公告)号：CN110095888B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201910376814.8
申请日：2019-05-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供一种基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器及其制备方法和调制系统，太赫兹调制器从下至上依次包括：底层的Al2O3衬底、SiO2隔离层、硅基微结构、Al2O3钝化层，硅基微结构在SiO2隔离层上周期性排列，每个硅基微结构包括两层正方形Si基台阶结构，调制系统包括：半导体激光器、激光调制器、太赫兹调制器、太赫兹辐射源、太赫兹探测器，本发明对于0.4THz～0.85THz的太赫兹波具有22％以下的反射率，在0.82THz处达到最低18％，可显著降低调制器件对太赫兹波的反射率，提高太赫兹波的利用率；在功率为1200mw的808nm激光照射下达到64.5％的调制深度；太赫兹成像扩散区域相较于传统硅基太赫兹调制器，有效提高成像系统中的分辨率达到21.9％以上。
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公开(公告)号：CN110095888A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910376814.8
申请日：2019-05-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供一种基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器及其制备方法和调制系统，太赫兹调制器从下至上依次包括：底层的Al2O3衬底、SiO2隔离层、硅基微结构、Al2O3钝化层，硅基微结构在SiO2隔离层上周期性排列，每个硅基微结构包括两层正方形Si基台阶结构，调制系统包括：半导体激光器、激光调制器、太赫兹调制器、太赫兹辐射源、太赫兹探测器，本发明对于0.4THz～0.85THz的太赫兹波具有22％以下的反射率，在0.82THz处达到最低18％，可显著降低调制器件对太赫兹波的反射率，提高太赫兹波的利用率；在功率为1200mw的808nm激光照射下达到64.5％的调制深度；太赫兹成像扩散区域相较于传统硅基太赫兹调制器，有效提高成像系统中的分辨率达到21.9％以上。
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