公开(公告)号：CN104195552B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201410338437.6

申请日：2014-07-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文岐业 ,  熊瑛 ,  陈智 ,  张怀武 ,  杨青慧 ,  田伟 ,  毛淇 ,  荆玉兰

IPC: C23C28/04 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L21/02631 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02565

Abstract: 本发明提供一种在硅基底上制备高质量VO2薄膜的方法，用以提高VO2薄膜电阻变化率。选用双面抛光的Si基底，首先清洗硅基底，然后采用原子层沉积法在Si基底上沉积Al2O3缓冲层，最后采用反应磁控溅射法以制备有Al2O3缓冲层的Si基底为衬底，溅射制备VO2薄膜。本发明工艺简单，易于实现；制备的Si基VO2薄膜具有极强的择优取向，成膜质量高，也更接近于金红石型VO2；通过Al2O3缓冲层的引入，减小了相变弛豫时间，也极大的提高了电阻变化率，本发明引入的Al2O3缓冲层厚度仅为25nm，并不会造成Si基VO2薄膜在作为电致开关或者电致存储器件时其阈值电压过大；本发明对推进VO2薄膜在半导体器件中的应用具有重大意义。

公开(公告)号：CN104678597A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410359765.4

申请日：2014-07-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文岐业 ,  毛淇 ,  田伟 ,  陈智 ,  杨青慧 ,  张怀武 ,  沈雁飞

IPC: G02F1/015

CPC classification number: G02F1/015

Abstract: 本发明提供一种石墨烯场效应晶体管太赫兹波调制器及其制备方法，用以提高石墨烯场效应晶体管太赫兹波调制器的调制速率、调制深度。石墨烯场效应晶体管太赫兹波调制器，包括半导体衬底、衬底上依次设置的介质层、石墨烯薄膜、源漏电极以及设置于衬底背面的环形栅电极；其特征在于所述介质层为Al2O3层，其厚度为5～100nm；其制备方法采用原子层沉积(ALD)法沉积Al2O3，Al2O3均匀性好、无缺陷、无针孔，更耐电压，且极大降低漏电流。制备得太赫兹波调制器的调制速度达到178KHz，相对调制深度大于22％，显著提高调制速率及相对调制深度；可广泛应用于太赫兹波通信系统、太赫兹波探测、太赫兹波成像等领域。

公开(公告)号：CN208481115U

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201720920592.8

申请日：2017-07-27

Applicant: 电子科技大学成都学院

Inventor： 王旭 ,  汪尔康 ,  李佳 ,  田伟 ,  陈耀星 ,  冯梦雨 ,  颜珂斐 ,  黄承章

IPC: A47J31/46 ,  A47J31/56 ,  A47J31/44

Abstract: 本实用新型涉及一种自动控制装置及饮水机，属于集成控制技术领域。该自动控制装置，应用于饮水机，饮水机包括：进水装置、液体容器和进水端，进水装置通过进水端与液体容器连通。自动控制装置包括：控制模块、第一开关、第二开关和液位采集模块。控制模块分别与第一开关、第二开关和液位采集模块耦合。由于该饮水机采用了包括：控制模块、第一开关、第二开关和液位采集模块在内的自动控制装置来提高自身的安全性、便捷性和实用性等。进一步地，该控制模块根据液位采集模块采集的信息去控制第一开关，以控制加热装置与电源的通/断电；以及该控制模块还根据液位采集模块采集的信息去控制第二开关，以控制液体容器内的液体容量。

公开(公告)号：CN304364684S

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201730187262.8

申请日：2017-05-19

Applicant: 电子科技大学成都学院

Designer： 王旭 ,  李佳 ,  田伟 ,  陈耀星 ,  汪尔康 ,  牟飞燕 ,  卢婧

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：蛋形智能饮水机（1）。
2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品主要用于饮水机。
3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状、图案及其结合。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。